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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM | 2023-08-01 10:40 |
北海道 | 北見工業大学 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
金属／GaNショットキー電極評価の変遷 ○塩島謙次（福井大）  CPM2023-21 |
本講演では著者が黎明期から携わってきた金属／GaNショットキー接触に関する実験結果を紹介し、結晶品質、プロセス技術、およ... [more] | CPM2023-21 pp.36-39 |
| SS | 2022-03-07 16:45 |
ONLINE | オンライン開催 | トレースログを用いたバグ予測の性能評価 ○森田一成・柏 祐太郎・中村 司・山本大貴・近藤将成・亀井靖高・鵜林尚靖（九大） SS2021-53 |
ソフトウェア開発において早い段階でバグを検出するために，ソフトウェアに加えた変更にバグが含まれるか否かを予測する技術が広... [more] | SS2021-53 pp.66-71 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-22 14:40 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | 光熱偏向分光によるIII-V族窒化物の評価 ○角谷正友（物質・材料研究機構） ED2019-58 CPM2019-77 LQE2019-101 |
III-V族窒化物半導体材料を電子デバイスや受光デバイスに応用するには、ギャップ内欠陥準位の評価と低減が重要である。我々... [more] | ED2019-58 CPM2019-77 LQE2019-101 pp.107-110 |
| LQE, OPE, CPM, EMD, R (共催) |
2019-08-22 16:45 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究 本館オープンセミナールーム（M153) | ［招待講演］3Dフラッシュメモリセルの信頼性とその課題 ○三谷祐一郎・関 春海・浅野孝典・中崎 靖（東芝メモリ） R2019-26 EMD2019-24 CPM2019-25 OPE2019-53 LQE2019-31 |
膨大な情報量を保存するためにフラッシュメモリの大容量化がすすめられており、現在はメモリセルが縦方向に積層され3次元化され... [more] | R2019-26 EMD2019-24 CPM2019-25 OPE2019-53 LQE2019-31 pp.35-38 |
| WIT, IPSJ-AAC (連催) |
2018-03-09 15:10 |
茨城 | 筑波技術大学 | Image modification for color defectives by mapping the position on confusion lines to pixel blinking ○Ryuya Yamada・Naoya Ohta（Gunma Univ.）・Yasushi Kanazawa（Toyohashi Univ. of Tech.） WIT2017-71 |
色覚異常者が知覚できない色の違いを、画素の点滅情報を用いて表現する手法を以前提案したが、特に色覚異常者に有用と思われるト... [more] | WIT2017-71 pp.67-72 |
| MW (第二種研究会) |
2017-06-14 - 2017-06-16 |
海外 | KMUTT（タイ・バンコク） | Monopole MIMO Antenna using Decagon Fractal Patch Resonator and Defected Ground Plane for WLAN application ○Nattapong Duangrit（KMUTNB）・Chatchai Chokchai（RMUTT）・Prayoot Akkaraekthalin（KMUTNB） |
This paper presents a monopole MIMO antenna using two decago... [more] | |
| WIT | 2016-03-04 16:40 |
茨城 | 筑波技術大学春日キャンパス（つくば） | 混同色線上の位置を画素のブリンク情報にマップした色覚異常者用画像処理 ○山田竜也・越 貴章・太田直哉（群馬大）・金澤 靖（豊橋技科大） WIT2015-97 |
色覚異常者の知覚できない色の差を，画像処理によって色覚異常者も判別できるようにする試みは多く行 われている．そのような... [more] |
WIT2015-97 pp.47-52 |
| MSS, SS (共催) |
2015-01-26 14:45 |
鳥取 | ブランナールみささ | Just-In-Time欠陥予測支援ツール anko ○田中秀太郎・福島崇文・山下一寛・亀井靖高・鵜林尚靖（九大） MSS2014-72 SS2014-36 |
ソフトウェア開発において，効率良くレビューやテストを行うためにソースコードファイルの変更，つまり版管理システムに対するコ... [more] | MSS2014-72 SS2014-36 pp.19-24 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-29 14:20 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | n型Ge単結晶中におけるSnと空孔関連欠陥との相互作用 ○竹内和歌奈・田岡紀之・坂下満男・中塚 理・財満鎭明（名大） ED2014-41 CPM2014-24 SDM2014-39 |
Ge結晶に導入されたSnが、空孔欠陥やドーパントとの複合欠陥等の格子欠陥に与える効果についてDeep-Level Tra... [more] | ED2014-41 CPM2014-24 SDM2014-39 pp.113-118 |
| SS, KBSE (共催) |
2013-07-26 13:10 |
