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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-28 16:30 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | 表面波プラズマを用いたシリコン窒化膜の化学気相堆積とデバイス応用 ○川上恭平・石丸貴博・篠原正俊・岡田 浩（豊橋技科大）・古川雅一（アリエースリサーチ）・若原昭浩・関口寛人（豊橋技科大）  ED2014-29 CPM2014-12 SDM2014-27 |
マイクロ波による表面波プラズマを応用した新しい化学気相堆積法を提案し、シリコン窒化膜の堆積を行った。ビス(ジメチルアミノ... [more] | ED2014-29 CPM2014-12 SDM2014-27 pp.55-58 |
| ED, SDM (共催) |
2014-02-27 14:40 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | プラスチック基板上におけるn型カーボンナノチューブ薄膜トランジスタの作製と評価 ○安西智洋・岸本 茂・大野雄高（名大） ED2013-134 SDM2013-149 |
転写法により形成したカーボンナノチューブ(CNT)薄膜と、ポリエチレンイミン(PEI)による化学ドーピングを用いて、プラ... [more] | ED2013-134 SDM2013-149 pp.13-18 |
| ED | 2010-06-18 11:25 |
石川 | 北陸先端大 | 欠陥消滅型半導体洗浄液によるシリコン材料表面の汚染銅除去 ○高橋昌男・東 裕子・成田比呂晃・岩佐仁雄・小林 光（阪大/JST） ED2010-45 |
1ppmの極めて稀薄なHCN水溶液を用いた5分間の洗浄で、SiO_{2}表面上の汚染銅（10^{12}－10^{13}原... [more] | ED2010-45 pp.63-68 |
| CPM | 2008-08-04 14:00 |
北海道 | 室蘭工業大学 | 表面波プラズマ装置の開発と半導体プロセスへの応用 ○福田 永（室蘭工大）・古川雅一（アリエース・リサーチ） CPM2008-41 |
本研究は、高密度表面波プラズマ装置の開発と次世代半導体プロセスへの応用を目的としている。今回、300℃以下の低温領域でシ... [more] | CPM2008-41 pp.1-4 |
| ED | 2008-06-13 13:00 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | SiN/AlN積層構造によるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション ○田中成明（北陸先端大）・住田行常・河合弘治（パウデック）・鈴木寿一（北陸先端大） ED2008-22 |
サファイア基板上のAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタに対して, AlN単層, SiN単層, さらにSiN超... [more] | ED2008-22 pp.1-4 |
| ED, MW (共催) |
2008-01-17 11:10 |
東京 | 機械振興会館 | Ledge パッシベーションによるInGaP/GaAs HBTの信頼性の向上 ○楊 富穎・野崎眞次・内田和男・小泉 淳（電通大） ED2007-217 MW2007-148 |
InGaP/GaAs HBT(Heterojunction Bipolar transistors)には、メサ形状を有す... [more] | ED2007-217 MW2007-148 pp.61-66 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-05 15:45 |
京都 | 京都大学 | XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価 ○小野島紀夫・東脇正高（NICT）・須田 淳・木本恒暢（京大）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） |
SiN保護膜(パッシベーション)の有無におけるAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)のAlGaN表... [more] | ED2006-158 CPM2006-95 LQE2006-62 pp.35-38 |
| R, ED, SDM (共催) |
2005-11-25 15:05 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | GaAs高周波デバイスの湿度に起因した劣化 ○野上洋一・日坂隆行・吉田直人（三菱電機） |
AlGaAs/InGaAs PHEMTの高温高湿環境下の劣化機構について調べた。高温高湿環境下で劣化したサンプルはIma... [more] | R2005-44 ED2005-179 SDM2005-198 pp.37-41 |
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