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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OME | 2013-03-05 15:45 |
佐賀 | 産総研九州センター | ［招待講演］シリコンに共有結合により接合したアルキル自己集積化単分子膜の表面電位と電子状態 ○杉村博之・下阪健治・ヘレラ マービン・ウスタリス・一井 崇・邑瀬邦明（京大）  OME2012-100 |
水素終端化シリコン(Si)表面での有機分子の光励起化学反応によって，鎖長の異なる４種類のアルキル自己集積化単分子膜(Se... [more] | OME2012-100 pp.41-46 |
| ED | 2009-06-12 09:30 |
東京 | 東京工業大学 | 歪み印加時のInAsとInSbのバンド構造と電子輸送特性に関する理論的解析 ○西野啓之・川平一太・原 伸介・藤代博記（東京理科大） ED2009-44 |
InAsやInSb等のナローギャップ化合物半導体をチャネルに用いたデバイスは，テラヘルツ応用やポストSi CMOS 等の... [more] | ED2009-44 pp.41-46 |
| ED, SDM (共催) |
2008-01-30 14:20 |
北海道 | 北海道大学 | Dopant ionization in silicon nanodevices investigated by Kelvin Probe Force Microscope ○Maciej Ligowski（Shizuoka Univ./Warsaw Univ. of Tech.）・Ratno Nuryadi・Akihiro Ichiraku・Miftahul Anwar（Shizuoka Univ.）・Ryszard Jablonski（Warsaw Univ. of Tech.）・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.） ED2007-239 SDM2007-250 |
Dopant ionization was investigated by Kelvin Probe Force Mic... [more] | ED2007-239 SDM2007-250 pp.11-16 |
| OME | 2006-09-25 13:55 |
兵庫 | 兵庫県立大学本部（中会議室） | 大気開放型電解セルを用いた導電性高分子のin-situイオン化ポテンシャル測定 ○高石 聡・多田和也・小野田光宣（兵庫県立大） |
本研究では，低エネルギー光電子分光法を用い，導電性高分子の電子状態を調べた。導電性高分子であるポリ(3-メチルチオフェン... [more] | OME2006-84 pp.39-43 |
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