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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EA, US
(併催)
2022-12-22
16:50
広島 サテライトキャンパスひろしま [ポスター講演]c軸20º傾斜配向MgZnOエピタキシャル薄膜の擬似横波励振特性
岸 大貴早大)・柳谷隆彦早大/JSTUS2022-62
高い擬似すべりモードの電気機械結合係数k´35を持つ圧電薄膜は、液体中で使用する薄膜共振子型センサや表面波センサへの応用... [more] US2022-62
pp.62-67
EA, US
(併催)
2022-12-22
16:50
広島 サテライトキャンパスひろしま [ポスター講演]YbGaNおよびYbAlNエピタキシャル薄膜共振子の特性
李 嵩賈 軍軍柳谷隆彦早大US2022-64
AlNやGaN圧電薄膜を用いたバルク弾性波(BAW)共振子は、高い音速と低い機械的損失を持つため、マイクロ波通信用のGH... [more] US2022-64
pp.74-79
EA, US
(併催)
2022-12-22
16:50
広島 サテライトキャンパスひろしま [ポスター講演]LiNbO3スパッタエピ薄膜のGHz帯励振特性
工藤慎也柳谷隆彦早大US2022-66
LiNbO3は、Q値とk2値が高いため、SAWフィルタに使用されている。しかし、通常のスパッタリング法で成長できるc軸配... [more] US2022-66
pp.86-91
MRIS, IEE-MAG
(連催)
2022-03-04
13:00
愛知 名古屋大学+オンライン開催
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
エピタキシャルMn-Al合金薄膜の構造と磁気特性
野呂翔太大竹 充横浜国大)・磯上慎二物質・材料研究機構)・二本正昭川井哲郎横浜国大)・桐野文良東京藝術大)・稲葉信幸山形大MRIS2021-16
Mn-Al合金膜を,Mn組成を50から72 at. %まで,成長温度を室温から500 °Cまで,膜厚を10から100 n... [more] MRIS2021-16
pp.1-6
US 2021-11-26
14:15
ONLINE オンライン開催 スパッタ法により作製した0.3mmの10MHz帯ScAlN薄板トランスデューサ
岩田直也柳谷隆彦早大US2021-43
医療用超音波診断装置には電気機械結合係数 k33
2 が大きい PZT (Pb(Zr, Ti)O3)セラミックや PM... [more]
US2021-43
pp.19-24
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2021-06-11
10:00
宮城 東北大通研
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
NiOおよびCu2O下地膜上に成膜したコバルトフェライト薄膜の磁気特性
岩動大樹東北大)・神島謙二柿崎浩一埼玉大MRIS2021-4
コバルトフェライト(CFO)に垂直磁気異方性を発現させることを目的として、配向制御用下地膜上にCFOを積層し、その結晶構... [more] MRIS2021-4
pp.18-21
SDM 2020-11-19
13:10
ONLINE オンライン開催 [招待講演]大規模第一原理計算とデバイス・プロセスシミュレータ統合に向けて
押山 淳名大SDM2020-24
GaNエピタキシャル成長の素過程に関する第一原理計算を報告する.Gaリッチな成長表面ではGa-Gaボンドがユビキタスに存... [more] SDM2020-24
pp.11-14
SDM, ED, CPM
(共催)
2019-05-16
13:25
静岡 静岡大学(浜松) Si上Ge層を用いた近赤外pin受光器の暗電流特性
橘 茉優園井柊平石川靖彦豊橋技科大ED2019-11 CPM2019-2 SDM2019-9
超高真空化学気相堆積法によりSi上へエピタキシャル成長したGe層を用い、シリコンフォトニクス用近赤外pin受光器を作製し... [more] ED2019-11 CPM2019-2 SDM2019-9
pp.5-8
US 2018-05-21
15:45
東京 機械振興会館 周波数スイッチナブルフィルタを目指した常誘電相PMN-PT/強誘電相PZT分極反転エピ膜音響共振子
清水貴博柳谷隆彦早大US2018-16
近年,移動体通信機器の周波数バンド数の増加に伴って,フィルタ搭載数が増加している.その解決策の1つとして,1つのフィルタ... [more] US2018-16
pp.29-34
CPM, ED, EID, SDM, ICD, MRIS, SCE, OME, EMD
(共催)
QIT
(併催) [詳細]
2018-03-08
16:40
静岡 東レ総合研修センター [招待講演]FePt合金系エピタキシャル薄膜の結晶配向と表面平坦性の制御
二本正昭大竹 充中大EMD2017-78 MR2017-49 SCE2017-49 EID2017-51 ED2017-123 CPM2017-143 SDM2017-123 ICD2017-128 OME2017-72
高い磁気異方性(Ku)を持つL10-FePt系合金薄膜は、高密度磁気記録媒体への応用に向けて積極的な研究開発が行われてい... [more] EMD2017-78 MR2017-49 SCE2017-49 EID2017-51 ED2017-123 CPM2017-143 SDM2017-123 ICD2017-128 OME2017-72
pp.31-36
LQE 2018-02-23
10:35
神奈川 古河電工横浜事業所 [特別招待講演]Si上へのGeのエピタキシャル成長と受光素子応用
