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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2023-08-01
16:35
北海道 北海道大学 情報教育館 3F
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
クライオ200nmSOIMOSFETの基板バイアス効果および履歴現象の解析
李 龍聖森 貴之金沢工大)・岡 博史森 貴洋産総研)・井田次郎金沢工大SDM2023-42 ICD2023-21
本稿では、200 nm SOI MOSFETにおいて、極低温下でのみ発生する基板バイアス効果での特異な現象について継続解... [more] SDM2023-42 ICD2023-21
pp.32-35
SDM 2022-11-11
11:30
ONLINE オンライン開催 ニューラルネットワークを用いた急峻なSSを持つ"PN-Body Tied SOI-FET"モデリング検討
中田賢吾森 貴之井田次郎金沢工大SDM2022-73
本研究では, 急峻なサブスレッショルド特性を持つ新規構造のデバイスであるPN-Body Tied(PNBT) Silic... [more] SDM2022-73
pp.44-48
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2022-08-08
14:15
ONLINE オンライン開催に変更 現地開催(北海道大学百年記念会館)は中止 極低電圧動作を狙ったSteep SS "Dual-Gate型 PN-Body Tied SOI-FET" 試作結果
米崎晴貴井田次郎森 貴之金沢工大)・石橋孝一郎電通大SDM2022-38 ICD2022-6
本研究では, 極低電圧動作を狙ったSteep SS “Dual-Gate (DG) 型PN-Body Tied (PNB... [more] SDM2022-38 ICD2022-6
pp.17-20
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2020-08-07
11:00
ONLINE オンライン開催 急峻なSSを持つ“PN-Body Tied SOI-FET ”のCMOSインバータ伝達特性
石黒翔太井田次郎森 貴之金沢工大)・石橋孝一郎電通大SDM2020-8 ICD2020-8
本研究では、我々が提案している急峻なSubthreshold Slope (SS)を持つ“PN Body-Tied SO... [more] SDM2020-8 ICD2020-8
pp.37-40
MW
(第二種研究会)
2020-05-13
- 2020-05-15
海外 CU(タイ・バンコク)
(開催延期)
RF Measurement of Steep Subthreshold Slope "PN-Body Tied SOI FET"
Mitsuhiro YuizonoJiro IdaTakayuki MoriKanazawa Inst of Tech
RF measured data of super steep subthreshold slope "PN-Body ... [more]
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-09
14:10
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 急峻なSSを持つ“PN Body-Tied SOI-FET”におけるBOX中の正電荷と基板バイアスの影響
矢吹 亘井田次郎森 貴之金沢工大)・石橋孝一郎電通大)・新井康夫高エネルギー加速器研究機構SDM2019-51 ICD2019-16
本研究では、我々が提案している急峻なsubthreshold slope (SS)を持つ“PN Body-Tied SO... [more] SDM2019-51 ICD2019-16
pp.89-93
SDM 2018-11-09
15:55
東京 機械振興会館 [招待講演]急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI-FETを用いたMOS Diode接続での特性および微小電圧整流実験
百瀬 駿井田次郎山田拓弥森 貴之伊東健治金沢工大)・石橋孝一郎電通大)・新井康夫高エネルギー加速器研究機構SDM2018-76
生活環境下に存在するRF信号電力を利用するためには,高い電力変換効率を実現するRF整流器が必要である.RF整流器はµWも... [more] SDM2018-76
pp.59-64
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-07
14:25
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 急峻なSSを持つ"PN-Body Tied SOI-FET"を使った極低電圧整流実験
百瀬 駿井田次郎山田拓弥森 貴之伊東健治金沢工大)・石橋孝一郎電通大)・新井康夫高エネルギー加速器研究機構SDM2018-31 ICD2018-18
µW級の電力で機能する整流器を構築するためには,新たなダイオード技術の開発が必要である.従来のp-n接合ダイオード,ショ... [more] SDM2018-31 ICD2018-18
pp.31-34
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-08
09:45
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 Understanding Temperature Effect on Subthreshold Slope Variability in Bulk and SOTB MOSFETs
Shuang GaoTomoko MizutaniKiyoshi TakeuchiMasaharu KobayashiToshiro HiramotoUniv. TokyoSDM2018-37 ICD2018-24
We present a new finding that subthreshold slope (SS) variab... [more] SDM2018-37 ICD2018-24
pp.65-70
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2017-08-02
11:35
北海道 北海道大学情報教育館 急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FETを用いた高効率RFエネルギーハーベスティング用Gate Controlled Diodeの特性
百瀬 駿井田次郎森 貴之吉田貴大岩田潤平堀井隆史古田貴大山田拓弥高松大地伊東健治金沢工大)・石橋孝一郎電通大)・新井康夫高エネルギー加速器研究機構SDM2017-45 ICD2017-33
新たに提案した極低ドレイン電圧で急峻なサブスレッショルド特性を持つPN-Body Tied SOI FETを用いたGat... [more] SDM2017-45 ICD2017-33
pp.109-114
SDM 2016-06-29
10:40
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 [依頼講演]強誘電体絶縁膜の負性容量を利用した急峻スイッチング実現のためのSOI-FET設計指針
太田裕之右田真司服部淳一福田浩一産総研)・鳥海 明東大SDM2016-34
本研究では負性容量を用いて急峻なサブスレショルド係数(SS)を実現するための完全空乏型silicon-on-insula... [more] SDM2016-34
pp.9-13
SDM 2016-01-28
15:50
東京 機械振興会館 [招待講演]極低ドレイン電圧で急峻なS値を持つPN Body Tied SOI FET
井田次郎金沢工大SDM2015-127
極低ドレイン電圧で非常に急峻なS値を持つPN-Body Tied SOI FET構造を提案しシミュレーションと試作で検討... [more] SDM2015-127
pp.31-34
SDM, ICD
(共催)
2013-08-01
09:00
石川 金沢大学 角間キャンパス SOI構造における急峻なサブスレッショルド特性の解析
森 貴之井田次郎金沢工大SDM2013-65 ICD2013-47
フローティングボディ構造 (FB) 及びボディタイ構造 (BT) のSOI MOSFETにおいて急峻なサブスレッショルド... [more] SDM2013-65 ICD2013-47
pp.1-6
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-27
14:15
沖縄 沖縄県青年会館 Control Effect of New Optimized Structure of Planar Thin Floating Gate (FG) NAND Flash to Fringing Field
Do-Bin KimYoon KimSe Hwan ParkWandong KimJoo Yun SeoSeung-Hyun KimByung-Gook ParkSeoul National Univ.
As cell size of floating gate (FG) type NAND flash memory sh... [more]
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