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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
OME 2024-02-22
16:20
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[依頼講演]ナフタレンジイミド誘導体の蒸着膜形成
臼井博明倉富 駿泉 拓矢帯刀陽子東京農工大)・臼井 聡新潟大OME2023-92
スチリル基及びビニルスチリル基を持つナフタレンジイミドの真空蒸着膜を形成し,置換基と膜の表面形態,結晶性及び電気的特性の... [more] OME2023-92
pp.30-35
ED, MW
(共催)
2024-01-25
15:30
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
EID AlGaN/GaN MOS-HEMTにおけるAl2O3ゲート酸化膜直下の電子状態解析
南條拓真清井 明今澤貴史古橋壮之西川和康三菱電機)・江川孝志名工大ED2023-68 MW2023-160
ノーマリオフ動作するプレーナ型のExtrinsically Electron Induced by Dielectric... [more] ED2023-68 MW2023-160
pp.11-14
OME 2023-11-01
15:45
兵庫 じばさんびる 502会議室(姫路) 電解式酸素ポンプによるバリアフィルムの酸素透過率の評価
金藤敬一宇戸禎仁阪工大OME2023-48
食品、医薬品、美術工芸品や電子デバイスなどの劣化防止にバリア(ポリマー)フィルムが使われている。バリアフィルムの酸素透過... [more] OME2023-48
pp.27-32
CPM 2022-03-01
13:30
ONLINE オンライン開催 室温原子層堆積法を用いた水蒸気ガスバリア膜の試作と評価
吉田一樹齋藤健太郎三浦正範鹿又健作廣瀬文彦山形大CPM2021-73
室温原子層堆積法を用いて作成した水蒸気ガスバリア膜について発表する。水蒸気ガスバリア膜は有機エレクトロニクスデバイスの劣... [more] CPM2021-73
pp.7-10
SDM 2022-02-04
09:05
ONLINE オンライン開催 [招待講演]タイムラグ法を用いた極薄PVD-Co(W)薄膜の定量的バリア性評価
百瀬 健金 泰雄鄧 玉斌出浦桃子東大)・松尾 明山口述夫キヤノンアネルバ)・霜垣幸浩東大SDM2021-74
半導体集積回路のCu配線における極薄バリアの開発には,バリア性を定量的かつ簡潔に評価する手法が不可欠である。そのため我々... [more] SDM2021-74
pp.1-4
SDM 2021-02-05
13:45
ONLINE オンライン開催 Co-Zr合金の単層バリア材料としての特性
山田裕貴矢作政隆小池淳一東北大SDM2020-56
本研究の目的は,Cu配線を圧迫する厚い二重構造のTaライナーとTaNバリアを,熱的に安定なアモルファス構造で,ライナーと... [more] SDM2020-56
pp.7-10
CPM 2020-10-29
14:00
ONLINE オンライン開催 極薄バリヤ上のCu(111)配向メカニズム
武山真弓北見工大)・安田光伸東レリサーチセンター)・佐藤 勝北見工大CPM2020-14
Si-LSIにおけるCu配線あるいは3次元LSIにおけるTSVなどの配線は、高い信頼性を持つ配線を形成するためにエレクト... [more] CPM2020-14
pp.11-14
CPM 2019-02-28
16:20
東京 電通大 窒化ジルコニウム薄膜を用いた金属-絶縁-金属構造における電気伝導特性
北田秀樹佐藤 勝武山真弓北見工大CPM2018-111
不揮発性メモリへ用いられる抵抗変化型メモリは, 2端子回路において多値機能と迷走電流を防止する整流機能が必要である.窒化... [more] CPM2018-111
pp.45-48
CPM, IEE-MAG
(連催)
2018-11-01
15:15
新潟 まちなかキャンパス長岡 極薄バリヤ上のCu(111)配向制御
武山真弓佐藤 勝北見工大CPM2018-46
Si-LSIにおいて、最もエレクトロマイグレーション耐性に優れるCu(111)を高配向成長させるための下地材料として、T... [more] CPM2018-46
pp.25-28
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-12
15:45
京都 京大桂キャンパス プレーナ型GaN MOS-HFETのノーマリオフ動作
南條拓真林田哲郎小山英寿今井章文古川彰彦山向幹雄三菱電機ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79
GaNは高周波素子だけではなく,高出力スイッチング素子に用いる半導体材料として近年注目を集めている.高出力スイッチング素... [more] ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79
pp.31-34
OME 2016-10-28
13:00
