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講演名
2010-08-27 17:20
高密度化による波長1.3um帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上
○
田中 有
(
富士通研/富士通/QDレーザ/光電子融合基盤技研
)・
高田 幹
・
石田 充
(
東大
)・
松本 武
・
宋 海智
・
江川 満
(
富士通研
)・
中田義昭
(
富士通研/QDレーザ
)・
山本剛之
(
富士通研/富士通/光電子融合基盤技研
)・
山口正臣
・
西 研一
・
菅原 充
(
QDレーザ
)・
荒川泰彦
(
東大
)
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EMD2010-60 CPM2010-76 OPE2010-85 LQE2010-58
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