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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, ED, CPM
(共催)
2023-12-01
11:20
静岡 アクトシティ浜松 可視光光触媒g-C3N4/SnS2のZスキーム形成
森 耀平Baskar Malathi中村篤志静岡大ED2023-28 CPM2023-70 LQE2023-68
人工光合成では,太陽光を利用した CO2 還元において,高い光吸収能,強い酸化還元電位,高い電荷分離性能を有する光触媒を... [more] ED2023-28 CPM2023-70 LQE2023-68
pp.64-67
CPM, ED, LQE
(共催)
2022-11-24
10:25
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター)(名古屋)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
PEDOT:PSS/ZnOナノロッド/GZOヘテロ接合の電圧-電流特性と光応答
寺迫智昭愛媛大)・矢木正和香川高専)・山本哲也高知工科大ED2022-25 CPM2022-50 LQE2022-58
PEDOT:PSS/ZnOナノロッド/GZOヘテロ接合の電圧-電流(V-I)曲線は,順方向領域と逆方向領域にヒステリシス... [more] ED2022-25 CPM2022-50 LQE2022-58
pp.5-10
CPM, ED, LQE
(共催)
2022-11-24
11:35
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター)(名古屋)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
電気化学堆積したNi(OH)2薄膜の半導体的特性
志村政英安部功二名工大ED2022-28 CPM2022-53 LQE2022-61
あらまし 金属水酸化物は,難燃剤や金属酸化物合成の前駆体として用いられる重要な無機物であり,その多くは電気化学堆積やゾ... [more] ED2022-28 CPM2022-53 LQE2022-61
pp.23-26
MSS, CAS, SIP, VLD
(共催)
2020-06-18
10:50
ONLINE オンライン開催 RF電力増幅器のAM-AM/PM特性の検討
田中 聡村田製作所CAS2020-3 VLD2020-3 SIP2020-19 MSS2020-3
5G(第5世代)携帯電話では変調帯域が100~400 MHzと広帯域化されるとともに,DC (Dual Connecti... [more] CAS2020-3 VLD2020-3 SIP2020-19 MSS2020-3
pp.11-16
ED, THz
(共催) [詳細]
2019-12-23
16:20
宮城 東北大学・電気通信研究所 テラヘルツ動作IC実現に向けたInPウェハレベル裏面配線プロセス
堤 卓也濱田裕史杉山弘樹野坂秀之松崎秀昭NTTED2019-82
近年InP-HEMT やInP-HBT によるサブミリ波帯集積回路(SMMIC: Submillimeter-wave ... [more] ED2019-82
pp.23-28
CAS, CS
(共催)
2019-03-09
14:35
神奈川 湘南工科大学 携帯電話用ヘテロ接合バイポーラトランジスタ適用電力増幅器の非線形解析
田中 聡村田製作所CAS2018-154 CS2018-122
5G(第5世代)携帯電話では変調帯域が100 ~ 400MHzと広帯域化されるとともに,DC (Dual Connect... [more] CAS2018-154 CS2018-122
pp.87-92
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-30
10:25
愛知 名古屋工業大学 化学溶液析出法によるGZOシード層上へのZnOナノロッドの成長とPEDOT:PSS/ZnOナノロッドヘテロ接合の形成
小原翔平・○寺迫智昭難波 優橋国直人愛媛大)・矢木正和香川高専)・野本淳一山本哲也高知工科大ED2018-44 CPM2018-78 LQE2018-98
硝酸亜鉛六水和物とヘキサメチレンテトラミンとの混合水溶液を用いた化学溶液析出法(CBD法)によってイオンプレーティング法... [more] ED2018-44 CPM2018-78 LQE2018-98
pp.55-60
OME, IEE-DEI
(連催)
2017-01-18
15:00
愛知 アイランドホテル浦島(日間賀島) 低コスト・高純度高分子を用いた有機薄膜太陽電池の開発
安田 剛物質・材料研究機構)・桑原純平神原貴樹筑波大
有機薄膜太陽電池においてエネルギー変換効率(PCE)12%が論文報告されているが、高性能共役高分子の価格は非常に高価であ... [more] OME2016-68
pp.7-12
OME 2017-01-07
14:50
東京 東京農工大 ペロブスカイト太陽電池の劣化における有機カチオンサイズ依存性の検討
古本嘉和山本晃平モハマド シャヒドゥザマン辛川 誠桑原貴之高橋光信當摩哲也金沢大OME2016-62
有機無機ハイブリッド型ペロブスカイト太陽電池は大気に曝されると膜が変色し劣化が起きてしまう事が知られている。本研究では、... [more] OME2016-62
pp.15-18
SDM, EID
(共催)
2016-12-12
09:45
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 ヘテロ接合型FeS2-Pyrite太陽電池に向けたFeS2/NiOx接合のバンドオフセット評価
河村祐亮石河泰明内山俊祐奈良先端大)・野瀬嘉太郎京大)・浦岡行治奈良先端大EID2016-10 SDM2016-91
