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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OME, IEE-DEI (連催) |
2021-03-01 14:10 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | 赤外分光法を用いたPbI2およびペロブスカイト膜中の残留溶媒の評価 ○大川大貴・清家善之・森 竜雄（愛知工大）  OME2020-20 |
溶液法によるペロブスカイト膜の成膜には、すべての材料を混ぜた溶液を用いて成膜する1ステップ法と、前駆体膜とペロブスカイト... [more] | OME2020-20 pp.4-7 |
| US | 2020-11-05 15:45 |
愛知 | 愛知工業大学 八草キャンパス (愛知県) | AlNとScAlNにおける非線形性に起因するDCバイアス時の周波数シフトおよび格子ひずみの比較 ○五月女 巧・柳谷隆彦（早大） US2020-49 |
移動体通信では大電力化していく傾向にあり、BAWフィルタへの大電力信号の投入は、二次高調波 (H2) 発生 (Secon... [more] | US2020-49 pp.34-39 |
| SDM | 2016-06-29 10:00 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 (東京都) | ［依頼講演］強誘電体HfSiOキャパシタにおける形成プロセスと膜物性・電気特性の関係 ○上牟田雄一・藤井章輔・高石理一郎・井野恒洋・中崎 靖・齋藤真澄・小山正人（東芝） SDM2016-32 |
TiN/HfSiO/TiN構造の膜物性および電気特性について上部TiN電極プロセスおよび結晶化アニール温度との関係を調べ... [more] | SDM2016-32 pp.1-4 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-28 10:50 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 (愛知県, 愛知県) | GaInN/GaNヘテロ接合における緩和過程の転位密度依存性 ○石原耕史・近藤保成・松原大幸・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大） ED2014-18 CPM2014-1 SDM2014-16 |
GaInN/GaNヘテロ接合はLEDや半導体レーザ、さらには太陽電池など幅広い応用が可能である。これまで本ヘテロ接合の緩... [more] | ED2014-18 CPM2014-1 SDM2014-16 pp.1-6 |
| R | 2011-05-13 14:35 |
高知 | 高知市文化プラザ「かるぽーと」 (高知県) | XRDを用いたカーボンナノチューブ構造体の結晶構造解析法 ○古田 寛（高知工科大） R2011-10 |
カーボンナノチューブ構造体は、その高い電流密度耐性、熱伝導性などにより、LSIビア配線をはじめとする電気材料として注目さ... [more] | R2011-10 pp.13-17 |
| SDM | 2010-10-21 17:40 |
宮城 | 東北大学 (宮城県) | 薄膜アモルファスシリコンの低温結晶化 ○岩鍜治陽子・広田 潤・矢吹 宗・石田浩一・金子和香奈・水島一郎・赤堀浩史（東芝） SDM2010-158 |
センサー、太陽電池、液晶など様々な製品にポリシリコンが多用されている。近年、それらデバイスに対し薄膜ポリシリコン層を用い... [more] | SDM2010-158 pp.31-34 |
| SDM | 2010-10-22 16:20 |
宮城 | 東北大学 (宮城県) | 原子スケールで平坦なSiO2/Si酸化膜界面歪の評価 ○服部真季（明大）・小瀬村大亮（明大/学振）・武井宗久・永田晃基・赤松弘彬・富田基裕・水上雄輝・橋口裕樹・山口拓也・小椋厚志（明大）・諏訪智之・寺本章伸・服部健雄・大見忠弘（東北大）・小金澤智之（高輝度光科学研究センター） SDM2010-170 |
原子スケールで平坦なSiO2/Si界面の構造や歪の状態を明らかにするために、ラマン分光法およびin-plane X線回折... [more] | SDM2010-170 pp.71-75 |
| ITE-MMS, MRIS (連催) |
2010-07-08 14:30 |
茨城 | 茨城大学 (茨城県) | ［招待講演］垂直磁気記録媒体のための擬似六方晶薄膜の開発 ○斉藤 伸・高橋 研（東北大） MR2010-15 |
実験室設置規模のX線回折装置により擬似六方晶薄膜中の積層欠陥の定量評価法を提案した．擬似六方晶構造とは(111)面配向面... [more] | MR2010-15 pp.17-24 |
| OME | 2009-01-21 10:25 |
愛知 | 名古屋大学 (愛知県) | 有機機能性薄膜のUV/Visスペクトルのピーク分離による形態と配向及び配列の評価 ○落合鎮康・小嶋憲三・水谷照吉（愛知工大） OME2008-83 |
分子構造の異なるVOPcとCuPcに注目し、基板に、金属基板の中でも酸化し難く、安定なAu (111)基板を用いた。これ... [more] | OME2008-83 pp.7-12 |
| SCE | 2008-07-24 13:00 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | 有機金属分解(MOD)法によるBi-2212/MgO薄膜の作製 渡邉省司・濱中公志・立木 隆・○内田貴司（防衛大） SCE2008-15 |
我々は、テラヘルツ帯で動作する発振器・検出器デバイスへの応用を目指し、MgO基板上へのBi2Sr2CaCu2O8+x（B... [more] | SCE2008-15 pp.1-6 |
| ED | 2008-03-06 16:20 |
山形 | 伝国の杜（米沢） (山形県) | 高分子系有機薄膜トランジスタの熱処理効果 ○松島 優・小岩恭祐・テイ ヘンシン・鈴木貴彦（山形大）・廣瀬文彦（山形大/JST）・木村康男・庭野道夫・板谷謹悟（東北大/JST） ED2007-257 |
有機電界効果トランジスタ(有機FET)の大電流化を目的に、ポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)膜への熱処理の効果を... [more] | ED2007-257 pp.27-32 |
| CPM | 2007-08-09 13:40 |
山形 | 山形大学 (山形県) | P3HT有機電界効果トランジスタの有機絶縁膜界面の化学修飾効果 ○小岩恭祐・松島 優・テイ ヘンシン（山形大）・廣瀬文彦（山形大/JST）・木村康男・庭野道夫・板谷謹悟（東北大/JST） CPM2007-37 |
ポリチオフェンなどのポリマー系有機半導体は塗布で形成可能であり、形成のために高価真空装置が不要であり、大気酸化に強いなど... [more] | CPM2007-37 pp.5-8 |
| CPM | 2007-08-09 14:05 |
山形 | 山形大学 (山形県) | 高分子系有機トランジスタの有機半導体層の熱処理効果 ○松島 優・小岩恭祐・テイ ヘンシン（山形大）・廣瀬文彦（山形大/JST）・木村康男・庭野道夫・板谷謹悟（東北大/JST） CPM2007-38 |
有機電界効果トランジスタ(有機FET)の大電流化を目的に、ポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)膜への熱処理の効果を... [more] | CPM2007-38 pp.9-13 |
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