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電子デバイス技術委員会 (IEE-EDD)
電子材料研究会 (IEE-EFM)
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電磁界理論技術委員会 (IEE-EMT)
家電・民生技術委員会 (IEE-HCA)
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次世代産業システム (IEE-IIS)
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光・量子デバイス技術委員会 (IEE-OQD)
スマートファシリティ研究会 (IEE-SMF)
半導体電力変換研究会 (IEE-SPC)
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研究会
発表日時
開催地
タイトル・著者
抄録
資料番号
CPM
2023-02-28
14:45
東京
東京工科大学 + オンライン開催
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
2種類の金ナノ粒子集合体での高周波誘起電流の観測
○
林 優生
・
小林海斗
・
藤倉健太
・
島田 宏
・
水柿義直
(
電通大
)
CPM2022-101
本研究では,2種類の粒径の金ナノ粒子(粒径15nmと50nm)を誘電泳動によりドレイン・ソース電極間のナノギャップに配置...
[more]
CPM2022-101
pp.58-61
SDM
2022-11-10
15:15
ONLINE
オンライン開催
[招待講演]CMOSを用いたスピン量子ビット読み出し単一電子回路シミュレーション
○
棚本哲史
(
帝京大
)
SDM2022-68
量子コンピュータでは量子ビットの研究と同様に周辺回路の研究も重要である。量子ビットの検出には通常、単一電子素子 (Sin...
[more]
SDM2022-68
pp.19-22
CPM
2022-03-01
15:25
ONLINE
オンライン開催
金コロイド二段階液浸法を用いて作製した単一電子トランジスタの電気的特性
○
小林海斗
・
藤倉健太
・
浦江哲也
・
守屋雅隆
・
島田 宏
・
水柿義直
(
電通大
)
CPM2021-79
本研究では金ナノ粒子を島電極とする6端子単一電子素子の実現を目指し, ソース・ドレイン電極間のナノギャップにレジスト穴を...
[more]
CPM2021-79
pp.28-30
CPM
2021-03-03
14:00
ONLINE
オンライン開催
オンチップ電磁石を利用して作製したCoナノ粒子配列からなる強磁性単一電子素子
○
藤倉健太
・
浦江哲也
・
関根一真
・
守屋雅隆
・
島田 宏
(
電通大
)・
平野愛弓
(
東北大
)・
廣瀬文彦
(
山形大
)・
水柿義直
(
電通大
)
CPM2020-70
本研究では,Coナノ粒子を島電極とする強磁性単一電子素子の作製を目指し,基板上に配置した電磁石(オンチップ電磁石)を用い...
[more]
CPM2020-70
pp.55-58
OME
2019-12-20
13:00
佐賀
アバンセ(佐賀市:佐賀駅徒歩10分)
無電解金めっきナノギャップ電極を用いた炭素架橋オリゴフェニレンビニレン6単一分子の単電子トランジスタ
○
入江力也
・
Chun Ouyang
・
居藤悠馬
・
Phan Trong Tue
(
東工大
)・
辻 勇人
(
神奈川大
)・
中村栄一
(
東大
)・
真島 豊
(
東工大
)
OME2019-37
分子デバイスは50年以上に亘り研究されてきたが、単一分子への電気接続を可能とする微細加工技術の難しさ等により実用化には至...
[more]
OME2019-37
pp.9-12
ED
,
SDM
(共催)
2018-02-28
10:00
北海道
北海道大学百年記念会館
単層Fe-MgF2グラニュラー薄膜を用いた単電子トランジスタの電気特性
○
浅井佑基
・
本庄周作
・
瘧師貴幸
・
福地 厚
・
有田正志
・
高橋庸夫
(
北大
)
ED2017-104 SDM2017-104
単電子トランジスタ(Single-Electron Transistor: SET)は,低消費電力・高機能性が実現可能な...