北海道 | 北海道立道民活動センター [かでる2.7] 710会議室（7階） | モデル検査技術の開発現場への適用 ～ 仕様とソースコードの齟齬の発見 ～ ○青木善貴（日本ユニシス）・松浦佐江子（芝浦工大） SS2013-28 KBSE2013-28 |
開発現場では不十分な要件定義や実装時のミス・誤解等により人手では発見困難な不具合が発生する.担当する要員により原因特定に... [more] | SS2013-28 KBSE2013-28 pp.91-96 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 11:05 |
大阪 | 大阪市立大学 | III-V族窒化物薄膜の太陽電池応用 ○角谷正友・Liwen Sang・Mickael Lozac'h（物質・材料研究機構） ED2012-67 CPM2012-124 LQE2012-95 |
III-V族窒化物のワイドギャップ性を利用した太陽電池構成を提案する。既存の太陽電池上にIII-V族窒化物太陽電池を設置... [more] | ED2012-67 CPM2012-124 LQE2012-95 pp.9-12 |
| ED | 2012-07-26 15:25 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部３Ｆ研修室 | p形GaNショットキー接触におけるICPエッチングの影響 ○高橋利文（福井大）・金田直樹・三島友義（日立電線）・野本一貴（ノートルダム大）・塩島謙次（福井大） ED2012-45 |
低Mgドープp-GaNショットキー接触を用いて、誘導結合プラズマ(ICP)エッチング損傷を評価した。ICPエッチングは、... [more] | ED2012-45 pp.21-24 |
| ED | 2012-07-26 15:50 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部３Ｆ研修室 | 表面ストイキオメトリを制御したp-GaNショットキー接触の電気的特性 ○高橋利文（福井大）・金田直樹・三島友義（日立電線）・梶原隆司・田中 悟（九大）・塩島謙次（福井大） ED2012-46 |
結晶成長後の降温時にNH3供給を停止する温度(TNH3)を変えることにより表面ストイキオメトリを制御した3種類のp-Ga... [more] | ED2012-46 pp.25-30 |
| CPSY, DC (共催) IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (併催) (連催) [詳細] |
2012-03-03 14:30 |
宮城 | ホテル松島大観荘 | パイプラインプロセッサ向けカスケードTMRにおける遺伝的アルゴリズムを用いた構成探索 新井雅之・○井出 創・岩崎一彦（首都大東京） CPSY2011-94 DC2011-98 |
本稿では，半導体デバイスの量産初期段階の歩留り及び欠陥レベルの改善を目的として，パイプラインプロセッサのステージ毎にTM... [more] | CPSY2011-94 DC2011-98 pp.211-217 |
| SDM | 2011-12-16 11:20 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 放電電流過渡分光法を用いた犠牲酸化処理された高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価 ○西川誠二・岡田亮太・松浦秀治（阪電通大） SDM2011-136 |
当研究室で提案している放電電流過渡分光法 (DCTS: Discharge Current Transient Spec... [more] | SDM2011-136 pp.23-28 |
| SSS | 2011-11-17 14:20 |
東京 | 機械振興会館 | 製品安全から見た福島第一原発事故の評価と教訓 ○池田隆壽（元日立） SSS2011-15 |
福島第一原発事故を製品安全の観点から検討した． まず，安全度水準の評価，製品（システム）欠陥有無の考察を行ったところ，... [more] |
SSS2011-15 pp.5-8 |
| SDM | 2009-12-04 10:00 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度変化 ○野尻琢慎・柳澤英樹・明神善子・松浦秀治（阪電通大）・大島 武（原子力機構） SDM2009-153 |
電子線を照射したAl-doped 6H-SiCエピ膜に対して、van der pauw法を用いたホール効果測定により得ら... [more] | SDM2009-153 pp.11-16 |
| SDM | 2009-12-04 17:10 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜中の欠陥準位の検出 ○西 佑介・岩田達哉・木本恒暢（京大） SDM2009-170 |
抵抗変化特性を有するニッケル酸化物(NiO)薄膜が，抵抗変化型不揮発性メモリ(ReRAM)用材料の一つとして近年大いに注... [more] | SDM2009-170 pp.97-100 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2009-12-03 13:45 |
高知 | 高知市文化プラザ | テスト容易性と救済可能性を考慮した歩留まりモデルに関する考察 ○天野雄二郎・吉川祐樹・市原英行・井上智生（広島市大） VLD2009-54 DC2009-41 |
LSI の微細化による過渡故障および永久故障の増加に伴い，LSIチップの歩留まり低下と市場不良の増加が問題となっている．... [more] | VLD2009-54 DC2009-41 pp.89-94 |
| ED | 2007-06-16 09:30 |
富山 | 富山大学 | ［招待講演］金属/p-GaN界面の電流輸送特性と最近の進展 ○塩島謙次（福井大） ED2007-41 |
低Mgドープp-GaN基板を用いて良好なショットキー接触を実現し、電極界面の電気的特性を明らかにした結果を中心として、金... [more] | ED2007-41 pp.57-60 |
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