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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2021-08-18 10:15 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］ソースフォロワ読み出しおよびチャージシェアリングにより積和演算を行う電圧センス型FeFET CiM ○松井千尋・トープラサートポン カシディット・高木信一・竹内 健（東大）  SDM2021-37 ICD2021-8 |
エネルギー効率が高く，高スループットでノイズに強いHZO FeFET Computation-in-Memory（CiM... [more] | SDM2021-37 ICD2021-8 pp.38-41 |
| SDM | 2010-11-12 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | GAA-MOSFETの極限微細化指針の検討 ～ モデルによるサブ30nmチャネルデバイスの実現性に関する考察 ～ ○仲野駿佑・大村泰久（関西大） SDM2010-184 |
サブ30nm-Si細線Gate-All-Around (GAA) MOSFET設計の実現可能性を考察するために指針に関す... [more] | SDM2010-184 pp.71-76 |
| ICD | 2005-04-14 16:15 |
福岡 | 福岡システムLSI 総合開発センター | 多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ ○倉田英明・笹子佳孝・大津賀一雄・有金 剛・河村哲史・小林 孝・久米 均（日立）・本間和樹・小堺健司・野田敏史・伊藤輝彦・清水雅裕・池田良広・土屋 修・古沢和則（ルネサステクノロジ） |
多値高速書込みを実現する4ギガビットAG-AND型フラッシュメモリを90nmプロセスを用いて開発した。反転層をビット線と... [more] | ICD2005-11 pp.53-58 |
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