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 48件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2024-01-31
12:35
東京 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]mK評価が明らかにするMOSFET極低温動作におけるバンド端準位の役割
岡 博史浅井栄大稲葉 工下方駿佑由井 斉更田裕司飯塚将太加藤公彦中山隆史森 貴洋産総研SDM2023-74
高集積量子コンピュータの実現に向けて,量子ビット制御機器の機能を集積回路化して冷凍機内部で信号の送受信を行うクライオCM... [more] SDM2023-74
pp.1-4
NLP, CAS
(共催)
2023-10-06
14:50
岐阜 ワークプラザ岐阜 サブスレッショルド領域で動作するアップダウンカウンタを用いたPWM加算回路の設計と評価
阿部 岳アンドリノ ロベルト二瓶匠充原田知親山形大CAS2023-42 NLP2023-41
本論文では、0.18μm CMOS 技術を用いて、サブスレッショルド領域で動作するアップダウンカウンタを用いたPWM加算... [more] CAS2023-42 NLP2023-41
pp.53-57
NLP, CAS
(共催)
2023-10-06
15:10
岐阜 ワークプラザ岐阜 周波数逓倍回路による変換分解能向上を目指したPWM/Digital変換器の研究
張 鶴アンドリノ ロベルト原田知親山形大CAS2023-43 NLP2023-42
IoT(Internet of Things)デバイスでは、消費電力の削減が望まれている。消費電力を抑えるため、リーク電... [more] CAS2023-43 NLP2023-42
pp.58-61
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2023-08-01
16:35
北海道 北海道大学 情報教育館 3F
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
クライオ200nmSOIMOSFETの基板バイアス効果および履歴現象の解析
李 龍聖森 貴之金沢工大)・岡 博史森 貴洋産総研)・井田次郎金沢工大SDM2023-42 ICD2023-21
本稿では、200 nm SOI MOSFETにおいて、極低温下でのみ発生する基板バイアス効果での特異な現象について継続解... [more] SDM2023-42 ICD2023-21
pp.32-35
CCS 2023-03-26
10:55
北海道 北海道 ルスツリゾートホテル&コンベンション 極低電力IoT機器に向けた確率的メモリとそのサブスレッショルドCMOS回路実装
村松聖倭西田浩平安藤洸太北大)・赤井 恵阪大/北大)・浅井哲也北大CCS2022-68
本研究では、MOSFETのサブスレッショルド領域を利用した確率コンピューティングに基づく超低消費電力IoTデバイス用メモ... [more] CCS2022-68
pp.31-35
SDM 2022-11-11
11:30
ONLINE オンライン開催 ニューラルネットワークを用いた急峻なSSを持つ"PN-Body Tied SOI-FET"モデリング検討
中田賢吾森 貴之井田次郎金沢工大SDM2022-73
本研究では, 急峻なサブスレッショルド特性を持つ新規構造のデバイスであるPN-Body Tied(PNBT) Silic... [more] SDM2022-73
pp.44-48
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2022-08-08
14:15
ONLINE オンライン開催に変更 現地開催(北海道大学百年記念会館)は中止 極低電圧動作を狙ったSteep SS "Dual-Gate型 PN-Body Tied SOI-FET" 試作結果
米崎晴貴井田次郎森 貴之金沢工大)・石橋孝一郎電通大SDM2022-38 ICD2022-6
本研究では, 極低電圧動作を狙ったSteep SS “Dual-Gate (DG) 型PN-Body Tied (PNB... [more] SDM2022-38 ICD2022-6
pp.17-20
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2020-08-07
11:00
ONLINE オンライン開催 急峻なSSを持つ“PN-Body Tied SOI-FET ”のCMOSインバータ伝達特性
石黒翔太井田次郎森 貴之金沢工大)・石橋孝一郎電通大SDM2020-8 ICD2020-8
本研究では、我々が提案している急峻なSubthreshold Slope (SS)を持つ“PN Body-Tied SO... [more] SDM2020-8 ICD2020-8
pp.37-40
MW
(第二種研究会)
2020-05-13
- 2020-05-15
海外 CU(タイ・バンコク)
(開催延期)
RF Measurement of Steep Subthreshold Slope "PN-Body Tied SOI FET"
Mitsuhiro YuizonoJiro IdaTakayuki MoriKanazawa Inst of Tech
RF measured data of super steep subthreshold slope "PN-Body ... [more]
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-09
14:10
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 急峻なSSを持つ“PN Body-Tied SOI-FET”におけるBOX中の正電荷と基板バイアスの影響
矢吹 亘井田次郎森 貴之金沢工大)・石橋孝一郎電通大)・新井康夫高エネルギー加速器研究機構SDM2019-51 ICD2019-16
本研究では、我々が提案している急峻なsubthreshold slope (SS)を持つ“PN Body-Tied SO... [more] SDM2019-51 ICD2019-16
pp.89-93
