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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-07
11:30
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 FDSOIプロセスにおけるスタック構造を用いたNMOSおよびPMOSトランジスタのソフトエラー耐性の実測による比較
山田晃大古田 潤小林和淑京都工繊大SDM2018-28 ICD2018-15
集積回路素子の微細化に伴いソフトエラーによる集積回路の信頼性低下が問題となっている.本研究では,65nm FDSOI (... [more] SDM2018-28 ICD2018-15
pp.15-20
VLD, HWS
(併催)
2018-02-28
17:20
沖縄 沖縄県青年会館 FDSOIに適したスタック構造におけるソフトエラー対策手法の提案・評価と微細化による影響の評価
丸岡晴喜山田晃大榎原光則古田 潤小林和淑京都工繊大VLD2017-103
トランジスタサイズの微細化に伴い、ソフトエラーにより集積回路の信頼性が低下している。本稿では65 nm FDSOI プロ... [more] VLD2017-103
pp.85-90
MW, ED
(共催)
2017-01-27
13:25
東京 機械振興会館地下2階1号室 AlGaN/GaN HEMTの電気的特性に対する保護膜残留応力依存性 ~ TCADシミュレーションによる検討 ~
大石敏之佐賀大)・山口裕太郎山中宏治三菱電機ED2016-108 MW2016-184
AlGaN上に形成された窒化膜保護膜(SiN)の残留応力が,GaN HEMTの電気的特性(ドレイン電流,ゲートリーク電流... [more] ED2016-108 MW2016-184
pp.63-68
VLD, DC
(共催)
CPM, ICD, IE
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2016-11-28
14:15
大阪 立命館大学大阪いばらきキャンパス TCADシミュレーションを用いたFDSOIプロセスの耐ソフトエラー回路構造の検討
山田晃大丸岡晴喜梅原成宏古田 潤小林和淑京都工繊大VLD2016-49 DC2016-43
集積回路はムーアの法則に従って微細化してきたが,それに伴いソフトエラーに
よる信頼性の低下が問題となっている.既にソ... [more]
VLD2016-49 DC2016-43
pp.31-36
MW, ED
(共催)
2013-01-18
14:30
東京 機械振興会館 AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流解析
林 一夫大石敏之加茂宣卓山口裕太郎大塚浩志山中宏治中山正敏三菱電機)・宮本恭幸東工大ED2012-125 MW2012-155
AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流について,実測とTCADシミュレーションの両方から解析した.まず,ピンチ... [more] ED2012-125 MW2012-155
pp.69-74
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