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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
IMQ 2021-10-22
14:10
大阪 阪大吹田キャンパス Conditional GANによる結晶方位情報を埋め込んだ光学イメージから蛍光イメージへの変換 ~ 光学イメージ群の選択に関する検討 ~
工藤博章小島拓人名大)・沓掛健太朗理研)・松本哲也宇佐美徳隆名大IMQ2021-8
多結晶シリコンウェハに対して,入射光の方位を変えると粒の結晶方位に応じた反射光の変化を見ることができる.これらの結晶方位... [more] IMQ2021-8
pp.8-11
IMQ 2021-05-28
09:40
ONLINE オンライン開催 自己教師あり学習によるグレースケール画像を用いた特徴表現学習
鷲見優一郎小島拓人名大)・沓掛健太朗理研)・松本哲也工藤博章名大)・竹内義則大同大)・宇佐美徳隆名大IMQ2021-1
住宅用太陽光発電システムとして最も使われている多結晶シリコン太陽電池は,転位クラスターの発生による性能低下領域を含んでい... [more] IMQ2021-1
pp.1-4
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-27
15:20
ONLINE オンライン開催 ナノストライプパターン加工した低転位密度AlNテンプレート上へのMOVPE成長と結晶性評価
伊庭由季乃正直花奈子窪谷茂幸上杉謙次郎肖 世玉三宅秀人三重大ED2020-24 CPM2020-45 LQE2020-75
Face-to-face配置でアニールしたスパッタAlNテンプレート(FFA Sp-AlN)に周期300 nmと深さ12... [more] ED2020-24 CPM2020-45 LQE2020-75
pp.91-94
IMQ, IE, MVE
(共催)
CQ
(併催) [詳細]
2019-03-15
14:25
鹿児島 鹿児島大学 郡元キャンパス 畳み込みニューラルネットワークの転移学習による多結晶シリコンPL像中の転位領域の推定
工藤博章松本哲也名大)・沓掛健太朗理研)・宇佐美徳隆名大IMQ2018-69 IE2018-153 MVE2018-100
本報告では,多結晶シリコンウェハのPL像に対して,ウェハ内部の結晶欠陥である転位を含んだ領域を特定する方法について検討を... [more] IMQ2018-69 IE2018-153 MVE2018-100
pp.257-262
IMQ 2018-10-19
15:05
京都 京都工芸繊維大学 多層パーセプトロンによる多結晶シリコンPL像中の転位領域の推定における次元数に関する検討
工藤博章松本哲也名大)・沓掛健太朗理研)・宇佐美徳隆名大IMQ2018-14
多結晶シリコンウェハのPL像に対して,ウェハ内部の結晶欠陥である転位を含んだ領域を特定する方法について検討を行った.多層... [more] IMQ2018-14
pp.19-24
CPM 2018-03-01
15:45
東京 東京工科大学 結晶作製実験をふりかえって
高野 泰静岡大CPM2017-123
25 年間 III-V 族化合物半導体結晶の作製法を探究した。基板と格子定数が異なる層を結晶成長させることに従事した。... [more] CPM2017-123
pp.31-32
IMQ 2017-12-15
14:20
静岡 静岡大学浜松キャンパス 多結晶シリコンPL像中の転位領域の非負値行列因子分解による推定
工藤博章羽山優介松本哲也沓掛健太朗宇佐美徳隆名大IMQ2017-22
多結晶シリコンウェハのPL像に対して,ウェハ内部の結晶欠陥である転位を含んだ領域を特定する方法について検討を行った.非負... [more] IMQ2017-22
pp.13-18
LQE 2017-12-15
14:10
東京 機械振興会館 [招待講演]Recent progress of AlGaN deep-UV LEDs
Hideki Hirayama・○Masafumi JoNoritoshi MaedaRIKEN)・Yukio KashimaMarubunLQE2017-91
 [more] LQE2017-91
pp.21-26
IMQ 2017-10-06
16:15
兵庫 神戸大学 多結晶シリコンPL像中の転位領域のスパースコーディングによる推定に関する検討
工藤博章羽山優介松本哲也名大)・沓掛健太朗東北大)・宇佐美徳隆名大IMQ2017-19
近年,多結晶シリコンウェハの組織制御が着目されている.本報告では多結晶シリコンウェハのPL像を用い,転位を含んだ領域を特... [more] IMQ2017-19
pp.29-34
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-12
13:00
京都 京大桂キャンパス GaN自立基板上InAlN/AlN/GaNヘテロ構造に形成したNi/Auショットキー接合の電流-電圧特性
小谷淳二山田敦史石黒哲郎中村哲一富士通研ED2016-57 CPM2016-90 LQE2016-73
本研究では、InAlN High electron mobility transistor (HEMT)構造におけるショ... [more] ED2016-57 CPM2016-90 LQE2016-73
pp.1-4
SDM, EID
(共催)
2016-12-12
14:45
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 p型SiCの電気化学エッチングにおけるエッチングモード制御によるピットの低減