SDM 2019-01-29
09:30
東京 機械振興会館 [招待講演]強誘電体負性容量のマルチドメイン動力学とトランジスタ特性特性への影響
太田裕之池上 努福田浩一服部淳一浅井栄大遠藤和彦右田真司産総研)・鳥海 明東大SDM2018-81
本研究では,マルチドメイン分極を考慮した強誘電体負性容量トランジスタの動的特性を内製TCADモジュールにより明らかにした... [more] SDM2018-81
pp.1-4
SDM 2019-01-29
09:55
東京 機械振興会館 [招待講演]強誘電体トランジスタで観測される急峻スロープ特性の解析
右田真司太田裕之産総研)・鳥海 明東大SDM2018-82
最近強誘電体トランジスタの電気測定において急峻スロープ特性がしばしば観測され、これを負性容量効果という新しい動作原理によ... [more] SDM2018-82
pp.5-8
RCS, AP
(併催)
2018-11-20
10:25
沖縄 沖縄産業支援センター 干渉波を利用した確率共鳴受信機による微弱信号検出 ~ PSK変調方式を用いた場合の特性評価 ~
平岡真太郎山里敬也名大)・荒井伸太郎岡山理科大)・田所幸浩田中宏哉豊田中研RCS2018-179
確率共鳴は, 適切な強度の雑音を加えることでシステムの性能が向上する非線形現象である, 先行研究において, 確率共鳴現象... [more] RCS2018-179
pp.7-12
SDM 2018-11-09
15:55
東京 機械振興会館 [招待講演]急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI-FETを用いたMOS Diode接続での特性および微小電圧整流実験
百瀬 駿井田次郎山田拓弥森 貴之伊東健治金沢工大)・石橋孝一郎電通大)・新井康夫高エネルギー加速器研究機構SDM2018-76
生活環境下に存在するRF信号電力を利用するためには,高い電力変換効率を実現するRF整流器が必要である.RF整流器はµWも... [more] SDM2018-76
pp.59-64
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-07
14:25
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 急峻なSSを持つ"PN-Body Tied SOI-FET"を使った極低電圧整流実験
百瀬 駿井田次郎山田拓弥森 貴之伊東健治金沢工大)・石橋孝一郎電通大)・新井康夫高エネルギー加速器研究機構SDM2018-31 ICD2018-18
µW級の電力で機能する整流器を構築するためには,新たなダイオード技術の開発が必要である.従来のp-n接合ダイオード,ショ... [more] SDM2018-31 ICD2018-18
pp.31-34
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-07
15:00
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 0.6V動作9bitデジタル出力PWM差分演算回路
小嶋文也原田知親山形大SDM2018-32 ICD2018-19
集積回路の微細化による高集積化で、回路の小型化や動作速度の向上が実現されているが、リーク電流等により消費電力が減少しない... [more] SDM2018-32 ICD2018-19
pp.35-40
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-08
09:45
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 Understanding Temperature Effect on Subthreshold Slope Variability in Bulk and SOTB MOSFETs
Shuang GaoTomoko MizutaniKiyoshi TakeuchiMasaharu KobayashiToshiro HiramotoUniv. TokyoSDM2018-37 ICD2018-24
We present a new finding that subthreshold slope (SS) variab... [more] SDM2018-37 ICD2018-24
pp.65-70
VLD, HWS
(併催)
2018-03-02
09:00
沖縄 沖縄県青年会館 ポテンショスタット法に基づく超小型・超微弱電流測定回路の提案
磯貝太志白川貴啓中武繁寿北九州市大VLD2017-119
MOSFET によるオンチップ高抵抗を利用した電流測定回路を提案する。近年バイオセンシング技術やインプラントセンシング技... [more] VLD2017-119
pp.181-186
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2017-08-02
11:35
北海道 北海道大学情報教育館 急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FETを用いた高効率RFエネルギーハーベスティング用Gate Controlled Diodeの特性
百瀬 駿井田次郎森 貴之吉田貴大岩田潤平堀井隆史古田貴大山田拓弥高松大地伊東健治金沢工大)・石橋孝一郎電通大)・新井康夫高エネルギー加速器研究機構SDM2017-45 ICD2017-33
新たに提案した極低ドレイン電圧で急峻なサブスレッショルド特性を持つPN-Body Tied SOI FETを用いたGat... [more] SDM2017-45 ICD2017-33
pp.109-114
SDM 2017-01-30
11:30
東京 機械振興会館 [招待講演]サブ10 nm世代負性容量FinFETのデバイスシミュレーション
太田裕之池上 勉服部淳一福田浩一右田真司産総研)・鳥海 明東大SDM2016-133
サブ10nm 世代の負性容量FinFET(NC-FinFET)のデバイス特性を新開発のtechnology comput... [more] SDM2016-133
pp.13-16
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