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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW | 2017-11-10 14:40 |
沖縄 | 宮古島マリンターミナルビル | 電界閉じ込め型スパイラル共振器の総合的評価 ○平岩達也・石崎俊雄（龍谷大）・粟井郁雄（リューテック）  MW2017-141 |
これまで我々が提案してきた4種類の電界閉じ込め型スパイラルコイル共振器の動作原理、作製法、閉じ込め効率、無負荷Ｑ，周辺媒... [more] | MW2017-141 pp.161-166 |
| OPE, LQE (共催) |
2016-06-17 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | 量子構造混晶化を用いたVCSELのキャリア及び光閉じ込めに関する研究 ○齋藤 季・森脇翔平・宮本智之（東工大） OPE2016-15 LQE2016-25 |
VCSELは二次元アレー・低消費電力・優れた生産性といった特徴を有し，広く実用されている．今後，VCSELは光無線給電と... [more] | OPE2016-15 LQE2016-25 pp.31-34 |
| MW, WPT (共催) |
2016-04-21 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ペア共振器による局在電磁界生成と高性能2次元ワイヤレス給電 ○粟井郁雄（リューテック）・伊藤竜次・平岩達也・石崎俊雄（龍谷大） WPT2016-4 MW2016-4 |
ワイヤレス給電に用いることを目指して、各種コイルを複数個電磁的に結合して一つの共振器を作り電磁界分布を制御しようとしてい... [more] | WPT2016-4 MW2016-4 pp.17-22 |
| SDM, ICD (共催) |
2015-08-25 11:45 |
熊本 | 熊本市 | 線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるしきい値電圧および電流ばらつき ○水谷朋子・棚橋裕麻・鈴木龍太・更屋拓哉・小林正治・平本俊郎（東大） SDM2015-68 ICD2015-37 |
[more] | SDM2015-68 ICD2015-37 pp.59-62 |
| EMT, IEE-EMT (連催) |
2015-06-12 10:50 |
東京 | 電気学会 第1～第5会議室 | 電荷生成消滅のためのマクスウェル方程式の拡張 ○武藤秀樹（リンク・リサーチ） EMT2015-3 |
半導体中では光照射や熱励起によって電荷対の生成消滅が生じるが，この現象を扱うためにはマクスウェル方程式の拡張が必要になる... [more] | EMT2015-3 pp.13-18 |
| LQE, LSJ (共催) |
2015-05-21 13:20 |
石川 | 金沢能楽美術館 | 電流注入形半導体薄膜分布反射型レーザの室温連続動作 ○平谷拓生・井上大輔・冨安高弘・厚地祐輝・福田 快・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大） LQE2015-1 |
近年のLSIは素子の微細化による高性能化を進める一方で、配線層上部のグローバル配線において、信号遅延や発熱などが問題とな... [more] | LQE2015-1 pp.1-6 |
| OFT, PEM (併催) |
2015-05-22 13:30 |
石川 | 金沢勤労者プラザ | 空孔アシスト型細径光ファイバの検討 ○五藤幸弘・中島和秀・深井千里・齊藤浩太郎・倉嶋利雄（NTT） OFT2015-11 |
空孔アシスト光ファイバ(HAF: Hole Assisted Fiber)におけるクラッド径とカットオフ波長の関係につい... [more] | OFT2015-11 pp.49-52 |
| LQE | 2013-12-13 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | オンチップ光配線に向けた半導体薄膜レーザの消費電力検討 ○平谷拓生・土居恭平・厚地祐輝・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大） LQE2013-128 |
近年、LSIの微細化による配線遅延や発熱の影響が無視できなくなってきており、電気配線の光配線への代替が有望視されている。... [more] | LQE2013-128 pp.15-20 |
| LQE | 2013-12-13 13:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［奨励講演］オンチップ光配線に向けた半導体薄膜レーザの低しきい値動作への進展 ○進藤隆彦・二見充輝・土居恭平・平谷拓生・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大） LQE2013-130 |
LSI内のグローバル配線層の代替として、我々はこれまで半導体薄膜構造を用いたオンチップ光集積回路を提案してきた。オンチッ... [more] | LQE2013-130 pp.27-32 |
| LQE | 2012-12-13 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | GaInAsP/InP横方向電流注入型半導体薄膜レーザの低しきい値動作化 ○進藤隆彦・二見充輝・土居恭平・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大） LQE2012-123 |
LSIの微細化・高速化に伴い、素子間の配線におけるRC遅延や発熱といった問題が将来的にLSI全体の性能を律速すると懸念さ... [more] | LQE2012-123 pp.9-14 |
| SDM | 2012-11-16 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | 20nm以細MOSFETの実効移動度モデルの反転層電荷閉じ込めを考慮した評価 ○山本真大・廣木 彰・尹 鍾鐵（京都工繊大） SDM2012-104 |