石川靖彦豊橋技科大LQE2017-152
Si上へのGe層のエピタキシャル成長および光通信波長域(1.3–1.6 µm)の受光素子への応用について紹介する。Siと... [more] LQE2017-152
pp.7-10
MW, ED
(共催)
2017-01-26
15:50
東京 機械振興会館地下2階1号室 [依頼講演]GaN電子デバイス用エピウエハの現状と課題
乙木洋平SCIOCSED2016-100 MW2016-176
GaN電子デバイスは高周波用途を中心に実用化がすすんでいる。エピタキシャル成長においては、GaAs系にくらべ、成長条件の... [more] ED2016-100 MW2016-176
pp.19-22
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2016-12-09
10:55
愛媛 愛媛大学 Fe-Co-B合金薄膜の構造と磁気特性に及ぼすB組成と膜形成温度の影響
芹澤伽那落合亮真中村将大中大)・大竹 充工学院大/中大)・二本正昭中大)・桐野文良東京藝術大)・稲葉信幸山形大MR2016-39
40 nm厚の(Fe0.7Co0.3)100–xBx(x = 5, 10, 15 at. %)合金膜を基板温... [more] MR2016-39
pp.57-62
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2016-12-09
11:20
愛媛 愛媛大学 L10-FePt薄膜の表面形態と結晶性に及ぼす下地層の影響
清水智貴中村将大落合亮真中大)・大竹 充工学院大/中大)・二本正昭中大)・桐野文良東京藝術大)・稲葉信幸山形大MR2016-40
L10構造を持つFePt薄膜を高密度記録媒体などのデバイスに応用するためには,膜表面平坦性を制御する必要がある.しかしな... [more] MR2016-40
pp.63-67
ED 2016-07-23
15:55
東京 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 Ge(111)基板上へのInSb薄膜のエピタキシャル成長
三枝孝彰森 雅之前澤宏一富山大ED2016-31
近年、Siを用いた半導体デバイスの微細化による性能向上が限界に達しつつある。そこで我々は、超高速、低消費電力デバイスへの... [more] ED2016-31
pp.21-24
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2016-07-08
13:25
東京 中央大学 エピタキシャルFePt薄膜における格子歪と規則化の関係
中村将大落合亮真中大)・大竹 充工学院大/中大)・二本正昭中大)・桐野文良東京藝術大)・稲葉信幸山形大MR2016-14
L10構造を持つFePt合金膜を磁気記録媒体などに応用するためには,磁化容易軸であるc軸を膜面垂直方向に制御する必要があ... [more] MR2016-14
pp.7-12
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2016-07-08
13:50
東京 中央大学 MgO単結晶基板上へのL10規則合金とCoから成る二層エピタキシャル磁性膜の形成
落合亮真中村将大中大)・大竹 充工学院大/中大)・二本正昭中大)・桐野文良東京藝術大)・稲葉信幸山形大MR2016-15
硬磁性と軟磁性材料から構成される積層膜は異方性ナノコンポジット磁石の基礎検討や高密度垂直記録媒体への応用に向けて研究され... [more] MR2016-15
pp.13-18
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2016-06-09
13:25
宮城 東北大学 Compositional dependence of Cr100-xTix texture-inducing layer underlying (002) textured bcc-Cr alloy seed layer for FePt-C based heat-assisted magnetic recording media
Seong-Jae JeonShintaro HinataShin SaitoTohoku Univ.MR2016-2
 [more] MR2016-2
pp.5-9
OPE
(共催)
OFT, OCS
(併催) [詳細]
2016-02-19
09:00
沖縄 沖縄大学 Si上Ge層を用いた近赤外受光器の高性能化
石川靖彦宮坂祐司伊藤和貴永友 翔和田一実東大OCS2015-107 OFT2015-62 OPE2015-227
超高真空化学気相堆積法によりSi上へエピタキシャル成長したGe層を用い、シリコンフォトニクス 用近赤外受光器を作製した。... [more] OCS2015-107 OFT2015-62 OPE2015-227
pp.39-42(OCS), pp.39-42(OFT), pp.65-68(OPE)
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2015-12-11
10:55
愛媛 愛媛大学 L10規則構造を持つFePt/FePd積層膜の形成
中村将大落合亮真野口陽平中大)・大竹 充工学院大/中大)・二本正昭中大)・桐野文良東京藝術大)・稲葉信幸山形大MR2015-32
L10構造を持つエピタキシャルFePt, FePd単層膜,FePt/FePd二層膜および多層膜を超高真空RFマグネトロン... [more] MR2015-32
pp.57-62
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