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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EE | 2023-01-20 11:25 |
福岡 | 九州工業大学（戸畑キャンパス 附属図書館AVホール） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
Online junction temperature measurement of Power MOSFET by dynamic VGS-ID monitoring system ○Yandagkhuu Bayarsaikhan・Ichiro Omura（KIT）  EE2022-46 |
パワーエレクトロニクス・システムの高信頼性への要求が高まる中，パワーデバイスのオンライン状態監視は極めて重要なものとなっ... [more] | EE2022-46 pp.111-116 |
| SDM | 2022-10-19 16:30 |
ONLINE | オンライン開催に変更 | ［招待講演］CO2熱処理によるSiC MOSFETの信頼性向上 ○細井卓治（関西学院大）・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2022-62 |
低損失パワーデバイスとして期待されるSiC MOSFETは閾値電圧変動が信頼性上の課題となっている．SiC MOSFET... [more] | SDM2022-62 pp.34-37 |
| SDM | 2022-10-19 17:20 |
ONLINE | オンライン開催に変更 | 強誘電性ノンドープHfO2薄膜を用いたMFSFETのしきい値電圧制御に関する検討 ○田沼将一・Joong-Won Shin・大見俊一郎（東工大） SDM2022-63 |
強誘電性HfO2薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタへ(... [more] | SDM2022-63 pp.38-42 |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2022-08-08 14:15 |
ONLINE | オンライン開催に変更 現地開催(北海道大学百年記念会館)は中止 | 極低電圧動作を狙ったSteep SS "Dual-Gate型 PN-Body Tied SOI-FET" 試作結果 ○米崎晴貴・井田次郎・森 貴之（金沢工大）・石橋孝一郎（電通大） SDM2022-38 ICD2022-6 |
本研究では, 極低電圧動作を狙ったSteep SS “Dual-Gate (DG) 型PN-Body Tied (PNB... [more] | SDM2022-38 ICD2022-6 pp.17-20 |
| ED | 2022-04-21 11:00 |
ONLINE | オンライン開催 | 閾値補償を備えたTIQコンパレータベースのフラッシュ型A/Dコンバータ ○橋本悠平・範 公可（電通大） ED2022-5 |
TIQコンパレータを用いたA/Dコンバータはプロセスや温度の変動に弱く，基準電圧の値が容易に変化してしまうことが知られて... [more] | ED2022-5 pp.15-18 |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2020-08-07 11:00 |
ONLINE | オンライン開催 | 急峻なSSを持つ“PN-Body Tied SOI-FET ”のCMOSインバータ伝達特性 ○石黒翔太・井田次郎・森 貴之（金沢工大）・石橋孝一郎（電通大） SDM2020-8 ICD2020-8 |
本研究では、我々が提案している急峻なSubthreshold Slope (SS)を持つ“PN Body-Tied SO... [more] | SDM2020-8 ICD2020-8 pp.37-40 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2019-11-13 15:25 |
愛媛 | 愛媛県男女共同参画センター | MOSFETの統計的選択によるレファレンス不要なCMOS温度センサの設計 ○原田彰吾・イスラム マーフズル・久門尚史・和田修己（京大） VLD2019-34 DC2019-58 |
近年，限られた電力のもとで動作するシステムにおいて，低消費電力の温度センサが求められている． ${rm mu W}$未... [more] |
VLD2019-34 DC2019-58 pp.51-56 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2019-11-14 09:40 |
愛媛 | 愛媛県男女共同参画センター | FiCCを用いたCMOS互換な不揮発性メモリ実現に向けた素子特性測定 ○田中一平・宮川尚之・木村知也・今川隆司・越智裕之（立命館大） VLD2019-36 DC2019-60 |
本稿では，低廉な通常のCMOSプロセスで製造でき，かつ，書き込みや消去に必要な電流が極めて小さい不揮発性メモリ素子と，そ... [more] | VLD2019-36 DC2019-60 pp.63-68 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2019-08-09 10:15 |
北海道 | 北海道大学 情報科学院 3F A31 | アモルファスZnSnO/Si積層型トンネルFETの作製と電気特性評価 ○加藤公彦（東大/産総研）・松井裕章・田畑 仁・竹中 充・高木信一（東大） SDM2019-46 ICD2019-11 |
酸化物半導体／IV族半導体積層型トンネルFETのサブスレショルド特性向上に向け，膜厚均一性の高いアモルファスZnSnOチ... [more] | SDM2019-46 ICD2019-11 pp.63-66 |
| SDM | 2019-01-29 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］強誘電体トランジスタで観測される急峻スロープ特性の解析 ○右田真司・太田裕之（産総研）・鳥海 明（東大） SDM2018-82 |
最近強誘電体トランジスタの電気測定において急峻スロープ特性がしばしば観測され、これを負性容量効果という新しい動作原理によ... [more] | SDM2018-82 pp.5-8 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) CPM, ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2018-12-07 09:00 |
広島 | サテライトキャンパスひろしま | FiCCを用いたCMOS互換な超低消費電力不揮発性メモリ素子の特性測定回路の設計と試作 ○田中一平・宮川尚之・木村知也・今川隆司・越智裕之（立命館大） VLD2018-65 DC2018-51 |