[more]
ED2017-104
SDM2017-104
pp.1-6
ED
2017-04-21
10:55
宮城
東北大学電気通信研究所 本館 6階 大会議室
強磁性体-超伝導体-強磁性体電極で構成される単一電子トランジスタのゲート電圧と外部磁場に対する応答
○
水柿義直
・
滝口将志
・
田村伸行
・
島田 宏
(
電通大
)
ED2017-13
強磁性体(Ferromagnet: FM)であるコバルト(Co)と超伝導体(Superconductor: SC)である...
[more]
ED2017-13
pp.47-50
ED
,
SDM
(共催)
2014-02-28
12:05
北海道
北海道大学百年記念会館
ナノギャップでの原子のマイグレーション現象により作製したNi系ナノスケールデバイス
○
須田隆太郎
・
伊藤光樹
・
森原康平
・
豊中貴大
・
滝川主喜
・
白樫淳一
(
東京農工大
)
ED2013-149 SDM2013-164
ナノギャップに発現するエレクトロマイグレーション現象を利用することで,強磁性単電子トランジスタ(Ferromagneti...
[more]
ED2013-149
SDM2013-164
pp.95-100
SDM
,
ED
(共催)
2013-02-28
09:00
北海道
北海道大学(百年記念会館)
室温動作単電子トランジスタとCMOS1-bitアナログセレクタの集積化
○
鈴木龍太
・
野末喬城
・
更屋拓也
・
平本俊郎
(
東大
)
ED2012-137 SDM2012-166
あらまし 本研究では、室温動作シリコン単電子トランジスタ(SET)の作製プロセスの改良により、同時に作製されるMOSF...
[more]
ED2012-137
SDM2012-166
pp.47-52
SDM
,
ED
(共催)
2013-02-28
09:50
北海道
北海道大学(百年記念会館)
散逸要素を組み込んだ単一電子素子・単一磁束量子素子での間欠発振
○
水柿義直
(
電通大
)
ED2012-139 SDM2012-168
単一電子トランジスタでは,微小トンネル接合での単一電子トンネリングにより,島電極上の電荷が離散的に変化する.また,超伝導...
[more]
ED2012-139
SDM2012-168
pp.59-64
ED
,
SDM
(共催)
2012-02-07
14:35
北海道
北海道大学 百年記念会館
KFM observation of individual dopant potentials and electron charging
○
Roland Nowak
・
Miftahul Anwar
・
Daniel Moraru
・
Takeshi Mizuno
(
Shizuoka Univ.
)・
Ryszard Jablonski
(
Warsaw Univ. of Tech.
)・
Michiharu Tabe
(
Shizuoka Univ.
)
ED2011-144 SDM2011-161
We utilize Kelvin probe force microscope (KFM) to measure su...
[more]
ED2011-144
SDM2011-161
pp.13-18
ED
,
SDM
(共催)
2012-02-07
15:15
北海道
北海道大学 百年記念会館
パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性
○
竹中浩人
・
篠原迪人
・
内田貴史
・
有田正志
(
北大
)・
藤原 聡
(
NTT
)・
高橋庸夫
(
北大
)
ED2011-145 SDM2011-162
単電子トランジスタ(SET)は、低消費電力で動作するデバイスとして知られているが、その高速動作性に関しては、十分調べられ...
[more]
ED2011-145
SDM2011-162
pp.19-24
ED
,
SDM
(共催)
2012-02-08
09:55
北海道
北海道大学 百年記念会館
電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション法を用いた直列型ナノギャップの集積化と特性制御
○
伊藤光樹
・
秋元俊介
・
白樫淳一
(
東京農工大
)
ED2011-151 SDM2011-168
我々は,直列に接続された複数のナノギャップに対して,電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション(アクティベーション)を...