榎薗太郎木本恒暢須田 淳京大EID2016-22 SDM2016-103
電気化学エッチングは、p型SiCのみをエッチングする手法である。電解液/SiC界面においてSiCが正孔により酸化され、生... [more] EID2016-22 SDM2016-103
pp.59-62
ED 2014-08-01
11:45
東京 機械振興会館B3-1室 貫通転位がInSb HEMT のデバイス特性に与える影響の解析
初芝正太長井彰平藤川紗千恵東京理科大)・原 紳介遠藤 聡渡邊一世笠松章史NICT)・藤代博記東京理科大ED2014-55
転位散乱がInSb HEMTのデバイス特性に与える影響を解析するため,量子補正モンテカ
ルロ(QC-MC)シミュレータ... [more]
ED2014-55
pp.13-18
OME, EMD, CPM
(共催)
2014-06-20
14:00
東京 機械振興会館 触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてサファイア基板上に成長したZnOエピタキシャル膜の結晶構造と転位分布
中村友紀石塚侑己山口直也玉山泰宏安井寛治長岡技科大EMD2014-16 CPM2014-36 OME2014-24
白金ナノ粒子表面での水素と酸素の自己発熱反応を利用して高エネルギーH2Oを生成し、気相中でアルキル亜鉛ガスと衝突させ高エ... [more] EMD2014-16 CPM2014-36 OME2014-24
pp.43-48
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-28
10:50
愛知 名古屋大学VBL3階 GaInN/GaNヘテロ接合における緩和過程の転位密度依存性
石原耕史近藤保成松原大幸岩谷素顕上山 智竹内哲也名城大)・赤﨑 勇名城大/名大ED2014-18 CPM2014-1 SDM2014-16
GaInN/GaNヘテロ接合はLEDや半導体レーザ、さらには太陽電池など幅広い応用が可能である。これまで本ヘテロ接合の緩... [more] ED2014-18 CPM2014-1 SDM2014-16
pp.1-6
CPM 2013-08-02
10:00
北海道 釧路生涯学習センターまなぼっと幣舞 触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてa面サファイア基板上に成長したZnOエピタキシャル膜の結晶構造
山口直也竹内智彦中村友紀大橋優樹永富瑛智玉山泰宏・○安井寛治長岡技科大CPM2013-49
白金ナノ粒子表面での水素と酸素の自己発熱反応を利用して高温のH2Oを生成し、気相中でアルキル亜鉛ガスと衝突させ高エネルギ... [more] CPM2013-49
pp.51-56
SDM 2013-06-18
15:50
東京 機械振興会館 [依頼講演]SiC-MOSゲート構造の高信頼性化
先﨑純寿下里 淳田中保宣奥村 元産総研SDM2013-60
超低損失SiC-MOSパワーデバイスの実用化のため,SiC-MOS構造の高性能・高信頼性化は重要な課題である.我々はSi... [more] SDM2013-60
pp.81-86
SDM 2012-12-07
10:15
京都 京都大学(桂) 塩素系ガスによるSiCのプラズマレス・エッチング
畑山智亮堀 良太田村哲也矢野裕司冬木 隆奈良先端大SDM2012-116
900℃以上の塩素ガス雰囲気中でプラズマを使わずにSiCをエッチングした。Si原子で終端された(0001)Si面ではエッ... [more] SDM2012-116
pp.7-12
SDM 2012-06-21
09:20
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 貼り合せ直接接合SrTiO3(001)基板を用いた抵抗スイッチング特性評価
淺田遼太Pham Phu Thanh SonKokate Nishad Vasant吉川 純竹内正太郎中村芳明酒井 朗阪大SDM2012-44
新規不揮発性メモリの一つとして、金属/絶縁体/金属構造の抵抗変化型メモリが注目されている。我々はSrTiO3(001)基... [more] SDM2012-44
pp.7-12
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-17
10:55
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価
野村拓也三宅秀人平松和政三重大)・龍 祐樹桑原崇彰桑野範之九大ED2011-75 CPM2011-124 LQE2011-98
高性能AlGaN系深紫外発光デバイスの実現のためには、AlNを基板として用いることが有望である. 本研究ではエッチピット... [more] ED2011-75 CPM2011-124 LQE2011-98
pp.11-14
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-17
12:55
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール 硬さ制御に基づく高表面品質、低転位GaN自立基板の実現
藤倉序章大島祐一吉田丈洋目黒 健斉藤俊也日立電線ED2011-77 CPM2011-126 LQE2011-100
我々の開発したボイド形成剥離法(Void-Assisted Separation; VAS法)において、GaN自立基板成... [more] ED2011-77 CPM2011-126 LQE2011-100
pp.19-24
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