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 135件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
RECONF, VLD
(共催)
2024-01-29
14:40
神奈川 新川崎 創造のもり AIRBIC 会議室1~4
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
極低温下で動作する信号処理ASICの実現に向けたFPGA向けデザインのマイグレーション
今川隆司明大)・小山雄輝小林和淑京都工繊大)・三好健文キュエルVLD2023-85 RECONF2023-88
我々は,大規模汎用量子コンピュータの実現を目標に,極低温下で動作する信号処理ASICの開発を進めており,現在は,常温環境... [more] VLD2023-85 RECONF2023-88
pp.31-34
ICD 2023-04-10
11:25
神奈川 川崎市産業振興会館10階第4会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
12-nm FinFETおよび28-nm プレナー型SRAMのミューオン起因ソフトエラー断面積の評価
五味唯美高見一総京大)・水野るり惠東大)・新倉 潤理研)・Yifan DENG川瀬頒一郎渡辺幸信九大)・安部晋一郎原子力機構)・廖 望東大)・反保元伸梅垣いづみ竹下聡史下村浩一郎三宅康博高エネルギー加速器研究機構/J-PARCセンター)・橋本昌宜京大ICD2023-3
半導体プロセス微細化に伴い,ミューオン起因ソフトエラーの影響増加が示唆されている.しかし,MOSFETの構造変化によるソ... [more] ICD2023-3
p.8
ICD 2023-04-10
16:05
神奈川 川崎市産業振興会館10階第4会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[依頼講演]SRAMウィークPUFに基づいた秘密置換を利用したエッジデバイスセキュリティ向けストロングPUF
劉 昆洋篠原尋史早大ICD2023-7
 [more] ICD2023-7
p.15
ICD 2023-04-11
09:30
神奈川 川崎市産業振興会館10階第4会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[依頼講演]電流調整機能を用いたばらつき補正PIMアーキテクチャの開発
北形大樹田中信二藤田直哉入江尚昭ルネサス エレクトロニクスICD2023-8
近年AIアクセラレータの低電力化に向けてProcessing-in-memory (PIM)の開発が盛んである[1].特... [more] ICD2023-8
p.16
VLD, DC, RECONF, ICD
(共催)
IPSJ-SLDM
(連催) [詳細]
2022-11-28
15:25
熊本 金沢市文化ホール
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
動作電圧引き下げによる低消費電力ニューラルネットワークのための6T-8TハイブリッドSRAM
余 若曦難波一輝千葉大VLD2022-24 ICD2022-41 DC2022-40 RECONF2022-47
人工知能および機械学習の技術の進歩に伴い,多くのディープラーニングアプリケーションは組み込みシステムやモバイルデバイスへ... [more] VLD2022-24 ICD2022-41 DC2022-40 RECONF2022-47
pp.31-36
SDM 2022-11-10
15:15
ONLINE オンライン開催 [招待講演]CMOSを用いたスピン量子ビット読み出し単一電子回路シミュレーション
棚本哲史帝京大SDM2022-68
量子コンピュータでは量子ビットの研究と同様に周辺回路の研究も重要である。量子ビットの検出には通常、単一電子素子 (Sin... [more] SDM2022-68
pp.19-22
CPSY, DC
(共催)
IPSJ-ARC
(連催) [詳細]
2022-10-11
16:15
新潟 湯沢東映ホテル
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
SRAM の動作電圧引き下げによる量子化ニューラルネットワークの低電力化
呉 吉難波一輝千葉大CPSY2022-20 DC2022-20
人工知能の技術の進歩に伴い,ニューラルネットワークは,画像の認識において優れた性能を発揮する機械学習として注目されている... [more] CPSY2022-20 DC2022-20
pp.14-19
VLD, HWS
(共催) [詳細]
2022-03-07
14:30
ONLINE オンライン開催 Approximate Storing機能を備えたMTJベース不揮発性SRAM回路の提案と評価
宮内陽里宇佐美公良芝浦工大VLD2021-86 HWS2021-63
磁気トンネル接合(MTJ:Magnetic Tunnel Junction)素子を利用した不揮発性メモリ(NVM:Non... [more] VLD2021-86 HWS2021-63
pp.51-56
VLD, DC, RECONF, ICD, IPSJ-SLDM
(連催)
(併催) [詳細]
2021-12-01
10:10
ONLINE オンライン開催 データアウェア・ストア機能を持つMTJベース不揮発性SRAM回路の提案と評価
宮内陽里宇佐美公良芝浦工大VLD2021-19 ICD2021-29 DC2021-25 RECONF2021-27
近年、LSIのリーク電力の増大が問題となっており、その削減手法の1つに、磁気トンネル接合(MTJ:Magnetic Tu... [more] VLD2021-19 ICD2021-29 DC2021-25 RECONF2021-27
pp.13-18
VLD, DC, RECONF, ICD, IPSJ-SLDM
(連催)
(併催) [詳細]
2021-12-01
11:35
ONLINE オンライン開催 SRAMの動作電圧引き下げによるニューラルネットワークの低電力化
高津啓佑難波一輝千葉大VLD2021-25 ICD2021-35 DC2021-31 RECONF2021-33
機械学習の技術の進歩に伴い,ネットワークが複雑化し計算量が増加している.それに伴い,学習のプロセスにかかる計算時間や消費... [more] VLD2021-25 ICD2021-35 DC2021-31 RECONF2021-33