[more]
ED2011-151
SDM2011-168
pp.53-58
SDM
,
ED
(共催)
2011-02-24
10:45
北海道
北海道大学 百年記念会館
Si単電子トランジスタにおける光照射による単一キャリアトラップ生成と電気伝導特性
○
篠原迪人
・
加藤勇樹
・
三上 圭
・
有田正志
(
北大
)・
藤原 聡
(
NTT
)・
高橋庸夫
(
北大
)
ED2010-203 SDM2010-238
強い縦方向電界を印加した単電子トランジスタ(SET)では、光照射により単電子島で単一電子・正孔対が生成・消滅することで電...
[more]
ED2010-203
SDM2010-238
pp.63-66
ED
,
SDM
(共催)
2010-02-22
15:40
沖縄
沖縄県青年会館
電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーションによる単電子トランジスタの集積化
○
上野俊介
・
友田悠介
・
久米 彌
・
花田道庸
・
滝谷和聡
・
白樫淳一
(
東京農工大
)
ED2009-202 SDM2009-199
プレナー型ナノスケールトンネルデバイスの簡便な作製手法である,電界放射電流によって誘起・発現されるエレクトロマイグレーシ...
[more]
ED2009-202
SDM2009-199
pp.35-39
ED
,
SDM
(共催)
2010-02-22
16:30
沖縄
沖縄県青年会館
強磁性リード電極を有する単一電子トランジスタでの磁気抵抗比増大効果の観測
○
田村伸行
・
菊池健人
・
守屋雅隆
・
小林忠行
・
島田 宏
・
水柿義直
(
電通大
)
ED2009-204 SDM2009-201
我々は,強磁性体(FM)のリード電極を持つ単一電子トランジスタ(SET)の磁気抵抗比($MRR$)に関する報告を行う.
...
[more]
ED2009-204
SDM2009-201
pp.47-52
SDM
,
ED
(共催)
2009-06-26
12:00
海外
海雲台グランドホテル(釜山、韓国)
Fabrication of double-dot single-electron transistor in silicon nanowire
○
Mingyu Jo
・
Takuya Kaizawa
・
Masashi Arita
(
Hokkaido Univ.
)・
Akira Fujiwara
・
Yukinori Ono
(
NTT
)・
Hiroshi Inokawa
(
Shizuoka Univ.
)・
Jung-Bum Choi
(
Chungbuk National Univ.
)・
Yasuo Takahashi
(
Hokkaido Univ.
)
ED2009-94 SDM2009-89
We propose a simple method for the fabrication of Si single-...
[more]
ED2009-94
SDM2009-89
pp.189-192
SDM
,
ED
(共催)
2009-02-26
16:05
北海道
北海道大学
入力離散化器付き単一電子トランジスタおよびターンスタイルの特性
○
滝口将志
・
速水翔太
・
大塚正喜
・
河合章生
・
守屋雅隆
・
小林忠行
・
島田 宏
・
水柿義直
(
電通大
)
ED2008-229 SDM2008-221
本報告において,我々は単一電子デバイス用の「入力離散化器」を提案し,その応用例について述べる.入力離散化器は,1個の微小...
[more]
ED2008-229
SDM2008-221
pp.29-34
SDM
,
ED
(共催)
2009-02-27
09:00
北海道
北海道大学
電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション法による単電子トランジスタの作製
○
友田悠介
・
久米 彌
・
花田道庸
・
高橋佳祐
・
白樫淳一
(
東京農工大
)
ED2008-232 SDM2008-224
単電子トランジスタに代表されるナノスケールデバイスの作製技術として、エレクトロマイグレーションを利用した簡便な手法を提案...
[more]
ED2008-232
SDM2008-224
pp.47-52
ED
,
SDM
(共催)
2008-01-30
14:45
北海道
北海道大学
Design of dopant-induced quantum dot arrays in silicon nanostructures for single-electron transfer
○
Daniel Moraru
・
Daisuke Nagata
・
Kiyohito Yokoi
・
Hiroya Ikeda
・
Michiharu Tabe
(
Shizuoka Univ.
)
ED2007-240 SDM2007-251
Randomly distributed dopants in the channel of silicon-on-in...
[more]
ED2007-240
SDM2007-251
pp.17-22
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