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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EE | 2023-01-20 16:05 |
福岡 | 九州工業大学（戸畑キャンパス 附属図書館AVホール） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
13.56MHz直列型LC共振インバータを駆動するパワーMOSFETの挙動 ○新井大輔・大矢根 蒼・米澤 遊・今岡 淳・山本真義（名大）  EE2022-54 |
主スイッチとしてSiC-MOSFETをハーフブリッジ構成で使用し，13.56MHzで動作する直列型LC共振インバータにお... [more] | EE2022-54 pp.157-162 |
| SDM | 2019-11-08 09:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］強誘電体電界効果トランジスタの動的挙動のデバイスシミュレーション ○服部淳一・池上 努・福田浩一・太田裕之・右田真司・浅井栄大（産総研） SDM2019-74 |
ゲート・スタックに有する強誘電体膜の特性を利用する強誘電体電界効果トランジスタについて，その非定常状態における振る舞いを... [more] | SDM2019-74 pp.27-32 |
| SDM | 2019-11-08 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］トレンチゲート型Si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション ○渡辺正裕・執行直之・星井拓也・古川和由・角嶋邦之（東工大）・佐藤克己（三菱電機）・末代知子（東芝デバイス&ストレージ）・更屋拓哉・高倉俊彦・伊藤一夫・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔（東大）・宗田伊里也・若林 整（東工大）・中島 昭（産総研）・西澤伸一（九大）・筒井一生（東工大）・平本俊郎（東大）・大橋弘通・岩井 洋（東工大） SDM2019-77 |
トレンチゲート型シリコンIGBT(insulated gate bipolar transistor)の３次元TCADシ... [more] | SDM2019-77 pp.45-48 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2019-08-07 14:15 |
北海道 | 北海道大学 情報科学院 3F A31 | 二次元チャネルFETの電流電圧特性におけるフリンジ電界効果のTCAD解析 ○浅井栄大・張 文馨・岡田直也・福田浩一・入沢寿史（産総研） SDM2019-37 ICD2019-2 |
遷移金属ダイカルコゲナイド (TMDC)に代表される層状材料を用いた二次元チャネルFET は、究極のスケーリン グを実... [more] |
SDM2019-37 ICD2019-2 pp.7-10 |
| SDM | 2019-01-29 09:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］強誘電体負性容量のマルチドメイン動力学とトランジスタ特性特性への影響 ○太田裕之・池上 努・福田浩一・服部淳一・浅井栄大・遠藤和彦・右田真司（産総研）・鳥海 明（東大） SDM2018-81 |
本研究では，マルチドメイン分極を考慮した強誘電体負性容量トランジスタの動的特性を内製TCADモジュールにより明らかにした... [more] | SDM2018-81 pp.1-4 |
| SDM | 2018-11-09 14:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］強誘電体の負性容量を用いたトランジスタのデバイスシミュレーション ○服部淳一・池上 努・福田浩一・太田裕之・右田真司・浅井栄大（産総研） SDM2018-74 |
ゲート絶縁膜の一つに強誘電体膜を持ち，その負性容量状態を利用する負性容量トランジスタについて，その振る舞いをシミュレーシ... [more] | SDM2018-74 pp.47-52 |
| VLD, HWS (併催) |
2018-02-28 17:20 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | FDSOIに適したスタック構造におけるソフトエラー対策手法の提案・評価と微細化による影響の評価 ○丸岡晴喜・山田晃大・榎原光則・古田 潤・小林和淑（京都工繊大） VLD2017-103 |
トランジスタサイズの微細化に伴い、ソフトエラーにより集積回路の信頼性が低下している。本稿では65 nm FDSOI プロ... [more] | VLD2017-103 pp.85-90 |
| SDM | 2017-02-06 13:35 |
東京 | 東京大学/本郷 | ［招待講演］モノリシック三次元インバータにおける積層トランジスタの電気的結合とその層間絶縁膜厚依存性 ○服部淳一・福田浩一・入沢寿史・太田裕之・前田辰郎（産総研） SDM2016-143 |
モノリシック三次元インバータについて，積み重なったトランジスタの電気的結合が性能に与える影響をTCAD（technolo... [more] | SDM2016-143 pp.23-28 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 13:25 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | AlGaN/GaN HEMTの電気的特性に対する保護膜残留応力依存性 ～ TCADシミュレーションによる検討 ～ ○大石敏之（佐賀大）・山口裕太郎・山中宏治（三菱電機） ED2016-108 MW2016-184 |
AlGaN上に形成された窒化膜保護膜(SiN)の残留応力が，GaN HEMTの電気的特性(ドレイン電流，ゲートリーク電流... [more] | ED2016-108 MW2016-184 pp.63-68 |