pp.49-53
VLD, DC, RECONF, ICD, IPSJ-SLDM
(連催)
(併催) [詳細]
2020-11-17
09:30
ONLINE オンライン開催 SONOS Flashセルを用いた不揮発SRAMの設計と回路シミュレーションによる評価
浦部孝樹新居浩二小林和淑京都工繊大VLD2020-11 ICD2020-31 DC2020-31 RECONF2020-30
本稿では SONOS Flash を用いた不揮発の SRAM メモリについてレイアウト設計を行い, その特性について回路... [more] VLD2020-11 ICD2020-31 DC2020-31 RECONF2020-30
pp.1-5
PN 2019-11-15
11:05
神奈川 慶應義塾大学 [招待講演]計算機メモリシステムの研究最新動向
広渕崇宏産総研PN2019-28
本発表では計算機メモリシステムにおける研究の最新動向を紹介する。相変化メモリや磁気メモリに代表される新たなメモリデバイス... [more] PN2019-28
pp.29-35
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-08
10:00
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 極値理論を利用した最大SRAMデータ保持電圧の統計解析
水谷朋子竹内 潔更屋拓哉小林正治平本俊郎東大SDM2019-41 ICD2019-6
最大SRAMデータ保持電圧 (DRV) の推定に極値理論を応用した.65nm技術で作製したバルク6T-SRAM デバイス... [more] SDM2019-41 ICD2019-6
pp.27-30
VLD, IPSJ-SLDM
(連催)
2019-05-15
15:25
東京 東京工業大学 大岡山キャンパス SRAM-Based Synthesis for Multi-Output Gates
Xingming LeAmir Masoud GharehbaghiMasahiro FujitaThe Univ. of TokyoVLD2019-4
 [more] VLD2019-4
pp.25-30
SCE 2019-04-19
09:55
東京 機械振興会館 単一命令セットSFQマイクロプロセッサを用いたSFQ/CMOSハイブリッドメモリシステムの動作実証
弘中祐樹山梨裕希吉川信行横浜国大SCE2019-2
単一磁束量子 (SFQ) 回路に適合する大規模メモリシステムの実現方式として、CMOSメモリをSFQ回路と組み合わせるS... [more] SCE2019-2
pp.7-11
HWS 2019-04-12
15:05
宮城 東北大学 180nm CMOSプロセスを用いたPhysically Unclonable Functionsの実装と評価
汐﨑 充久保田貴也白畑正芳立命館大)・堀 洋平片下敏宏産総研)・藤野 毅立命館大HWS2019-4
現在,Physically Unclonable Function (PUF)の国際標準化が進められており,これまで明確... [more] HWS2019-4
pp.19-24
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-08
13:15
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 [依頼講演]パスゲートトランジスタの対称性を向上した28nmHKMG 10TデュアルポートSRAMセル
石井雄一郎田中美紀藪内 誠澤田陽平田中信二新居浩二ルネサス エレクトロニクス)・Tien Yu LuChun Hsien HuangShou Sian ChenYu Tse KuoChing Cheng LungOsbert Chengユナイテッド・マイクロエレクトロニクスSDM2018-40 ICD2018-27
従来の8TデュアルポートSRAMセルに対して, パスゲートトランジスタの対称性を向上し, リード・ライトディスターブ状態... [more] SDM2018-40 ICD2018-27
pp.83-88
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-08
13:40
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 [招待講演]組合せ最適化問題に適したCMOSアニーリングマシン
山岡雅直日立SDM2018-41 ICD2018-28
近い将来、社会で用いられるさまざまなシステムの最適化が必要となるが、 そこでは、組合せ最適化問題を解く技術がキー技術とな... [more] SDM2018-41 ICD2018-28
p.89
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-09
13:45
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 SRAMの安定性自己修復手法における複数回ストレス印加の効果
水谷朋子竹内 潔更屋拓哉小林正治平本俊郎東大SDM2018-49 ICD2018-36
ランダムしきい値電圧 (VTH) ばらつきにより劣化したSRAMセルの安定性を向上させる「安定性自己修復技術」において,... [more] SDM2018-49 ICD2018-36
pp.121-126
HWS, ISEC, SITE, ICSS, EMM
(共催)
IPSJ-CSEC, IPSJ-SPT
(共催)
(連催) [詳細]
2018-07-26
14:10
北海道 札幌コンベンションセンター Compensation of Temperature Induced Flipping-Bits in CMOS SRAM PUF by NMOS Body-Bias
Xuanhao ZhangXiang ChenHanfeng SunHirofumi ShinoharaWaseda Univ.ISEC2018-41 SITE2018-33 HWS2018-38 ICSS2018-44 EMM2018-40
PUF suffers from flipping-bits caused by temperature changes... [more] ISEC2018-41 SITE2018-33 HWS2018-38 ICSS2018-44 EMM2018-40
pp.333-336
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