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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-12-01 14:50 |
静岡 | アクトシティ浜松 | 縦型AlGaN系UV-B LDの作製 ○西林到真・近藤涼輔・松原衣里・山田凌矢・井本圭紀・服部光希・岩山 章・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也（名城大）・三宅秀人（三重大）・三好晃平・難波江宏一（ウシオ電機）・山口顕宏（西進商事）  ED2023-33 CPM2023-75 LQE2023-73 |
本研究では、大電流動作に有利で且つ高出力動作が可能な縦型UV-Bレーザーダイオードの作製方法およびその特性について報告す... [more] | ED2023-33 CPM2023-75 LQE2023-73 pp.84-87 |
| RCC, ISEC, IT, WBS (共催) |
2023-03-15 13:50 |
山口 | 山口大学常盤キャンパス （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
RGB-LEDアレイを用いた海中光カメラ通信の平均ビット誤り率解析に関する一検討 ○横尾和音・小澤佑介・羽渕裕真（茨城大）・澤 隆雄（海洋研究開発機構） IT2022-122 ISEC2022-101 WBS2022-119 RCC2022-119 |
近年, 水中・海底観測のための, 大容量な海中無線通信を実現する手法として, 海中可視光通信 (UVLC：Underwa... [more] | IT2022-122 ISEC2022-101 WBS2022-119 RCC2022-119 pp.343-348 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-27 13:40 |
ONLINE | オンライン開催 | AlGaN系UV-B LDにおける導波路層の構造検討 ○田中隼也（名城大）・佐藤恒輔（旭化成）・安江信次・荻野雄矢・山田和輝・石塚彩花・大森智也・手良村昌平・岩山 章（名城大）・三宅秀人（三重大）・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤﨑 勇（名城大） ED2020-20 CPM2020-41 LQE2020-71 |
本グループでは昨年度、UV-B領域の電流注入型半導体レーザの実現を報告した。今後、低閾値電流密度化が最重要課題となってい... [more] | ED2020-20 CPM2020-41 LQE2020-71 pp.75-78 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 14:35 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | AlGaNをを量子井戸に用いた電子線励起レーザ ○櫻木勇介・安江信次・手良村昌平・荻野雄矢・田中隼也・岩山 章・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也・赤崎 勇（名城大）・三宅秀人（三重大） ED2019-43 CPM2019-62 LQE2019-86 |
これまで活性層にAlGaNを用いた電子線励起レーザは報告されていないAlGaN井戸層を使用してレーザ構造を作製し、我々は... [more] | ED2019-43 CPM2019-62 LQE2019-86 pp.45-48 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-22 13:25 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | UV-B領域AlGaN発光層の光学利得と内部ロスの転位密度依存性 ○田中隼也・川瀬雄太（名城大）・佐藤恒輔（旭化成/名城大）・安江信次・手良村昌平・荻野雄矢（名城大）・岩山 章（名城大/三重大）・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大）・三宅秀人（三重大） ED2019-55 CPM2019-74 LQE2019-98 |
AlGaN系UV-B光励起レーザの転位密度における閾値励起パワー密度と光学利得、内部ロスの依存性を調査した。転位密度の低... [more] | ED2019-55 CPM2019-74 LQE2019-98 pp.93-96 |
| LQE, LSJ (共催) |
2018-05-24 13:35 |
福井 | 芦原温泉清風荘 | コンパクトな高平均出力パルスレーザーの開発 ○東口武史・山内 駿・篠崎夏美・小倉拓人・庄司美咲・川崎太夢（宇都宮大）・坂上和之（早大）・三浦泰祐（HiLASE Centre） LQE2018-10 |
本研究ではバイオ関係の研究に展開するためのコンパクトな高平均出力レーザーの開発状況について述べる．ここでは，近赤外領域で... [more] | LQE2018-10 pp.1-4 |
| EST, OPE, LQE, EMT, PN, MWP (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2015-01-29 09:25 |
大阪 | 大阪大学 豊中キャンパスΣホール | UV光直接描画法を用いたPMMA平面光導波路作製における2段階照射による深さ方向の屈折率分布制御 ○滝沢晃宏・堀内礼子・塙 雅典（山梨大） PN2014-28 OPE2014-153 LQE2014-140 EST2014-82 MWP2014-50 |
PMMA(Poly-Methyl Methacrylate)は紫外(UV)光照射によって試料表面層に屈折率上昇が生じる．... [more] | PN2014-28 OPE2014-153 LQE2014-140 EST2014-82 MWP2014-50 pp.5-10 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 11:25 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | 350nm紫外LED光取り出し効率改善に関する研究 ○中嶋 翼・竹田健一郎・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也・赤﨑 勇（名城大）・天野 浩（名大） ED2013-66 CPM2013-125 LQE2013-101 |
