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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, IEE-BMS, IEE-MSS (連催) |
2023-08-18 14:25 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
電極/Nb:SrTiO3接合の光応答特性評価 ～ 光電子シナプスデバイス実現に向けて ～ ○佐田 晋・鄭 雨萌・木下健太郎（東京理科大）  ED2023-11 |
Sn ドープ In_2O_3(ITO)/Nb:SrTiO_3(NSTO)接合は電圧印加により、光誘起電流の緩和時定数の制... [more] | ED2023-11 pp.6-9 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2023-08-02 09:45 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館 3F （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
1W/8R 20T SRAMコードブックメモリによる深層学習プロセッサの主記憶帯域削減 ○大原遼太郎・加太雅也・太地正和・福永 篤・安田祐人・濱邉理玖・和泉慎太郎・川口 博（神戸大） SDM2023-44 ICD2023-23 |
本研究では、深層学習プロセッサのコードブック量子化のための1W8R 20Tマルチポート・メモリを紹介する。40nmプロセ... [more] | SDM2023-44 ICD2023-23 pp.41-44 |
| CPM | 2023-07-31 15:10 |
北海道 | 北見工業大学 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
抵抗変化型メモリとしてのZrN電極を用いたMIM構造の検討 ○三浦豊生・佐藤 勝・武山真弓（北見工大） CPM2023-14 |
近年, 急速に進む情報社会において, 不揮発性メモリには, さらなる高性能化が求められているため, 次世代不揮発性メモリ... [more] | CPM2023-14 pp.11-12 |
| ICD | 2023-04-10 11:25 |
神奈川 | 川崎市産業振興会館10階第４会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
12-nm FinFETおよび28-nm プレナー型SRAMのミューオン起因ソフトエラー断面積の評価 ○五味唯美・高見一総（京大）・水野るり惠（東大）・新倉 潤（理研）・Yifan DENG・川瀬頒一郎・渡辺幸信（九大）・安部晋一郎（原子力機構）・廖 望（東大）・反保元伸・梅垣いづみ・竹下聡史・下村浩一郎・三宅康博（高エネルギー加速器研究機構/J-PARCセンター）・橋本昌宜（京大） ICD2023-3 |
半導体プロセス微細化に伴い，ミューオン起因ソフトエラーの影響増加が示唆されている．しかし，MOSFETの構造変化によるソ... [more] | ICD2023-3 p.8 |
| HWS, VLD (共催) |
2023-03-02 16:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
複数のインデクスにより競合性ミスを低減した圧縮キャッシュ ○深見 匡・高前田伸也（東大） VLD2022-98 HWS2022-69 |
メモリアクセスのレイテンシやバンド幅を改善する構造としてよく用いられるキャッシュはその容量がヒット率をはじめ性能に大きく... [more] | VLD2022-98 HWS2022-69 pp.131-136 |
| HWS, VLD (共催) |
2023-03-03 13:25 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
一時的メモリアクセスリダイレクションによる高性能かつプログラマ・フレンドリーなセキュアNVM ○小池 亮・高前田伸也（東大） VLD2022-106 HWS2022-77 |
バイトアドレス型の不揮発性メモリ（NVM）は，永続性ゆえにDRAMよりセキュリティ上脆弱である．改ざん検知機構として整合... [more] | VLD2022-106 HWS2022-77 pp.179-184 |
| CAS, CS (共催) |
2023-03-01 14:50 |
福岡 | 北九州国際会議場 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
鉛筆画風画像変換の前段処理における高位合成向きメモリアクセス最適化 ○谷 穂香・山脇 彰（九工大） CAS2022-105 CS2022-82 |
ソフトウェアを自動でハードウェアに変換する高位合成を効果的に使うには，ハードウェア構成を考慮しながらソフトウェアプログラ... [more] | CAS2022-105 CS2022-82 pp.53-58 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2022-12-08 14:20 |
愛媛 | 愛媛大学 + オンライン開催 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
3次元磁気メモリの実現に向けたCoPtの電解めっき膜 ○黄 童雙・高村陽太（東工大）・齋藤美紀子・エムディー マフムドゥル ハサン・荒木大輝・本間敬之（早大）・葛西伸哉（物質・材料研究機構）・山田啓介（岐阜大）・園部義明（早大）・小野輝男（京大）・中川茂樹（東工大） MRIS2022-20 |
CoPt alloy is the appropriate material for the stacking laye... [more] | MRIS2022-20 pp.11-16 |
| VLD, DC, RECONF, ICD (共催) IPSJ-SLDM (連催) [詳細] |
2022-11-29 10:45 |
熊本 | 金沢市文化ホール （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
自律駆動DMAエンジンを搭載したFPGA演算システム ○横野智也・山部芳朗・田仲顕至・有川勇輝・石崎晃朗（NTT） VLD2022-28 ICD2022-45 DC2022-44 RECONF2022-51 |
近年，様々な情報処理基盤は性能及び効率を向上させるために，FPGA，GPU や ASIC を用いた特殊なアクセラレータで... [more] | VLD2022-28 ICD2022-45 DC2022-44 RECONF2022-51 pp.55-60 |