FeS2-pyriteを用いたヘテロ接合型太陽電池の実現を目的として,フラックス法によって作製したFeS2バルク結晶にN... [more] EID2016-10 SDM2016-91
pp.7-10
OME 2015-10-16
15:50
東京 機械振興会館 2波長電界誘起光第2次高調波発生(EFISHG)測定によるITO/PEDOT:PSS:sorbitol/P3HT:PCBM/Alバルクへテロ型有機太陽電池の光起電力の選択的評価
三和健人田口 大間中孝彰岩本光正東工大OME2015-48
2波長電界誘起光第2次高調波発生(EFISHG)測定により、バルクへテロ型有機太陽電池(ITO/P3HT:PCBM/Al... [more] OME2015-48
pp.29-34
LQE, LSJ
(共催)
2015-05-22
11:25
石川 金沢能楽美術館 結晶セレン/酸化ガリウムヘテロ接合ダイオードを積層した高感度イメージセンサ
為村成亨菊地健司宮川和典大竹 浩久保田 節NHK)・中田時夫東京理科大)・沖野 徹廣瀬 裕加藤剛久パナソニック)・寺西信一兵庫県立大LQE2015-13
結晶セレン(crystalline selenium: c-Se)を光電変換膜として適用した積層型CMOSイメージセンサ... [more] LQE2015-13
pp.63-67
ED 2014-08-01
11:20
東京 機械振興会館B3-1室 GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたDouble-Gate Tunnel FETの理論特性とその実験的検証
大橋一水藤松基彦宮本恭幸東工大ED2014-54
次世代のスイッチングデバイスとしてTunnel FETが注目されている。Tunnel FETには急峻なSub-thres... [more] ED2014-54
pp.7-11
OME, EMD, CPM
(共催)
2014-06-20
15:00
東京 機械振興会館 溶液成長法により作製したn-ZnO/p-CuOヘテロ接合の電気的特性の改善 ~ 中間層挿入と熱処理 ~
寺迫智昭村上聡宏兵頭 篤白方 祥愛媛大EMD2014-19 CPM2014-39 OME2014-27
溶液成長(CBD)法によるn-ZnO/p-CuOヘテロ接合形成時にディップコーティング法ZnO(Dip-coating ... [more] EMD2014-19 CPM2014-39 OME2014-27
pp.61-66
ED, MW
(共催)
2014-01-17
09:30
東京 機械振興会館 低転位GaN基板上縦型ショットキバリアダイオードとHFETの特性評価
吉本 晋石原邦亮岡田政也住吉和英平野英則三橋史典善積祐介石塚貴司木山 誠上野昌紀住友電工ED2013-124 MW2013-189
窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスは、GaN基板を用いた縦型構造を採用することで、コラプス抑制や低オン抵抗、また高い面... [more] ED2013-124 MW2013-189
pp.79-84
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-28
13:30
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 表面活性化ボンディング法により形成したSi/SiCヘテロ接合の電気特性
西田将太梁 剣波森本雅史重川直輝阪市大)・新井 学新日本無線ED2013-68 CPM2013-127 LQE2013-103
表面活性化ボンディング法(SAB法)により形成されたp+-Si/n-4H-SiCヘテロ接合(アニール処理なし、アニール処... [more] ED2013-68 CPM2013-127 LQE2013-103
pp.21-25
OPE, OME
(共催)
2013-11-22
14:25
東京 機械振興会館 インピーダンス分光法による低分子系有機光電変換素子の特性制限要因の解析
柴 瀛村山龍平小島広孝松原亮介中村雅一奈良先端大OME2013-71 OPE2013-132
室内光エネルギーを効率よく、かつ、人間の目に暗さを感じさせずに回収する目的で、ワイドバンドギャップ半導体材料であるジビフ... [more] OME2013-71 OPE2013-132
pp.19-23
OME 2012-10-17
13:40
東京 機械振興会館 B1F 3号室 有機薄膜太陽電池におけるバルクへテロ構造の研究
馬場俊輔小林秀平前久保裕太坂本哲夫工学院大OME2012-47
有機薄膜太陽電池の変換効率を向上させるべく検討されているのがバルクへテロ構造である。本研究ではエレクトロスプレーデポジシ... [more] OME2012-47
pp.11-14
ED 2012-04-19
10:15
山形 山形大学工学部 百周年記念会館大会議室 P3HT/n-Si有機無機ヘテロ接合ダイオードにおける界面処理の電気特性への影響
大山直樹金子 翔鹿又健作廣瀬文彦山形大ED2012-14
スピンコート法でP3HT/n-Siヘテロ接合ダイオードを製作し、I-V測定で電気的特性を評価した。このプロセスに対して、... [more] ED2012-14
pp.59-64
CPM 2011-10-26
14:55
福井 福井大学 産学官連携本部研修室 MOVPE法による中間組成域n-InAlN/p-InGaNヘテロ接合の作製
堀田 徹杉田憲一A. G. Bhuiyan橋本明弘山本あき勇福井大CPM2011-113
InGaNとInAlNによるヘテロ構造デバイス作製にむけて、MOVPE法を用いて単層でのInAlN、InGaNの成長条件... [more] CPM2011-113
pp.23-26
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