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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
VLD, RECONF
(共催)
2025-01-16
09:25
神奈川 キオクシア 横浜テクノロジーキャンパス Flagship棟
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
能動学習とハイパーパラメータの適応的更新を用いたイベント単位で正確なビット反転識別手法
安田隆一高見一総五味唯美京大)・竹内浩造JAXA)・橋本昌宜京大VLD2024-77 RECONF2024-107
ソフトエラーレート(SER)の正確な見積もりには,放射線入射イベント毎にビット反転の有無を高精度に判定する必要があり,T... [more] VLD2024-77 RECONF2024-107
pp.7-12
SDM 2019-11-08
13:30
東京 機械振興会館 [招待講演]トレンチゲート型Si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション
渡辺正裕執行直之星井拓也古川和由角嶋邦之東工大)・佐藤克己三菱電機)・末代知子東芝デバイス&ストレージ)・更屋拓哉高倉俊彦伊藤一夫福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・宗田伊里也若林 整東工大)・中島 昭産総研)・西澤伸一九大)・筒井一生東工大)・平本俊郎東大)・大橋弘通岩井 洋東工大SDM2019-77
トレンチゲート型シリコンIGBT(insulated gate bipolar transistor)の3次元TCADシ... [more] SDM2019-77
pp.45-48
SDM 2019-01-29
09:30
東京 機械振興会館 [招待講演]強誘電体負性容量のマルチドメイン動力学とトランジスタ特性特性への影響
太田裕之池上 努福田浩一服部淳一浅井栄大遠藤和彦右田真司産総研)・鳥海 明東大SDM2018-81
本研究では,マルチドメイン分極を考慮した強誘電体負性容量トランジスタの動的特性を内製TCADモジュールにより明らかにした... [more] SDM2018-81
pp.1-4
VLD, HWS
(併催)
2018-02-28
17:20
沖縄 沖縄県青年会館 FDSOIに適したスタック構造におけるソフトエラー対策手法の提案・評価と微細化による影響の評価
丸岡晴喜山田晃大榎原光則古田 潤小林和淑京都工繊大VLD2017-103
トランジスタサイズの微細化に伴い、ソフトエラーにより集積回路の信頼性が低下している。本稿では65 nm FDSOI プロ... [more] VLD2017-103
pp.85-90
VLD, DC
(共催)
CPM, ICD, IE
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2016-11-28
14:15
大阪 立命館大学大阪いばらきキャンパス TCADシミュレーションを用いたFDSOIプロセスの耐ソフトエラー回路構造の検討
山田晃大丸岡晴喜梅原成宏古田 潤小林和淑京都工繊大VLD2016-49 DC2016-43
集積回路はムーアの法則に従って微細化してきたが,それに伴いソフトエラーに
よる信頼性の低下が問題となっている.既にソ... [more]
VLD2016-49 DC2016-43
pp.31-36
VLD, DC
(共催)
CPM, ICD, IE
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2016-11-28
14:40
大阪 立命館大学大阪いばらきキャンパス PHITS-TCADシミュレーションによるFinFETとFDSOIのソフトエラー耐性の評価
梅原成宏古田 潤小林和淑京都工繊大VLD2016-50 DC2016-44
集積回路の微細化に伴い,ソフトエラーによる信頼性の低下が問題となっている.近年,SOIやFinFETのような従来と異なる... [more] VLD2016-50 DC2016-44
pp.37-41
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