ITRSでMOSデバイスの電気特性の計算に用いられるプログラムMASTARの電子実効移動度モデルの精度を評価した。評価方... [more] | SDM2012-104 pp.25-30 |
| EE, WPT (併催) |
2012-11-09 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | 環境の変化に対して安定な結合共振器型WPTシステム ○澤原裕一・石崎俊雄（龍谷大）・粟井郁雄（リューテック） |
結合共振器型WPT(Wireless Power Transfer)システムは複数の共振器間結合によってエネルギー伝送を... [more] | |
| LQE, CPM, EMD, OPE, R (共催) |
2012-08-23 15:15 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | GaInAsP/InP半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作と熱特性解析 ○土居恭平・進藤隆彦・二見充輝・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大） R2012-29 EMD2012-35 CPM2012-60 OPE2012-67 LQE2012-33 |
我々は、オンチップ光インターコネクション用の光源として半導体薄膜（membrane）DFBレーザを提案してきた。半導体薄... [more] | R2012-29 EMD2012-35 CPM2012-60 OPE2012-67 LQE2012-33 pp.41-46 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 13:50 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長 ○熊谷啓助・小路耕平・河合 剛・山根啓輔・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2011-10 CPM2011-17 SDM2011-23 |
格子整合系III-V-N/Siの発光素子構造において、Siと格子整合した低屈折率混晶があれば光閉じ込め構造作製に応用でき... [more] | ED2011-10 CPM2011-17 SDM2011-23 pp.49-54 |
| OFT, OPE (共催) |
2011-03-04 09:10 |
東京 | 機械振興会館 | 多層分割法を用いたブラッグファイバの曲げ電磁界解析 ○梅本直幸・左貝潤一（立命館大） OFT2010-63 OPE2010-167 |
本稿ではブラッグファイバの曲げ電磁界について定式化と数値解析例を示す。曲げ電磁界はその曲げ損失を求める上で重要である。等... [more] | OFT2010-63 OPE2010-167 pp.1-6 |
| LQE | 2010-12-17 11:10 |
東京 | 機械振興会館 | a-Si表面回折格子を有する1550nm波長帯横方向電流注入型DFBレーザ ○進藤隆彦・奥村忠嗣・伊藤 瞳・小口貴之・高橋大佑・渥美裕樹・姜 ジュンヒョン・長部 亮・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大） LQE2010-118 |
LSIの高速化に伴い、現在のグローバル配線層における遅延や発熱といった問題が将来的にLSI全体の性能を律速すると懸念され... [more] | LQE2010-118 pp.17-22 |
| OPE | 2010-12-17 17:30 |
東京 | 機械振興会館地下3階2号室 | BCB貼付によるSi基板上GaInAsP細線導波路特性 ○前田泰奈・李 智恩・渥美裕樹・西山伸彦・荒井滋久（東工大） OPE2010-141 |
LSIの性能律速となりつつあるLSI内電気グローバル配線を代替するために極低消費電力かつ小型な光配線への期待が高まってい... [more] | OPE2010-141 pp.55-60 |
| EMCJ, IEE-EMC (共催) |
2009-12-18 15:15 |
岐阜 | 核融合科学研究所 | ［特別講演］磁場核融合実験施設における電磁環境と安全管理 ○宇田達彦・田中将裕・河野孝央（核融合科学研）・上村佳嗣（宇都宮大）・王 建青・藤原 修（名工大） EMCJ2009-97 |
大型ヘリカル装置(LHD)で代表される磁場閉じ込め核融合実験施設では、大型の超伝導コイル磁場発生装置とともにMWクラスの... [more] | EMCJ2009-97 pp.71-76 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 14:55 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | GaInAs多結晶薄膜の電気的光学的特性 ○鳥居義親・奥迫拓也・高見慎也・梶川靖友（島根大） ED2009-139 CPM2009-113 LQE2009-118 |
分子線蒸着法によりガラス基板上に基板温度240℃及び350℃でGa組成x = 0～1のGaxIn1-xAs多結晶を約1μ... [more] | ED2009-139 CPM2009-113 LQE2009-118 pp.51-56 |
| OPE, LQE, OCS (共催) |
2009-10-22 11:10 |
福岡 | 九州大学 | ブラッグファイバにおける閉じ込め損失と材料損失の複合効果の評価 ○西田憲弘・左貝潤一（立命館大） OCS2009-46 OPE2009-112 LQE2009-71 |
本稿では、ブラッグファイバの閉じ込め損失と材料損失の複合効果を、多層分割法を用いて示した。対象は主に最も低損失なTE01... [more] | OCS2009-46 OPE2009-112 LQE2009-71 pp.27-32 |
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