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研究会
発表日時
開催地
タイトル・著者
抄録
資料番号
OME
2024-02-22
16:20
東京
機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[依頼講演]ナフタレンジイミド誘導体の蒸着膜形成
○
臼井博明
・
倉富 駿
・
泉 拓矢
・
帯刀陽子
(
東京農工大
)・
臼井 聡
(
新潟大
)
OME2023-92
スチリル基及びビニルスチリル基を持つナフタレンジイミドの真空蒸着膜を形成し,置換基と膜の表面形態,結晶性及び電気的特性の...
[more]
OME2023-92
pp.30-35
ED
,
MW
(共催)
2024-01-25
15:30
東京
機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
EID AlGaN/GaN MOS-HEMTにおけるAl2O3ゲート酸化膜直下の電子状態解析
○
南條拓真
・
清井 明
・
今澤貴史
・
古橋壮之
・
西川和康
(
三菱電機
)・
江川孝志
(
名工大
)
ED2023-68 MW2023-160
ノーマリオフ動作するプレーナ型のExtrinsically Electron Induced by Dielectric...
[more]
ED2023-68
MW2023-160
pp.11-14
OME
2023-11-01
15:45
兵庫
じばさんびる 502会議室(姫路)
電解式酸素ポンプによるバリアフィルムの酸素透過率の評価
○
金藤敬一
・
宇戸禎仁
(
阪工大
)
OME2023-48
食品、医薬品、美術工芸品や電子デバイスなどの劣化防止にバリア(ポリマー)フィルムが使われている。バリアフィルムの酸素透過...
[more]
OME2023-48
pp.27-32
CPM
2022-03-01
13:30
ONLINE
オンライン開催
室温原子層堆積法を用いた水蒸気ガスバリア膜の試作と評価
○
吉田一樹
・
齋藤健太郎
・
三浦正範
・
鹿又健作
・
廣瀬文彦
(
山形大
)
CPM2021-73
室温原子層堆積法を用いて作成した水蒸気ガスバリア膜について発表する。水蒸気ガスバリア膜は有機エレクトロニクスデバイスの劣...
[more]
CPM2021-73
pp.7-10
SDM
2022-02-04
09:05
ONLINE
オンライン開催
[招待講演]タイムラグ法を用いた極薄PVD-Co(W)薄膜の定量的バリア性評価
○
百瀬 健
・
金 泰雄
・
鄧 玉斌
・
出浦桃子
(
東大
)・
松尾 明
・
山口述夫
(
キヤノンアネルバ
)・
霜垣幸浩
(
東大
)
SDM2021-74
半導体集積回路のCu配線における極薄バリアの開発には,バリア性を定量的かつ簡潔に評価する手法が不可欠である。そのため我々...
[more]
SDM2021-74
pp.1-4
SDM
2021-02-05
13:45
ONLINE
オンライン開催
Co-Zr合金の単層バリア材料としての特性
○
山田裕貴
・
矢作政隆
・
小池淳一
(
東北大
)
SDM2020-56
本研究の目的は,Cu配線を圧迫する厚い二重構造のTaライナーとTaNバリアを,熱的に安定なアモルファス構造で,ライナーと...
[more]
SDM2020-56
pp.7-10
CPM
2020-10-29
14:00
ONLINE
オンライン開催
極薄バリヤ上のCu(111)配向メカニズム
○
武山真弓
(
北見工大
)・
安田光伸
(
東レリサーチセンター
)・
佐藤 勝
(
北見工大
)
CPM2020-14
Si-LSIにおけるCu配線あるいは3次元LSIにおけるTSVなどの配線は、高い信頼性を持つ配線を形成するためにエレクト...
[more]
CPM2020-14
pp.11-14
CPM
2019-02-28
16:20
東京
電通大
窒化ジルコニウム薄膜を用いた金属-絶縁-金属構造における電気伝導特性
○
北田秀樹
・
佐藤 勝
・
武山真弓
(
北見工大
)
CPM2018-111
不揮発性メモリへ用いられる抵抗変化型メモリは, 2端子回路において多値機能と迷走電流を防止する整流機能が必要である.窒化...
[more]
CPM2018-111
pp.45-48
CPM
,
IEE-MAG
(連催)
2018-11-01
15:15
新潟
まちなかキャンパス長岡
極薄バリヤ上のCu(111)配向制御
○
武山真弓
・
佐藤 勝
(
北見工大
)
CPM2018-46
Si-LSIにおいて、最もエレクトロマイグレーション耐性に優れるCu(111)を高配向成長させるための下地材料として、T...
[more]
CPM2018-46
pp.25-28
CPM
,
LQE
,
ED
(共催)
2016-12-12
15:45
京都
京大桂キャンパス
プレーナ型GaN MOS-HFETのノーマリオフ動作
○
南條拓真
・
林田哲郎
・
小山英寿
・
今井章文
・
古川彰彦
・
山向幹雄
(
三菱電機
)
ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79
GaNは高周波素子だけではなく,高出力スイッチング素子に用いる半導体材料として近年注目を集めている.高出力スイッチング素...