東京 機械振興会館 [招待講演]有機薄膜トランジスタにおけるコンタクト修飾効果のデバイスシミュレーション解析
野田 啓長浜陽生山本 亮和田恭雄慶大)・鳥谷部 達東洋大OME2016-38
有機薄膜トランジスタ(OTFT)におけるコンタクトドーピングやコンタクト電極表面の化学修飾に着目した,デバイス作製評価と... [more] OME2016-38
pp.1-4
CPM 2015-08-11
09:40
青森 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 ラジカル反応を用いたHfNx膜の低温作製
佐藤 勝武山真弓野矢 厚北見工大CPM2015-40
Cuを用いたシリコン貫通ビアに適用可能な拡散バリヤとして、スパッタにホットワイヤによるラジカル反応を組み合わせた手法を用... [more] CPM2015-40
pp.47-50
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-28
16:05
愛知 豊橋技科大VBL棟 高移動度β-Ga2O3(-201)単結晶を用いたショットキーバリアダイオードの作製
古賀優太原田和也花田賢志大石敏之嘉数 誠佐賀大ED2015-22 CPM2015-7 SDM2015-24
高電子移動度を有するEFG法で成長したβ―Ga2O3(2 ̅01)面方位の単結晶を用いた高性能ショットキーバリ... [more] ED2015-22 CPM2015-7 SDM2015-24
pp.31-34
CPM 2013-08-02
10:55
北海道 釧路生涯学習センターまなぼっと幣舞 シリコン貫通ビアに適用可能なナノ結晶組織を有するHfNx膜のバリヤ特性
佐藤 勝武山真弓北見工大)・青柳英二東北大)・野矢 厚北見工大CPM2013-51
高性能な3次元LSIを実現するためには、シリコン貫通ビア配線(TSV)が重要な要素技術となる。我々は、TSVに適用できる... [more] CPM2013-51
pp.63-68
CPM 2013-08-02
11:15
北海道 釧路生涯学習センターまなぼっと幣舞 Cu/SiコンタクトにおけるTaWN3元合金膜のバリヤ特性
武山真弓佐藤 勝野矢 厚北見工大CPM2013-52
Si-LSIの分野においては、高い信頼性のCu配線を実現するために、高い熱的安定性と構造安定性を持つバリヤ材料が求められ... [more] CPM2013-52
pp.69-72
CPM 2012-08-09
09:25
山形 山形大学工学部100周年記念会館セミナー室 反応性スパッタによるZrNxナノ結晶バリヤ膜の形成過程
佐藤 勝武山真弓北見工大)・青柳英二東北大)・野矢 厚北見工大CPM2012-44
Cu多層配線は微細化に伴い、数nmオーダーの膜厚の拡散バリヤ膜が要請され、かつ優れたバリヤ性を実現する必要がある。我々は... [more] CPM2012-44
pp.45-49
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-29
09:15
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]New widegap semiconductor Ga2O3 MESFETs and Schottky barrier diodes
Masataka HigashiwakiNICT/JST)・Kohei SasakiTamura Corp./NICT)・Akito KuramataTamura Corp.)・Takekazu MasuiKoha Co., Ltd.)・Shigenobu YamakoshiTamura Corp.
 [more]
SDM 2012-06-21
16:35
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案
田村雄太吉原 亮角嶋邦之パールハット アヘメト片岡好則西山 彰杉井信之筒井一生名取研二服部健雄岩井 洋東工大SDM2012-59
本研究ではシリサイド形成時の界面制御方法としてNi/Si積層構造を提案する。Ni/Si積層構造によって形成した積層$Ni... [more] SDM2012-59
pp.87-92
SDM 2012-03-05
13:30
東京 機械振興会館 ALD/CVDによる次世代Cu配線用単層バリヤ/ライナーCo(W)膜
清水秀治大陽日酸/東大)・嶋 紘平百瀬 健東大)・小林芳彦大陽日酸)・霜垣幸浩東大SDM2011-180
ULSIの微細化に伴う配線抵抗の増大を抑えるため、新たな材料が必要とされている。特に、Cu配線の側壁に形成されるバリヤ/... [more] SDM2011-180
pp.25-29
SDM 2011-02-07
15:25
東京 機械振興会館 3次元積層技術における低温バンプレスTSVプロセス
北田秀樹前田展秀東大)・藤本興治大日本印刷)・水島賢子中田義弘中村友二富士通研)・大場隆之東大SDM2010-224
低温プラズマCVDを用いたCu貫通ビア(TSV)製造のCu拡散の挙動を評価した。成膜温度が150℃の低温-PECVD法で... [more] SDM2010-224
pp.49-53
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