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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, MWPTHz (共催) |
2024-12-20 10:40 |
宮城 | 東北大・通研 (宮城県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］fmax = 450 GHz超を有するダブルδドープGa0.22In0.78SbチャネルHEMT ○町田龍人（NICT）・吉田陸人・岸本尚之・河野亮介・礒前雄人・海老原怜央・林 拓也・神内智揮・國澤宗真（東京理科大）・渡邊一世・山下良美・原 紳介・笠松章史（NICT）・遠藤 聡・藤代博記（東京理科大）  ED2024-61 MWPTHz2024-73 |
InSb系高電子移動度トランジスタ（HEMT）の更なるRF特性向上のため，薄膜AlInSbスペーサ層およびバリア層による... [more] | ED2024-61 MWPTHz2024-73 pp.26-29 |
| ED, MW (共催) |
2024-01-25 15:30 |
東京 | 機械振興会館 (東京都, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
EID AlGaN/GaN MOS-HEMTにおけるAl2O3ゲート酸化膜直下の電子状態解析 ○南條拓真・清井 明・今澤貴史・古橋壮之・西川和康（三菱電機）・江川孝志（名工大） ED2023-68 MW2023-160 |
ノーマリオフ動作するプレーナ型のExtrinsically Electron Induced by Dielectric... [more] | ED2023-68 MW2023-160 pp.11-14 |
| SANE | 2023-05-23 16:10 |
神奈川 | 三菱電機株式会社 情報技術総合研究所 (神奈川県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［特別講演］日米技術協力のさらなる発展に向けて ～ 米国のステークホルダの見解を中心として ～ ○藤田元信（防衛装備庁） SANE2023-14 |
米国の非営利の研究機関であるランド研究所では，専門職のための人材育成プログラム（アジア太平洋フェロー・プログラム）を実施... [more] | SANE2023-14 p.78 |
| MW, ED (共催) |
2023-01-27 13:40 |
東京 | 機械振興会館 (東京都, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
ノーマリオフ型EID-AlGaN/GaN MOS-HEMTの大電流/高耐圧動作実証 ○南條拓真・品川友宏・綿引達郎・三浦成久・古橋壮之・西川和康（三菱電機）・江川孝志（名工大） ED2022-93 MW2022-152 |
AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor（HEMT）は，通信用の高周波高出... [more] | ED2022-93 MW2022-152 pp.36-39 |
| SANE | 2020-06-26 15:20 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | ［特別講演］CMGを搭載したIoT衛星HATOSAT ○中里紀之・石井智基・早坂佳晃・古郡葉子・井上裕之・御園隆生・吉成宏太・塚原彰彦・田中慶太（東京電機大） SANE2020-14 |
東京電機大学では，衛星を介したIoTであるStore and Forward (S&F)ミッションと，3U Cubesa... [more] | SANE2020-14 pp.31-36 |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) (連催) [詳細] |
2020-01-23 15:15 |
鳥取 | 鳥取大鳥取キャンパス (鳥取県) | ［依頼講演］原子状水素を用いた表面処理技術の半導体分野への応用 ○部家 彰（兵庫県立大） |
水素ガスを加熱金属線で分解し生成した原子状水素を用いた表面処理技術（原子状水素アニール（AHA））の半導体分野への応用に... [more] | |
| OME | 2016-10-28 13:00 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | ［招待講演］有機薄膜トランジスタにおけるコンタクト修飾効果のデバイスシミュレーション解析 ○野田 啓・長浜陽生・山本 亮・和田恭雄（慶大）・鳥谷部 達（東洋大） OME2016-38 |
有機薄膜トランジスタ（OTFT）におけるコンタクトドーピングやコンタクト電極表面の化学修飾に着目した，デバイス作製評価と... [more] | OME2016-38 pp.1-4 |
| SDM | 2015-03-02 15:25 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | ［招待講演］CVD/ALDを用いたCu(Mn)/Co(W)配線システムの構築と3次元アトムプローブによるサブナノ構造・バリヤ性評価 ○嶋 紘平（東大）・ツ ユアン・韓 斌・高見澤 悠（東北大）・清水秀治（東大）・清水康雄（東北大）・百瀬 健（東大）・井上耕治・永井康介（東北大）・霜垣幸浩（東大） SDM2014-169 |
ULSI-Cu配線の微細化に伴う配線抵抗の増大及びエレクトロマイグレーションの問題を克服すべく、我々はこれまでに新規バリ... [more] | SDM2014-169 pp.39-44 |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2014-01-25 11:06 |
新潟 | 新潟大学 駅南キャンパス (新潟県) | 有機薄膜トランジスタにおける電界効果移動度の温度依存性の考察 ○松本竜也・金 丞謙・服部励治（九大） EID2013-29 |
有機薄膜トランジスタにおける有機半導体層へのキャリア注入機構を明らかとするため，電界効果移動度と，有機半導体と金属電極と... [more] | EID2013-29 pp.117-120 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2013-10-25 10:50 |
