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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM 2023-02-28
14:45
東京 東京工科大学 + オンライン開催
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
2種類の金ナノ粒子集合体での高周波誘起電流の観測
林 優生小林海斗藤倉健太島田 宏水柿義直電通大CPM2022-101
本研究では,2種類の粒径の金ナノ粒子(粒径15nmと50nm)を誘電泳動によりドレイン・ソース電極間のナノギャップに配置... [more] CPM2022-101
pp.58-61
SDM 2022-11-10
15:15
ONLINE オンライン開催 [招待講演]CMOSを用いたスピン量子ビット読み出し単一電子回路シミュレーション
棚本哲史帝京大SDM2022-68
量子コンピュータでは量子ビットの研究と同様に周辺回路の研究も重要である。量子ビットの検出には通常、単一電子素子 (Sin... [more] SDM2022-68
pp.19-22
CPM 2022-03-01
15:25
ONLINE オンライン開催 金コロイド二段階液浸法を用いて作製した単一電子トランジスタの電気的特性
小林海斗藤倉健太浦江哲也守屋雅隆島田 宏水柿義直電通大CPM2021-79
本研究では金ナノ粒子を島電極とする6端子単一電子素子の実現を目指し, ソース・ドレイン電極間のナノギャップにレジスト穴を... [more] CPM2021-79
pp.28-30
CPM 2021-03-03
14:00
ONLINE オンライン開催 オンチップ電磁石を利用して作製したCoナノ粒子配列からなる強磁性単一電子素子
藤倉健太浦江哲也関根一真守屋雅隆島田 宏電通大)・平野愛弓東北大)・廣瀬文彦山形大)・水柿義直電通大CPM2020-70
本研究では,Coナノ粒子を島電極とする強磁性単一電子素子の作製を目指し,基板上に配置した電磁石(オンチップ電磁石)を用い... [more] CPM2020-70
pp.55-58
OME 2019-12-20
13:00
佐賀 アバンセ(佐賀市:佐賀駅徒歩10分) 無電解金めっきナノギャップ電極を用いた炭素架橋オリゴフェニレンビニレン6単一分子の単電子トランジスタ
入江力也Chun Ouyang居藤悠馬Phan Trong Tue東工大)・辻 勇人神奈川大)・中村栄一東大)・真島 豊東工大OME2019-37
分子デバイスは50年以上に亘り研究されてきたが、単一分子への電気接続を可能とする微細加工技術の難しさ等により実用化には至... [more] OME2019-37
pp.9-12
ED, SDM
(共催)
2018-02-28
10:00
北海道 北海道大学百年記念会館 単層Fe-MgF2グラニュラー薄膜を用いた単電子トランジスタの電気特性
浅井佑基本庄周作瘧師貴幸福地 厚有田正志高橋庸夫北大ED2017-104 SDM2017-104
単電子トランジスタ(Single-Electron Transistor: SET)は,低消費電力・高機能性が実現可能な... [more] ED2017-104 SDM2017-104
pp.1-6
ED 2017-04-21
10:55
宮城 東北大学電気通信研究所 本館 6階 大会議室 強磁性体-超伝導体-強磁性体電極で構成される単一電子トランジスタのゲート電圧と外部磁場に対する応答
水柿義直滝口将志田村伸行島田 宏電通大ED2017-13
強磁性体(Ferromagnet: FM)であるコバルト(Co)と超伝導体(Superconductor: SC)である... [more] ED2017-13
pp.47-50
ED, SDM
(共催)
2014-02-28
12:05
北海道 北海道大学百年記念会館 ナノギャップでの原子のマイグレーション現象により作製したNi系ナノスケールデバイス
須田隆太郎伊藤光樹森原康平豊中貴大滝川主喜白樫淳一東京農工大ED2013-149 SDM2013-164
ナノギャップに発現するエレクトロマイグレーション現象を利用することで,強磁性単電子トランジスタ(Ferromagneti... [more] ED2013-149 SDM2013-164
pp.95-100
SDM, ED
(共催)
2013-02-28
09:00
北海道 北海道大学(百年記念会館) 室温動作単電子トランジスタとCMOS1-bitアナログセレクタの集積化
鈴木龍太野末喬城更屋拓也平本俊郎東大ED2012-137 SDM2012-166
あらまし 本研究では、室温動作シリコン単電子トランジスタ(SET)の作製プロセスの改良により、同時に作製されるMOSF... [more] ED2012-137 SDM2012-166
pp.47-52
SDM, ED
(共催)
2013-02-28
09:50
北海道 北海道大学(百年記念会館) 散逸要素を組み込んだ単一電子素子・単一磁束量子素子での間欠発振
水柿義直電通大ED2012-139 SDM2012-168
単一電子トランジスタでは,微小トンネル接合での単一電子トンネリングにより,島電極上の電荷が離散的に変化する.また,超伝導... [more] ED2012-139 SDM2012-168
pp.59-64
ED, SDM
(共催)
2012-02-07
14:35
北海道 北海道大学 百年記念会館 KFM observation of individual dopant potentials and electron charging
Roland NowakMiftahul AnwarDaniel MoraruTakeshi MizunoShizuoka Univ.)・Ryszard JablonskiWarsaw Univ. of Tech.)・Michiharu TabeShizuoka Univ.ED2011-144 SDM2011-161
We utilize Kelvin probe force microscope (KFM) to measure su... [more] ED2011-144 SDM2011-161