我々はITO/Al反射電極、レーザリフトオフ、シリコーン封止を組み合わせることで350nm紫外LED光取り出し効率改善を... [more] | ED2013-66 CPM2013-125 LQE2013-101 pp.11-16 |
| OPE, LQE (共催) EMD, CPM, OME (共催) (併催) [詳細] |
2012-06-22 15:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］紫外光レーザーと深紫外発光素子 ○青柳克信（立命館大） |
ヘテロ構造を持った非線形フォトニック結晶の概念を説明し、それによる高効率第二高調波紫外レーザー発生法について述べる。さら... [more] | |
| OME | 2009-03-13 15:00 |
宮城 | 東北大（多元研大会議室） | 樹脂製アウトレットロッド付チップ光デバイス ○神田昌宏・小川知訓・三上 修（東海大） OME2008-105 |
高効率かつメンテナンス性のよい光インターコネクション実現のため，新しいチップ光デバイスを紹介する．一例として，光出射スポ... [more] | OME2008-105 pp.23-26 |
| SDM | 2008-12-05 15:30 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | 紫外線プラズマ照射によるSiO2/Si界面及びSi中の電気的特性変化 ○滝内 芽・鮫島俊之（東京農工大） SDM2008-193 |
プラズマ及び紫外線レーザ照射後のMOS試料の電気特性の変化について報告する。P型シリコン基板に100nmの熱酸化膜を形成... [more] | SDM2008-193 pp.49-54 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 11:20 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 深紫外・紫外域半導体発光デバイスのためのAlNテンプレートの高品質化 ○武田智仁・安斉秀晃・川西英雄（工学院大） ED2008-156 CPM2008-105 LQE2008-100 |
AlN、GaN及びそれらの混晶半導体であるAlGaNなどの窒化物半導体では、基板との格子整合がとれていないことから、基板... [more] | ED2008-156 CPM2008-105 LQE2008-100 pp.21-24 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 17:15 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 230nm帯AlGaN紫外LEDの高出力化 ○野口憲路（理研/埼玉大/JST）・平山秀樹（理研/JST）・乗松 潤（理研/埼玉大/JST）・鎌田憲彦（埼玉大/JST） ED2008-167 CPM2008-116 LQE2008-111 |
波長210nm～350nm帯の紫外LED・LDは様々な研究グループで開発が進められている。しかし発光効率は低く、特に25... [more] | ED2008-167 CPM2008-116 LQE2008-111 pp.71-76 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 17:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | ELO-AINテンプレート上に作製した270nm帯ALGaN紫外LED ○乗松 潤・平山秀樹・藤川紗千恵・野口憲路（理研/埼玉大/JST）・高野隆好（理研/パナソニック電工）・椿 健治（理研/埼玉大/JST）・鎌田憲彦（埼玉大/JST） ED2008-168 CPM2008-117 LQE2008-112 |
波長250-280nm帯の紫外LED・LDは今後殺菌用途応用への展開が予測され、その高効率・高出力化が大変期待されている... [more] | ED2008-168 CPM2008-117 LQE2008-112 pp.77-82 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 09:00 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 280nm帯InAlGaN高出力紫外LED ○平山秀樹・藤川紗千恵（理研/埼玉大/JST）・高野隆好・椿 健治（松下電工） ED2008-169 CPM2008-118 LQE2008-113 |
波長250-280nm帯の紫外LED・LDは殺菌用途への展開が予測され、高効率・高出力化が期待されている。Inを数%程度... [more] | ED2008-169 CPM2008-118 LQE2008-113 pp.83-88 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-11 11:25 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | UV/可視ラマン分光法によるレーザー結晶化ポリシリコン薄膜の応力・結晶性の評価 ○掛村康人・小瀬村大亮・小椋厚志（明大）・野口 隆（琉球大） SDM2008-6 OME2008-6 |
低温ポリシリコン（LTPS）薄膜はシステムオングラス実現のためのキーマテリアルである。我々は、高精度・高空間分解能をもつ... [more] | SDM2008-6 OME2008-6 pp.27-32 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-11 17:10 |
福井 | 福井大学 | AlGaN多重量子井戸型半導体レーザの深紫外発振と光学異方特性 ○川西英雄・新倉栄一郎（工学院大） ED2007-163 CPM2007-89 LQE2007-64 |
AlGaN窒化物半導体は、紫外から深紫外域で発光する光デバイス実現に適合するワイドギャップ半導体である。このAlGaN半... [more] | ED2007-163 CPM2007-89 LQE2007-64 pp.39-42 |
| LQE | 2006-06-02 14:20 |
福井 | 福井大学 | 産業用高出力全固体UVレーザの開発 ○桂 智毅・小島哲夫・黒澤満樹・西前順一（三菱電機） |
電子機器の小型・高機能化を支える高密度プリント配線基板や各種電子材料の微細加工ツールとしてレーザの適用が進んでいる．この... [more] | LQE2006-10 pp.45-47 |
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