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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2024-11-07 15:05 |
東京 | 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 (東京都, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］ランダムポテンシャルがMOSFETのサブスレッショルド特性に与える影響 ○森 伸也（阪大）  SDM2024-58 |
MOSFETのサブスレッショルド係数が，極低温において飽和する現象が観測されている．それを説明するモデルの一つに，2次元... [more] | SDM2024-58 pp.16-19 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2024-08-06 11:25 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館 3F (北海道, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
Steep Slope PN-Body Tied SOI-FETによるCMOSインバータ回路での貫通電流の削減 ○中橋和希・森 貴之・井田次郎（金沢工大） SDM2024-36 ICD2024-26 |
本研究では、急峻なSubthreshold Slope (SS)を持つ“PN-Body Tied (PNBT) SOI-... [more] | SDM2024-36 ICD2024-26 pp.38-41 |
| SDM | 2024-06-21 12:10 |
大阪 | 関西学院大学・梅田キャンパス (大阪府) | ［招待講演］ランダムポテンシャルによるMOSFETの特性変化 ○森 伸也（阪大） SDM2024-21 |
MOSFETのサブスレッショルド係数が，極低温において飽和する現象が観測されている．それを説明するモデルの一つに，2次元... [more] | SDM2024-21 pp.9-12 |
| SDM | 2024-01-31 12:35 |
東京 | 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス (東京都, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］mK評価が明らかにするMOSFET極低温動作におけるバンド端準位の役割 ○岡 博史・浅井栄大・稲葉 工・下方駿佑・由井 斉・更田裕司・飯塚将太・加藤公彦・中山隆史・森 貴洋（産総研） SDM2023-74 |
高集積量子コンピュータの実現に向けて，量子ビット制御機器の機能を集積回路化して冷凍機内部で信号の送受信を行うクライオCM... [more] | SDM2023-74 pp.1-4 |
| NLP, CAS (共催) |
2023-10-06 14:50 |
岐阜 | ワークプラザ岐阜 (岐阜県) | サブスレッショルド領域で動作するアップダウンカウンタを用いたPWM加算回路の設計と評価 ○阿部 岳・アンドリノ ロベルト・二瓶匠充・原田知親（山形大） CAS2023-42 NLP2023-41 |
本論文では、0.18μm CMOS 技術を用いて、サブスレッショルド領域で動作するアップダウンカウンタを用いたPWM加算... [more] | CAS2023-42 NLP2023-41 pp.53-57 |
| NLP, CAS (共催) |
2023-10-06 15:10 |
岐阜 | ワークプラザ岐阜 (岐阜県) | 周波数逓倍回路による変換分解能向上を目指したPWM/Digital変換器の研究 ○張 鶴・アンドリノ ロベルト・原田知親（山形大） CAS2023-43 NLP2023-42 |
IoT(Internet of Things)デバイスでは、消費電力の削減が望まれている。消費電力を抑えるため、リーク電... [more] | CAS2023-43 NLP2023-42 pp.58-61 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2023-08-01 16:35 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館 3F (北海道, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
クライオ200nmSOIMOSFETの基板バイアス効果および履歴現象の解析 ○李 龍聖・森 貴之（金沢工大）・岡 博史・森 貴洋（産総研）・井田次郎（金沢工大） SDM2023-42 ICD2023-21 |
本稿では、200 nm SOI MOSFETにおいて、極低温下でのみ発生する基板バイアス効果での特異な現象について継続解... [more] | SDM2023-42 ICD2023-21 pp.32-35 |
| CCS | 2023-03-26 10:55 |
北海道 | 北海道 ルスツリゾートホテル&コンベンション (北海道) | 極低電力IoT機器に向けた確率的メモリとそのサブスレッショルドCMOS回路実装 ○村松聖倭・西田浩平・安藤洸太（北大）・赤井 恵（阪大/北大）・浅井哲也（北大） CCS2022-68 |
本研究では、MOSFETのサブスレッショルド領域を利用した確率コンピューティングに基づく超低消費電力IoTデバイス用メモ... [more] | CCS2022-68 pp.31-35 |
| SDM | 2022-11-11 11:30 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | ニューラルネットワークを用いた急峻なSSを持つ"PN-Body Tied SOI-FET"モデリング検討 ○中田賢吾・森 貴之・井田次郎（金沢工大） SDM2022-73 |
本研究では, 急峻なサブスレッショルド特性を持つ新規構造のデバイスであるPN-Body Tied(PNBT) Silic... [more] | SDM2022-73 pp.44-48 |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2022-08-08 14:15 |
ONLINE | オンライン開催に変更 現地開催(北海道大学百年記念会館)は中止 (オンライン) | 極低電圧動作を狙ったSteep SS "Dual-Gate型 PN-Body Tied SOI-FET" 試作結果 ○米崎晴貴・井田次郎・森 貴之（金沢工大）・石橋孝一郎（電通大） SDM2022-38 ICD2022-6 |
本研究では, 極低電圧動作を狙ったSteep SS “Dual-Gate (DG) 型PN-Body Tied (PNB... [more] | SDM2022-38 ICD2022-6 pp.17-20 |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2020-08-07 11:00 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | 急峻なSSを持つ“PN-Body Tied SOI-FET ”のCMOSインバータ伝達特性 ○石黒翔太・井田次郎・森 貴之（金沢工大）・石橋孝一郎（電通大） SDM2020-8 ICD2020-8 |