| VLD, DC (共催) CPM, ICD, IE (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2016-11-28 14:15 |
大阪 | 立命館大学大阪いばらきキャンパス | TCADシミュレーションを用いたFDSOIプロセスの耐ソフトエラー回路構造の検討 ○山田晃大・丸岡晴喜・梅原成宏・古田 潤・小林和淑（京都工繊大） VLD2016-49 DC2016-43 |
集積回路はムーアの法則に従って微細化してきたが，それに伴いソフトエラーに よる信頼性の低下が問題となっている．既にソ... [more] |
VLD2016-49 DC2016-43 pp.31-36 |
| VLD, DC (共催) CPM, ICD, IE (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2016-11-28 14:40 |
大阪 | 立命館大学大阪いばらきキャンパス | PHITS-TCADシミュレーションによるFinFETとFDSOIのソフトエラー耐性の評価 ○梅原成宏・古田 潤・小林和淑（京都工繊大） VLD2016-50 DC2016-44 |
集積回路の微細化に伴い，ソフトエラーによる信頼性の低下が問題となっている．近年，SOIやFinFETのような従来と異なる... [more] | VLD2016-50 DC2016-44 pp.37-41 |
| MW, ED (共催) |
2015-01-16 11:30 |
東京 | 機械振興会館 | 過渡応答測定とTCADによるGaNHEMTのトラップモデリング ○山口裕太郎・南條拓真・小山英寿・加茂宣卓・山中宏治（三菱電機）・大石敏之（佐賀大） ED2014-129 MW2014-193 |
GaNHEMTのバッファに位置するトラップの物理メカニズムに関して過渡応答測定とTCADシミュレーションを用いて実験と計... [more] | ED2014-129 MW2014-193 pp.71-76 |
| SDM | 2014-11-06 10:05 |
東京 | 機械振興会館 | 非対称ダブル・ゲート横型トンネルFETの解析モデル ○呂 鴻飛・佐藤伸吾・大村泰久（関西大）・アブヒジット マリック（カルカッタ大） SDM2014-96 |
本論文では非対称Double-Gate Tunnel FET(ADG-TFET)の解析ポテンシャルモデルを報告する。チャ... [more] | SDM2014-96 pp.1-6 |
| SDM | 2014-11-06 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］デバイス・シミュレーション ～ 30年間を振り返って ～ ○執行直之（東芝） SDM2014-100 |
TCADは，デバイス開発に必須なツールとなっている．仮想的な試作により，開発期間の短縮やプロセスばらつきに強いロバスト設... [more] | SDM2014-100 pp.25-30 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流解析 ○林 一夫・大石敏之・加茂宣卓・山口裕太郎・大塚浩志・山中宏治・中山正敏（三菱電機）・宮本恭幸（東工大） ED2012-125 MW2012-155 |
AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流について，実測とTCADシミュレーションの両方から解析した．まず，ピンチ... [more] | ED2012-125 MW2012-155 pp.69-74 |
| SDM | 2011-11-10 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］デバイスシミュレーションによるランダムテレグラフノイズの本質的理解 ○東 悠介・百々信幸・百瀬寿代・大黒達也・松澤一也（東芝） SDM2011-118 |
Random Telegraph Noise (RTN)の本質理解に向け、過渡解析および周波数領域解析が可能なRTNデバ... [more] | SDM2011-118 pp.17-20 |
| SDM | 2011-11-11 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］車載用半導体開発におけるTCADシミュレーションの活用状況と今後の課題 ○石間伏 寿・植田賢志・長尾 勝・濱田公守（トヨタ自動車） SDM2011-124 |
近年の自動車には地球環境への対応が求められている。その一つの取組みとして我々は多くのハイ ブリッド車を市場導入している... [more] |
SDM2011-124 pp.51-55 |
| SDM, VLD (共催) |
2007-10-30 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | Ge-pMOSFETにおける正孔輸送特性の歪み依存性解析 ○竹田 裕（NEC）・池澤健夫・河田道人（NEC情報システムズ）・羽根正巳（NEC） VLD2007-58 SDM2007-202 |
高移動度デバイスとして期待の高いGe デバイスの輸送特性の解析を行った．フルバンド・モンテカルロ・デバイスシミュレーショ... [more] | VLD2007-58 SDM2007-202 pp.37-41 |
| SDM, VLD (共催) |
2006-09-26 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | 3次元プロセスデバイスシミュレーションによるBulk-FinFETの駆動電流の改善 ○金村貴永・泉田貴士・青木伸俊・近藤正樹・伊藤早苗・遠田利之・岡野王俊・川崎博久・八木下淳史・金子明生・稲葉 聡・中村光利・石丸一成・須黒恭一・江口和弘（東芝） |
3次元プロセス/デバイスシミュレーションを用いてbulk-FinFETの構造とイオン注入条件の最適化を検討した。チャネル... [more] | VLD2006-43 SDM2006-164 pp.25-29 |
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