福岡 | 福岡交通センタービル 博多バスターミナル (福岡県) | ［招待講演］完全格子整合した磁気トンネル接合の巨大トンネル磁気抵抗効果 ～ スピネルMgAl2O4系トンネルバリアの現状 ～ ○介川裕章・猪俣浩一郎・三谷誠司（物質・材料研究機構） MR2013-18 |
強磁性層/トンネルバリア/強磁性層構造を有する強磁性トンネル接合（MTJ）は、不揮発性磁気メモリ素子やハードディスクドラ... [more] | MR2013-18 pp.35-40 |
| OME | 2012-11-19 15:00 |
大阪 | 大阪大学中之島センター 講義室３０２ (大阪府) | グラフォエピタキシーにより面内配向制御されたペンタセンFETを利用したTHz波センサの検討 ○吉岡勇多（奈良先端大）・李 世光（千葉大/奈良先端大）・上田智也・松原亮介・中村雅一（奈良先端大） OME2012-70 |
有機電界効果トランジスタ（OFET）の代表格であるペンタセンOFETのキャリア輸送バンドには、素子がオン状態において障壁... [more] | OME2012-70 pp.43-47 |
| CPM | 2012-08-09 09:25 |
山形 | 山形大学工学部100周年記念会館セミナー室 (山形県) | 反応性スパッタによるZrNxナノ結晶バリヤ膜の形成過程 ○佐藤 勝・武山真弓（北見工大）・青柳英二（東北大）・野矢 厚（北見工大） CPM2012-44 |
Cu多層配線は微細化に伴い、数nmオーダーの膜厚の拡散バリヤ膜が要請され、かつ優れたバリヤ性を実現する必要がある。我々は... [more] | CPM2012-44 pp.45-49 |
| OME | 2012-05-24 15:45 |
東京 | NTT武蔵野研究開発センター (東京都) | ペンタセン中に電界効果ドーピングされたキャリアによるTHz波吸収 ○李 世光（千葉大/奈良先端大）・松末俊夫（千葉大）・吉岡勇多・松原亮介（奈良先端大）・酒井正俊・工藤一浩（千葉大）・中村雅一（奈良先端大） OME2012-27 |
有機電界効果トランジスタ（OFET）の代表格であるペンタセンOFETのキャリア輸送バンドには、素子がオン状態において振幅... [more] | OME2012-27 pp.41-44 |
| SDM | 2012-03-05 13:30 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | ALD/CVDによる次世代Cu配線用単層バリヤ/ライナーCo(W)膜 ○清水秀治（大陽日酸/東大）・嶋 紘平・百瀬 健（東大）・小林芳彦（大陽日酸）・霜垣幸浩（東大） SDM2011-180 |
ULSIの微細化に伴う配線抵抗の増大を抑えるため、新たな材料が必要とされている。特に、Cu配線の側壁に形成されるバリヤ/... [more] | SDM2011-180 pp.25-29 |
| SCE | 2011-10-12 13:00 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | 超伝導ナノワイヤ単一光子検出器におけるダークカウントの物理的起源 ○山下太郎・三木茂人・牧瀬圭正・丘 偉・寺井弘高・藤原幹生・佐々木雅英・王 鎮（NICT） SCE2011-12 |
我々は今回、超伝導ナノワイヤ単一光子検出器において発生するダークカウントの物理的なメカニズムの解明を目的として、素子の直... [more] | SCE2011-12 pp.1-6 |
| CPM | 2010-07-30 09:55 |
北海道 | 道の駅しゃり 会議室 (北海道) | TDEAV原料を用いたVNx膜のALD成膜 ○武山真弓・佐藤 勝（北見工大）・須藤 弘・町田英明（気相成長）・伊藤 俊・青柳英二（東北大）・野矢 厚（北見工大） CPM2010-37 |
Si-ULSIのCu多層配線において、さらなるバリヤ膜の極薄化と低抵抗化が望まれている。一方、我々は先の研究で反応性スパ... [more] | CPM2010-37 pp.35-38 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 15:25 |
愛知 | 名古屋工業大学 (愛知県) | 超薄膜InN/(In)GaN量子井戸活性層を用いた新規青緑域発光デバイス ○崔 成伯・結城明彦・渡邊宏志・石谷善博・吉川明彦（千葉大） ED2008-163 CPM2008-112 LQE2008-107 |
高効率青緑域発光デバイスへの応用を目指した1分子層InN/InGaN/GaN量子井戸構造の結晶成長およびその発光ダイオー... [more] | ED2008-163 CPM2008-112 LQE2008-107 pp.51-56 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-11 11:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 (沖縄県) | ストライプ型チャネルを持つ多結晶シリコン薄膜トランジスタの特性ばらつきの評価 ○秋山浩司・渡邉一徳・浅野種正（九大） SDM2008-5 OME2008-5 |
レーザスキャン法により横方向に結晶粒を成長させた多結晶Si (poly-Si)膜上にストライプ型のチャネル形状をもつ多結... [more] | SDM2008-5 OME2008-5 pp.23-26 |
| OME, EID (共催) |
2007-03-05 13:25 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | ペンタセン多結晶膜における横方向キャリア伝導 ～ ホール輸送障壁と結晶内有効質量 ～ ○松原亮介・中村雅一・工藤一浩（千葉大） |
有機TFTの特性は電極に起因する様々な影響によって制限される。これに対し我々は、電極の影響を取り除き、材料の真の移動度を... [more] | OME2006-133 EID2006-90 pp.7-11 |
| SDM | 2006-06-22 15:05 |
広島 | 広島大学, 学士会館 (広島県) | XPSを用いたAu/極薄SiO2界面のバリアハイトの測定 ○鈴木治彦・長谷川 覚・野平博司（武蔵工大）・服部健雄（武蔵工大/東工大）・山脇師之・鈴木信子（総研大）・小林大輔・廣瀬和之（JAXA） |
MOSデバイスの微細化に伴い、ゲートSiO2膜の厚さは0.8nmにまで達した。このような極薄膜の領域では、金属/SiO2... [more] | SDM2006-63 pp.119-124 |
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