本研究では、我々が提案している急峻なSubthreshold Slope (SS)を持つ“PN Body-Tied SO... [more] | SDM2020-8 ICD2020-8 pp.37-40 |
| MW (第二種研究会) |
2020-05-13 - 2020-05-15 |
海外 | CU（タイ・バンコク） (海外(アジア)) （開催延期） |
RF Measurement of Steep Subthreshold Slope "PN-Body Tied SOI FET" ○Mitsuhiro Yuizono・Jiro Ida・Takayuki Mori（Kanazawa Inst of Tech） |
RF measured data of super steep subthreshold slope "PN-Body ... [more] | |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2019-08-09 14:10 |
北海道 | 北海道大学 情報科学院 3F A31 (北海道) | 急峻なSSを持つ“PN Body-Tied SOI-FET”におけるBOX中の正電荷と基板バイアスの影響 ○矢吹 亘・井田次郎・森 貴之（金沢工大）・石橋孝一郎（電通大）・新井康夫（高エネルギー加速器研究機構） SDM2019-51 ICD2019-16 |
本研究では、我々が提案している急峻なsubthreshold slope (SS)を持つ“PN Body-Tied SO... [more] | SDM2019-51 ICD2019-16 pp.89-93 |
| SDM | 2019-01-29 09:30 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | ［招待講演］強誘電体負性容量のマルチドメイン動力学とトランジスタ特性特性への影響 ○太田裕之・池上 努・福田浩一・服部淳一・浅井栄大・遠藤和彦・右田真司（産総研）・鳥海 明（東大） SDM2018-81 |
本研究では，マルチドメイン分極を考慮した強誘電体負性容量トランジスタの動的特性を内製TCADモジュールにより明らかにした... [more] | SDM2018-81 pp.1-4 |
| SDM | 2019-01-29 09:55 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | ［招待講演］強誘電体トランジスタで観測される急峻スロープ特性の解析 ○右田真司・太田裕之（産総研）・鳥海 明（東大） SDM2018-82 |
最近強誘電体トランジスタの電気測定において急峻スロープ特性がしばしば観測され、これを負性容量効果という新しい動作原理によ... [more] | SDM2018-82 pp.5-8 |
| RCS, AP (併催) |
2018-11-20 10:25 |
沖縄 | 沖縄産業支援センター (沖縄県) | 干渉波を利用した確率共鳴受信機による微弱信号検出 ～ PSK変調方式を用いた場合の特性評価 ～ ○平岡真太郎・山里敬也（名大）・荒井伸太郎（岡山理科大）・田所幸浩・田中宏哉（豊田中研） RCS2018-179 |
確率共鳴は, 適切な強度の雑音を加えることでシステムの性能が向上する非線形現象である, 先行研究において, 確率共鳴現象... [more] | RCS2018-179 pp.7-12 |
| SDM | 2018-11-09 15:55 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | ［招待講演］急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI-FETを用いたMOS Diode接続での特性および微小電圧整流実験 ○百瀬 駿・井田次郎・山田拓弥・森 貴之・伊東健治（金沢工大）・石橋孝一郎（電通大）・新井康夫（高エネルギー加速器研究機構） SDM2018-76 |
生活環境下に存在するRF信号電力を利用するためには，高い電力変換効率を実現するRF整流器が必要である．RF整流器はµWも... [more] | SDM2018-76 pp.59-64 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2018-08-07 14:25 |
北海道 | 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 (北海道) | 急峻なSSを持つ"PN-Body Tied SOI-FET"を使った極低電圧整流実験 ○百瀬 駿・井田次郎・山田拓弥・森 貴之・伊東健治（金沢工大）・石橋孝一郎（電通大）・新井康夫（高エネルギー加速器研究機構） SDM2018-31 ICD2018-18 |
µW級の電力で機能する整流器を構築するためには，新たなダイオード技術の開発が必要である．従来のp-n接合ダイオード，ショ... [more] | SDM2018-31 ICD2018-18 pp.31-34 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2018-08-07 15:00 |
北海道 | 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 (北海道) | 0.6V動作9bitデジタル出力PWM差分演算回路 ○小嶋文也・原田知親（山形大） SDM2018-32 ICD2018-19 |
集積回路の微細化による高集積化で、回路の小型化や動作速度の向上が実現されているが、リーク電流等により消費電力が減少しない... [more] | SDM2018-32 ICD2018-19 pp.35-40 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2018-08-08 09:45 |
北海道 | 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 (北海道) | Understanding Temperature Effect on Subthreshold Slope Variability in Bulk and SOTB MOSFETs ○Shuang Gao・Tomoko Mizutani・Kiyoshi Takeuchi・Masaharu Kobayashi・Toshiro Hiramoto（Univ. Tokyo） SDM2018-37 ICD2018-24 |
We present a new finding that subthreshold slope (SS) variab... [more] | SDM2018-37 ICD2018-24 pp.65-70 |
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