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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2021-11-12 14:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］高感度ひずみセンサー用のダンベル型グラフェンナノリボンのショットキーエネルギー障壁のひずみ誘起変化に関する理論的研究 ○張 秦強・鈴木 研・三浦英生（東北大）  SDM2021-64 |
提案されたダンベル型のグラフェンナノリボン(DS-GNR)構造における電子特性のひずみ誘起変化 は，第一原理計算を使用し... [more] | SDM2021-64 pp.60-65 |
| SDM | 2019-10-24 10:50 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Low temperature formation of PdErSi/Si(100) for Schottky barrier source and drain MOSFET applications ○Rengie Mark D. Mailig・Yuichiro Aruga・Min Gee Kim・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech） SDM2019-61 |
In this report, the effects of the TiN encapsulating layer o... [more] | SDM2019-61 pp.39-43 |
| CPM | 2019-02-28 16:20 |
東京 | 電通大 | 窒化ジルコニウム薄膜を用いた金属-絶縁-金属構造における電気伝導特性 ○北田秀樹・佐藤 勝・武山真弓（北見工大） CPM2018-111 |
不揮発性メモリへ用いられる抵抗変化型メモリは, 2端子回路において多値機能と迷走電流を防止する整流機能が必要である．窒化... [more] | CPM2018-111 pp.45-48 |
| SDM | 2018-10-18 10:50 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Schottky barrier height reduction of Pd2Si/Si(100) diodes by dopant segregation process ○Rengie Mark D. Mailig・Min Gee Kim・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.） SDM2018-59 |
In this paper, the reduction of the Schottky barrier height ... [more] | SDM2018-59 pp.35-40 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-26 16:15 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | ［依頼講演］金属／GaNショットキー接触の評価 ～ 黎明期からの振り返り ～ ○塩島謙次（福井大） ED2016-101 MW2016-177 |
本講演では我々の研究機関で得られた金属／GaNショットキー接触に関する知見を黎明期から振り返り、GaN電子デバイス開発の... [more] | ED2016-101 MW2016-177 pp.23-28 |
| WIT | 2016-03-05 11:00 |
茨城 | 筑波技術大学春日キャンパス（つくば） | 車いすユーザの外出時におけるバリア解消を目的とした飲食店検索システムの開発と評価 ○加藤亜由・相馬祥子・渡辺隆行（東京女子大） WIT2015-101 |
車いすユーザが必要とする情報を検索しやすいシステムを開発し，その有効性を検証した．まず，車いすユーザにアンケート調査を行... [more] | WIT2015-101 pp.71-76 |
| SDM | 2015-06-19 14:35 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御 ○鈴木陽洋・柴山茂久・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2015-49 |
GeチャネルCMOSの実現に向けて、金属/Geコンタクト抵抗の低減は必要不可欠である。しかしながら、金属/n-Ge界面の... [more] | SDM2015-49 pp.57-61 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 16:05 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 高移動度β-Ga2O3(-201)単結晶を用いたショットキーバリアダイオードの作製 ○古賀優太・原田和也・花田賢志・大石敏之・嘉数 誠（佐賀大） ED2015-22 CPM2015-7 SDM2015-24 |
高電子移動度を有するEFG法で成長したβ―Ga2O3(2 ̅01)面方位の単結晶を用いた高性能ショットキーバリ... [more] | ED2015-22 CPM2015-7 SDM2015-24 pp.31-34 |
| SDM | 2015-03-02 11:35 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］エピタキシャル金属/ゲルマニウム接合の形成による界面電気伝導特性の制御 ○中塚 理・鄧 云生・鈴木陽洋・坂下満男・田岡紀之・財満鎭明（名大） SDM2014-165 |
省電力・高速Geデバイスの実現には、金属/Ge接合のコンタクト抵抗低減に向けた界面電子物性の制御が必要不可欠である。本研... [more] | SDM2014-165 pp.17-22 |
| ED | 2012-12-18 12:05 |