[more]
ED2016-63
CPM2016-96
LQE2016-79
pp.31-34
OME
2016-10-28
13:00
東京
機械振興会館
[招待講演]有機薄膜トランジスタにおけるコンタクト修飾効果のデバイスシミュレーション解析
○
野田 啓
・
長浜陽生
・
山本 亮
・
和田恭雄
(
慶大
)・
鳥谷部 達
(
東洋大
)
OME2016-38
有機薄膜トランジスタ(OTFT)におけるコンタクトドーピングやコンタクト電極表面の化学修飾に着目した,デバイス作製評価と...
[more]
OME2016-38
pp.1-4
CPM
2015-08-11
09:40
青森
弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟
ラジカル反応を用いたHfNx膜の低温作製
○
佐藤 勝
・
武山真弓
・
野矢 厚
(
北見工大
)
CPM2015-40
Cuを用いたシリコン貫通ビアに適用可能な拡散バリヤとして、スパッタにホットワイヤによるラジカル反応を組み合わせた手法を用...
[more]
CPM2015-40
pp.47-50
ED
,
CPM
,
SDM
(共催)
2015-05-28
16:05
愛知
豊橋技科大VBL棟
高移動度β-Ga2O3(-201)単結晶を用いたショットキーバリアダイオードの作製
○
古賀優太
・
原田和也
・
花田賢志
・
大石敏之
・
嘉数 誠
(
佐賀大
)
ED2015-22 CPM2015-7 SDM2015-24
高電子移動度を有するEFG法で成長したβ―Ga2O3(2 ̅01)面方位の単結晶を用いた高性能ショットキーバリ...
[more]
ED2015-22
CPM2015-7
SDM2015-24
pp.31-34
CPM
2013-08-02
10:55
北海道
釧路生涯学習センターまなぼっと幣舞
シリコン貫通ビアに適用可能なナノ結晶組織を有するHfNx膜のバリヤ特性
○
佐藤 勝
・
武山真弓
(
北見工大
)・
青柳英二
(
東北大
)・
野矢 厚
(
北見工大
)
CPM2013-51
高性能な3次元LSIを実現するためには、シリコン貫通ビア配線(TSV)が重要な要素技術となる。我々は、TSVに適用できる...
[more]
CPM2013-51
pp.63-68
CPM
2013-08-02
11:15
北海道
釧路生涯学習センターまなぼっと幣舞
Cu/SiコンタクトにおけるTaWN3元合金膜のバリヤ特性
○
武山真弓
・
佐藤 勝
・
野矢 厚
(
北見工大
)
CPM2013-52
Si-LSIの分野においては、高い信頼性のCu配線を実現するために、高い熱的安定性と構造安定性を持つバリヤ材料が求められ...
[more]
CPM2013-52
pp.69-72
CPM
2012-08-09
09:25
山形
山形大学工学部100周年記念会館セミナー室
反応性スパッタによるZrNxナノ結晶バリヤ膜の形成過程
○
佐藤 勝
・
武山真弓
(
北見工大
)・
青柳英二
(
東北大
)・
野矢 厚
(
北見工大
)
CPM2012-44
Cu多層配線は微細化に伴い、数nmオーダーの膜厚の拡散バリヤ膜が要請され、かつ優れたバリヤ性を実現する必要がある。我々は...
[more]
CPM2012-44
pp.45-49
SDM
,
ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-29
09:15
沖縄
沖縄県青年会館
[招待講演]New widegap semiconductor Ga2O3 MESFETs and Schottky barrier diodes
○
Masataka Higashiwaki
(
NICT/JST
)・
Kohei Sasaki
(
Tamura Corp./NICT
)・
Akito Kuramata
(
Tamura Corp.
)・
Takekazu Masui
(
Koha Co., Ltd.
)・
Shigenobu Yamakoshi
(
Tamura Corp.
)
[more]
SDM
2012-06-21
16:35
愛知
名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー)
微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案
○
田村雄太
・
吉原 亮
・
角嶋邦之
・
パールハット アヘメト
・
片岡好則
・
西山 彰
・
杉井信之
・
筒井一生
・
名取研二
・
服部健雄
・
岩井 洋
(
東工大
)
SDM2012-59
本研究ではシリサイド形成時の界面制御方法としてNi/Si積層構造を提案する。Ni/Si積層構造によって形成した積層$Ni...
[more]
SDM2012-59
pp.87-92
SDM
2012-03-05
13:30
東京
機械振興会館
ALD/CVDによる次世代Cu配線用単層バリヤ/ライナーCo(W)膜
○
清水秀治
(
大陽日酸/東大
)・
嶋 紘平
・
百瀬 健
(
東大
)・
小林芳彦
(
大陽日酸
)・
霜垣幸浩
(
東大
)
SDM2011-180
ULSIの微細化に伴う配線抵抗の増大を抑えるため、新たな材料が必要とされている。特に、Cu配線の側壁に形成されるバリヤ/...
[more]
SDM2011-180
pp.25-29
SDM
2011-02-07
15:25
東京
機械振興会館
3次元積層技術における低温バンプレスTSVプロセス
○
北田秀樹
・
前田展秀
(
東大
)・
藤本興治
(
大日本印刷
)・
水島賢子
・
中田義弘
・
中村友二
(
富士通研
)・
大場隆之
(
東大
)
SDM2010-224
低温プラズマCVDを用いたCu貫通ビア(TSV)製造のCu拡散の挙動を評価した。成膜温度が150℃の低温-PECVD法で...
[more]
SDM2010-224
pp.49-53
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