| ED, IEE-BMS, IEE-MSS (連催) |
2022-08-18 15:20 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
ITO/Nb:SrTiO3接合における光誘起電流特性を利用したニューロモルフィックコンピューティング ～ リザバーコンピューティング応用に向けて ～ ○山﨑悠太郎・甲斐洋行・木下健太郎（東京理科大） ED2022-21 |
近年，エッジコンピューティングのニーズが高まり，高い学習性能を維持したまま計算コストを削減する手法が求められている．その... [more] | ED2022-21 pp.17-20 |
| CPSY, DC (共催) IPSJ-ARC (連催) [詳細] |
2022-07-29 11:00 |
山口 | 海峡メッセ下関 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
メモリネットワークにおけるコヒーレンスディレクトリの配置に関する検討 ○亀山祐己・丹羽直也・藤木大地（慶大）・鯉渕道紘（NII）・天野英晴（慶大） CPSY2022-14 DC2022-14 |
Memory Cube(MC) は、DRAM チップを三次元積層し、最下層にロジック層を配置して管理するメモリモジュール... [more] | CPSY2022-14 DC2022-14 pp.77-82 |
| NS, IN (併催) |
2022-03-11 11:00 |
ONLINE | オンライン開催 | 持続可能なリアルタイム情報共有モーバイルネットワーク ○田中 晶（東京高専）・丸山 充（神奈川工科大）・漆谷重雄（NII）・辻井利昭（阪府大） NS2021-147 |
筆者らはこれまでに，身近な端末や機器から構成される多数のマルチホップネットワークを用い，リアルタイムな情報共有システムを... [more] | NS2021-147 pp.146-151 |
| CPM | 2021-10-27 15:10 |
ONLINE | オンライン開催 | 抵抗変化メモリのためのHfO2膜の特性評価 ○川合祐貴・佐藤 勝・武山真弓（北見工大） CPM2021-31 |
近年，フラッシュメモリより動作速度が速く，消費電力を低くすることができる抵抗変化メモリが注目されている．しかしながら，低... [more] | CPM2021-31 pp.43-45 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2021-08-18 09:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］ハフニウム系強誘電体薄膜を用いた1T1R型アレイを使ったアナログインメモリコンピューティング ～ VLSI2021報告内容 ～ ○齋藤大輔・小林俊之・古賀洋貴（ソニー）・周藤悠介・奥野 潤・小西健太（ソニーセミコンダクタソリューションズ）・塚本雅則・大栗一敦（ソニー）・梅林 拓（ソニーセミコンダクタソリューションズ）・江崎孝之（ソニー） SDM2021-36 ICD2021-7 |
エッジデバイスにおけるディープニューラルネットワーク（DNN）を用いた認識実現のためには、低電力動作が求められている。こ... [more] | SDM2021-36 ICD2021-7 pp.33-37 |
| CPSY, DC (共催) IPSJ-ARC (連催) [詳細] |
2021-07-20 14:00 |
ONLINE | オンライン開催 | Prototype Implementation of Non-Volatile Memory Support for RISC-V Keystone Enclave ○Lena Yu・Yu Omori・Keiji Kimura（Waseda Univ.） CPSY2021-2 DC2021-2 |
[more] | CPSY2021-2 DC2021-2 pp.7-12 |
| SDM | 2021-06-22 17:10 |
ONLINE | オンライン開催 | 組合せ最適化問題に向けたReRAMを用いたコンピュテーション・イン・メモリにおける量子化ビット数とエラー率の解への影響 ○三澤奈央子・田岡健太・越能俊介・松井千尋・竹内 健（東大） SDM2021-28 |
組合せ最適化問題の1つであるナップサック問題を，抵抗変化型メモリReRAM（Resistive Random Acces... [more] | SDM2021-28 pp.23-26 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2021-05-27 14:10 |
ONLINE | オンライン開催 | 抵抗変化型メモリのためのZr/ZrOx/Pt構造の電気的特性評価 ○川合祐貴・佐藤 勝・武山真弓（北見工大） ED2021-3 CPM2021-3 SDM2021-14 |
抗変化型メモリは、次世代の不揮発性メモリとして注目されている。しかしながら、フォーミングに高電圧が必要なことやフォーミン... [more] | ED2021-3 CPM2021-3 SDM2021-14 pp.11-14 |
| CPM | 2021-03-03 13:45 |
ONLINE | オンライン開催 | 薄いCuOx膜を用いたZr/ZrO2/Pt構造の電気的特性 ○川合祐貴・山本和輝・大塚 祐・佐藤 勝・武山真弓（北見工大） CPM2020-69 |
近年、抵抗変化型メモリは、最も有望な次世代の不揮発性メモリの1つとして注目されている。本研究では、動作電流を低減させるた... [more] | CPM2020-69 pp.52-54 |
| DE, IPSJ-DBS (連催) |
2020-12-22 10:00 |
ONLINE | オンライン開催 | 不揮発メモリデバイスを対象とするデータベース演算の実行コスト測定方式に関する検討 ○吉岡弘隆・合田和生・喜連川 優（東大） DE2020-23 |
近年不揮発性メモリ（NVM）が注目を浴びている．SSD/HDDのように不揮発性でありながらDRAMのように高速にバイト単... [more] | DE2020-23 pp.36-41 |
| CPM | 2020-10-29 16:40 |
ONLINE | オンライン開催 | 抵抗変化メモリに適用可能なZrO2膜の低温作製 ○佐藤 勝・川合祐貴・向井高幸・武山真弓（北見工大） CPM2020-21 |
抵抗変化メモリに適用可能な絶縁膜を形成するために、我々は、ZrO2膜の低温作製を行ってきた。本研究で得られたZrO2膜は... [more] | CPM2020-21 pp.38-40 |
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