pp.13-18
ED, SDM
(共催)
2012-02-07
15:15
北海道 北海道大学 百年記念会館 パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性
竹中浩人篠原迪人内田貴史有田正志北大)・藤原 聡NTT)・高橋庸夫北大ED2011-145 SDM2011-162
単電子トランジスタ(SET)は、低消費電力で動作するデバイスとして知られているが、その高速動作性に関しては、十分調べられ... [more] ED2011-145 SDM2011-162
pp.19-24
ED, SDM
(共催)
2012-02-08
09:55
北海道 北海道大学 百年記念会館 電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション法を用いた直列型ナノギャップの集積化と特性制御
伊藤光樹秋元俊介白樫淳一東京農工大ED2011-151 SDM2011-168
我々は,直列に接続された複数のナノギャップに対して,電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション(アクティベーション)を... [more] ED2011-151 SDM2011-168
pp.53-58
SDM, ED
(共催)
2011-02-24
10:45
北海道 北海道大学 百年記念会館 Si単電子トランジスタにおける光照射による単一キャリアトラップ生成と電気伝導特性
篠原迪人加藤勇樹三上 圭有田正志北大)・藤原 聡NTT)・高橋庸夫北大ED2010-203 SDM2010-238
強い縦方向電界を印加した単電子トランジスタ(SET)では、光照射により単電子島で単一電子・正孔対が生成・消滅することで電... [more] ED2010-203 SDM2010-238
pp.63-66
ED, SDM
(共催)
2010-02-22
15:40
沖縄 沖縄県青年会館 電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーションによる単電子トランジスタの集積化
上野俊介友田悠介久米 彌花田道庸滝谷和聡白樫淳一東京農工大ED2009-202 SDM2009-199
プレナー型ナノスケールトンネルデバイスの簡便な作製手法である,電界放射電流によって誘起・発現されるエレクトロマイグレーシ... [more] ED2009-202 SDM2009-199
pp.35-39
ED, SDM
(共催)
2010-02-22
16:30
沖縄 沖縄県青年会館 強磁性リード電極を有する単一電子トランジスタでの磁気抵抗比増大効果の観測
田村伸行菊池健人守屋雅隆小林忠行島田 宏水柿義直電通大ED2009-204 SDM2009-201
我々は,強磁性体(FM)のリード電極を持つ単一電子トランジスタ(SET)の磁気抵抗比($MRR$)に関する報告を行う.
... [more]
ED2009-204 SDM2009-201
pp.47-52
SDM, ED
(共催)
2009-06-26
12:00
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) Fabrication of double-dot single-electron transistor in silicon nanowire
Mingyu JoTakuya KaizawaMasashi AritaHokkaido Univ.)・Akira FujiwaraYukinori OnoNTT)・Hiroshi InokawaShizuoka Univ.)・Jung-Bum ChoiChungbuk National Univ.)・Yasuo TakahashiHokkaido Univ.ED2009-94 SDM2009-89
We propose a simple method for the fabrication of Si single-... [more] ED2009-94 SDM2009-89
pp.189-192
SDM, ED
(共催)
2009-02-26
16:05
北海道 北海道大学 入力離散化器付き単一電子トランジスタおよびターンスタイルの特性
滝口将志速水翔太大塚正喜河合章生守屋雅隆小林忠行島田 宏水柿義直電通大ED2008-229 SDM2008-221
本報告において,我々は単一電子デバイス用の「入力離散化器」を提案し,その応用例について述べる.入力離散化器は,1個の微小... [more] ED2008-229 SDM2008-221
pp.29-34
SDM, ED
(共催)
2009-02-27
09:00
北海道 北海道大学 電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション法による単電子トランジスタの作製
友田悠介久米 彌花田道庸高橋佳祐白樫淳一東京農工大ED2008-232 SDM2008-224
単電子トランジスタに代表されるナノスケールデバイスの作製技術として、エレクトロマイグレーションを利用した簡便な手法を提案... [more] ED2008-232 SDM2008-224
pp.47-52
ED, SDM
(共催)
2008-01-30
14:45
北海道 北海道大学 Design of dopant-induced quantum dot arrays in silicon nanostructures for single-electron transfer
Daniel MoraruDaisuke NagataKiyohito YokoiHiroya IkedaMichiharu TabeShizuoka Univ.ED2007-240 SDM2007-251
Randomly distributed dopants in the channel of silicon-on-in... [more] ED2007-240 SDM2007-251
pp.17-22
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