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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| DC, CPSY (連催) IPSJ-ARC (連催) [詳細] |
2020-10-12 14:10 |
ONLINE | オンライン開催 | C-elementを用いた耐ソフトエラー性を有するSRラッチ ○中田惟吹・難波一輝（千葉大）  CPSY2020-19 DC2020-19 |
近年のVLSIは微細化，高集積化が進んでいる．それに伴い消費電力，臨海電荷量が低下している．そのため，ソフトエラーの発生... [more] | CPSY2020-19 DC2020-19 pp.12-15 |
| ICD, CPSY, CAS (共催) |
2017-12-14 15:10 |
沖縄 | アートホテル石垣島 | 並列線形帰還シフトレジスタPRBS発生回路の高速化に関する検討 ○井山景喬・石井雅樹・佐々木昌浩（芝浦工大） CAS2017-85 ICD2017-73 CPSY2017-82 |
LSIチップの正常動作をテストする「オンチップ・テストパターン発生回路」の動作速度は，線形帰還シフトレジスタによるPRB... [more] | CAS2017-85 ICD2017-73 CPSY2017-82 p.99 |
| ICD, CPM, ED, EID, EMD, MRIS, OME, SCE, SDM (共催) QIT (併催) [詳細] |
2017-01-31 15:25 |
広島 | みやじま杜の宿(広島) | ビット密度5.92Mb/mm2を実現したダブルポンピング回路を用いた28nm擬似2RW DP-SRAM ○石井雄一郎・薮内 誠・澤田陽平・森本薫夫・塚本康正（ルネサス エレクトロニクス）・良田雄太・柴田 健・佐野聡明（ルネサス システムデザイン）・田中信二・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） EMD2016-86 MR2016-58 SCE2016-64 EID2016-65 ED2016-129 CPM2016-130 SDM2016-129 ICD2016-117 OME2016-98 |
6TシングルポートSRAMセルとダブルポンピング回路を用いて、2-read/write (2RW)機能を実現した擬似2R... [more] | EMD2016-86 MR2016-58 SCE2016-64 EID2016-65 ED2016-129 CPM2016-130 SDM2016-129 ICD2016-117 OME2016-98 pp.87-92 |
| ICD | 2011-12-16 14:50 |
大阪 | 大阪大学会館 | マルチビットアップセット耐性及びシングルビットアップセット耐性を備えた8T SRAMセルレイアウト ○梅木洋平・吉本秀輔・天下卓郎・川口 博（神戸大）・吉本雅彦（神戸大/JST） ICD2011-134 |
本論文ではマルチビット・アップセット(MBU)を軽減する分割ワード線構造における新規8TSRAMセルレイアウトを提案する... [more] | ICD2011-134 pp.161-166 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2011-07-21 09:55 |
広島 | 広島工業大学 | 基板バイアス制御を用いた超低電圧センスアンプ回路の高速化 ○増田長太郎・廣瀬哲也・大崎勇士・黒木修隆・沼 昌宏（神戸大） ICD2011-22 |
本研究は，センスアンプの性能向上を目的とし，消費電力を増加させることなく 高速動作を実現する手法を提案する．提案するセ... [more] |
ICD2011-22 pp.7-12 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2009-12-02 13:50 |
高知 | 高知市文化プラザ | ［招待講演］最新半導体デバイスの環境中性子線エラー ～ デザインルール22nmへのインパクトと対策 ～ ○伊部英史・新保健一・谷口 斉・鳥羽忠信（日立） CPM2009-139 ICD2009-68 |
メモリ、論理ゲートなど半導体デバイスの環境中性子線によるエラーのメカニズム、各種エラーモードの現状と22nmデザインルー... [more] | CPM2009-139 ICD2009-68 pp.29-34 |
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