本稿では,低廉な通常のCMOSプロセスで製造でき,かつ,書き込みや消去に必要な電流が極めて小さい不揮発性メモリ素子と,そ... [more] | VLD2018-65 DC2018-51 pp.183-188 |
| SDM | 2018-11-09 15:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI-FETを用いたMOS Diode接続での特性および微小電圧整流実験 ○百瀬 駿・井田次郎・山田拓弥・森 貴之・伊東健治（金沢工大）・石橋孝一郎（電通大）・新井康夫（高エネルギー加速器研究機構） SDM2018-76 |
生活環境下に存在するRF信号電力を利用するためには，高い電力変換効率を実現するRF整流器が必要である．RF整流器はµWも... [more] | SDM2018-76 pp.59-64 |
| SDM | 2018-10-18 14:00 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ソースとドレインが非対称のMOSFETを用いた電気的特性ばらつきの統計的解析 ○市野真也・寺本章伸・黒田理人・間脇武蔵・諏訪智之・須川成利（東北大） SDM2018-62 |
高精度アナログデバイス回路の実現に支障をきたす，しきい値電圧ばらつきやランダムテレグラフノイズ（RTN）といったMOSト... [more] | SDM2018-62 pp.51-56 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2018-08-07 14:25 |
北海道 | 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 | 急峻なSSを持つ"PN-Body Tied SOI-FET"を使った極低電圧整流実験 ○百瀬 駿・井田次郎・山田拓弥・森 貴之・伊東健治（金沢工大）・石橋孝一郎（電通大）・新井康夫（高エネルギー加速器研究機構） SDM2018-31 ICD2018-18 |
µW級の電力で機能する整流器を構築するためには，新たなダイオード技術の開発が必要である．従来のp-n接合ダイオード，ショ... [more] | SDM2018-31 ICD2018-18 pp.31-34 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2018-08-07 15:00 |
北海道 | 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 | 0.6V動作9bitデジタル出力PWM差分演算回路 ○小嶋文也・原田知親（山形大） SDM2018-32 ICD2018-19 |
集積回路の微細化による高集積化で、回路の小型化や動作速度の向上が実現されているが、リーク電流等により消費電力が減少しない... [more] | SDM2018-32 ICD2018-19 pp.35-40 |
| HWS, ISEC, SITE, ICSS, EMM (共催) IPSJ-CSEC, IPSJ-SPT (共催) (連催) [詳細] |
2018-07-26 14:10 |
北海道 | 札幌コンベンションセンター | Compensation of Temperature Induced Flipping-Bits in CMOS SRAM PUF by NMOS Body-Bias ○Xuanhao Zhang・Xiang Chen・Hanfeng Sun・Hirofumi Shinohara（Waseda Univ.） ISEC2018-41 SITE2018-33 HWS2018-38 ICSS2018-44 EMM2018-40 |
PUF suffers from flipping-bits caused by temperature changes... [more] | ISEC2018-41 SITE2018-33 HWS2018-38 ICSS2018-44 EMM2018-40 pp.333-336 |
| VLD, HWS (併催) |
2018-02-28 17:45 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 65 nm FDSOIプロセスのトランジスタモデルの違いによるフリップフロップのソフトエラー耐性の実測と評価 ○榎原光則・丸岡晴喜・山田晃大・古田 潤・小林和淑（京都工繊大） VLD2017-104 |
ムーアの法則に従い, 集積回路 (LSI)が微細化することで, PCやスマートフォン といった高性能な製品を作れるよう... [more] |
VLD2017-104 pp.91-96 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2017-08-01 13:50 |
北海道 | 北海道大学情報教育館 | しきい電圧の温度依存性を低減した等価MOSFETの試作と評価 ○山口拓哉・奥 達哉・関根かをり（明大） SDM2017-41 ICD2017-29 |
MOSFETの温度特性は回路の動作に大きな影響を与える。MOSFETはしきい電圧と移動度に温度依存性を持っているが、今回... [more] | SDM2017-41 ICD2017-29 pp.77-82 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2017-08-02 11:35 |
北海道 | 北海道大学情報教育館 | 急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FETを用いた高効率RFエネルギーハーベスティング用Gate Controlled Diodeの特性 ○百瀬 駿・井田次郎・森 貴之・吉田貴大・岩田潤平・堀井隆史・古田貴大・山田拓弥・高松大地・伊東健治（金沢工大）・石橋孝一郎（電通大）・新井康夫（高エネルギー加速器研究機構） SDM2017-45 ICD2017-33 |
新たに提案した極低ドレイン電圧で急峻なサブスレッショルド特性を持つPN-Body Tied SOI FETを用いたGat... [more] | SDM2017-45 ICD2017-33 pp.109-114 |
| VLD, DC (共催) CPM, ICD, IE (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2016-11-28 12:45 |
大阪 | 立命館大学大阪いばらきキャンパス | マイクロエナジーハーベスティングのための2段昇圧型チャージポンプ回路方式 ○木村知也・越智裕之（立命館大） VLD2016-46 DC2016-40 |
本稿ではオンチップ太陽電池で得られる閾値電圧以下の入力電圧を4V程度の高電圧まで効率よく昇圧する場合に有効なL1L5型2... [more] | VLD2016-46 DC2016-40 pp.13-18 |
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