宮城 | 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム | サブミリ波帯ゼロバイアス動作InP系SBDモジュール ○伊藤 弘（北里大）・村本好史（NTT）・山本 洋（北里大）・石橋忠夫（NEL） ED2012-107 |
サブミリ波帯においてゼロバイアスで動作する、InP系ショットキーバリアダイオード（SBD）モジュールを開発した。SBDに... [more] | ED2012-107 pp.77-82 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 13:55 |
大阪 | 大阪市立大学 | 単結晶β-Ga2O3基板を用いたPt/β-Ga2O3ショットキーバリアダイオード ○佐々木公平（タムラ製作所/NICT）・東脇正高（NICT/JST）・倉又朗人（タムラ製作所）・増井建和（光波）・山腰茂伸（タムラ製作所） ED2012-71 CPM2012-128 LQE2012-99 |
単結晶$Ga_2O_3$(010)基板を用いてショットキーバリアダイオードを作製した．フローティングゾーンで作製した単結... [more] | ED2012-71 CPM2012-128 LQE2012-99 pp.25-28 |
| SDM | 2012-06-21 16:35 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案 ○田村雄太・吉原 亮・角嶋邦之・パールハット アヘメト・片岡好則・西山 彰・杉井信之・筒井一生・名取研二・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2012-59 |
本研究ではシリサイド形成時の界面制御方法としてNi/Si積層構造を提案する。Ni/Si積層構造によって形成した積層$Ni... [more] | SDM2012-59 pp.87-92 |
| SDM | 2012-06-21 17:15 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | TiN/Geコンタクトに於けるフェルミレベルピンニング変調とMOSデバイスへの応用 ○山本圭介・井餘田昌俊・王 冬・中島 寛（九大） SDM2012-61 |
金属/Ge界面ではフェルミレベルがGeの価電子帯近傍にピンニング（FLP）され、低障壁・低抵抗な金属/Geコンタクトの形... [more] | SDM2012-61 pp.97-102 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 13:45 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | AlInN/AlN/GaNヘテロ接合における高温での表面障壁高さの低下 ○ハサン タンビル・徳田博邦・葛原正明（福井大） ED2011-79 CPM2011-128 LQE2011-102 |
[more] | ED2011-79 CPM2011-128 LQE2011-102 pp.29-33 |
| SDM | 2010-10-21 15:30 |
宮城 | 東北大学 | Yb混晶化PtSiの仕事関数変調機構 ○石川純平・高 峻・大見俊一郎（東工大） SDM2010-154 |
極微細CMOSの拡散層における超低コンタクト抵抗の実現を目的として、Yb混晶化によるPtSiの仕事関数変調に関する検討を... [more] | SDM2010-154 pp.13-16 |
| ED | 2010-06-17 15:50 |
石川 | 北陸先端大 | AlGaN/GaN HFETの表面バリア高さに対するデバイスプロセス中表面酸化の影響 ○東脇正高（NICT/JST/カリフォルニア大）・Srabanti Chowdhury・Brian L. Swenson・Umesh K. Mishra（カリフォルニア大） ED2010-39 |
AlGaN/GaNヘテロ構造のAlGaN表面バリアハイトに対するアニールプロセス中に起こる表面酸化の影響を、ホール測定お... [more] | ED2010-39 pp.31-35 |
| SDM | 2009-10-29 14:00 |
宮城 | 東北大学 | n+-、p+-Si領域に最適なシリサイドを用いた高電流駆動能力トランジスタ ○中尾幸久・黒田理人・田中宏明・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2009-117 |
MOSFETにおけるソース・ドレイン電極の直列抵抗を低減するために、ソース・ドレイン領域に、低コンタクト抵抗を有するシリ... [more] | SDM2009-117 pp.1-6 |
| SDM | 2009-10-29 14:30 |
宮城 | 東北大学 | 2段階シリサイド化によるHf混晶化PtSiの耐熱性向上に関する検討 ○高 峻・石川純平・大見俊一郎（東工大） SDM2009-118 |
400℃/60 minで形成したPtxHfySiの耐熱性を改善するため、2段階シリサイド化プロセスに関する検討を行った。... [more] | SDM2009-118 pp.7-10 |
| OME | 2009-07-23 15:10 |
長野 | (財)加藤科学振興会軽井沢研修所 | 内部光電子放出法を用いたAlq3と陰極界面の電子注入障壁高さの評価 ○高石真也・伊東栄次（信州大） OME2009-32 |
本研究ではITO/TiO2/IL/Alq3/陰極構造の“electron-only device”を作成して、内部光電子... [more] | OME2009-32 pp.19-24 |
| SDM | 2008-10-10 13:30 |
宮城 | 東北大学 | Hf混晶化PtSiの仕事関数変調機構の検討 ○高 峻・石川純平・大見俊一郎（東工大） SDM2008-162 |
PtSiのn-Siに対する障壁高さを低減することを目的として、Hfとの混晶化によるPtSiの仕事関数変調に関する検討を行... [more] | SDM2008-162 pp.41-44 |
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