電子情報通信学会技術研究報告

Print edition: ISSN 0913-5685
Online edition: ISSN 2432-6380

vol. 105, no. 394

電子部品・材料

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CPM2005-161
MOVPE法によるサファイア基板上InN成長におけるGaNバッファ層のKOHエッチング効果
○永井泰彦・三輪浩士・橋本明弘・山本あきお（福井大）
pp. 1 - 4

CPM2005-162
Growth and Characterization of MOVPE InN Films on Bulk GaN Substrate
○Wen-Jun Wang・Hiroshi Miwa・Yasuhiko Nagai・Akihiro Hashimoto・Akio Yamamoto（Univ. of Fukui）
pp. 5 - 8

CPM2005-163
ArFレーザ援用MOCVD法で作製したInN1-xOx薄膜によるH2Sの光触媒分解効果
○宮西正芳（福井大）・高橋尚也（福井高専）・小林隆弘（福井大）・高山勝己（福井高専）・南保幸男（日華化学）・橋本明弘・山本あきお（福井大）
pp. 9 - 12

CPM2005-164
3c-SiC/Si(111)構造基板上への高品質InN膜のMOVPE成長
○趙　明秀・小林隆弘・澤崎尚樹・橋本明弘・山本あきお（福井大）・伊藤慶文（若狭湾エネルギー研究センター）
pp. 13 - 16

CPM2005-165
3c-SiC/Si基板上へのGaN膜のMOVPE成長 ～ 基板表面の窒化処理効果 ～
○澤崎尚樹・小林隆弘・趙　明秀・橋本明弘・山本あきお（福井大）・伊藤慶文（若狭湾エネルギー研究センター）
pp. 17 - 20

CPM2005-166
ケミカルバス法によるZnS薄膜の作製 ～ ヒドラジン一水和物添加の効果 ～
○蛭田賢和・小林敏志・坪井　望・金子双男（新潟大）
pp. 21 - 25

CPM2005-167
Investigations of the structural deformations in Si/SiGe films by AFM and HRXRD
○Shuqi Zheng・M. Kawashima・Masayuki Mori・Toyokazu Tambo・C. Tatsuyama（Toyama Univ.）
pp. 27 - 32

CPM2005-168
パルススパッタ法を用いた薄膜作製プロセスの検討
○星　陽一・國芳祐二（東京工芸大）・神谷　攻（キヤノン）・清水英彦（新潟大）
pp. 33 - 38

CPM2005-169
低電圧スパッタ法によるYBCO薄膜の作製及び評価
○岡田好正・清水英彦・森　貴志・岩野春男・川上貴浩（新潟大）・星　陽一（東京工芸大）・丸山武男（新潟大）
pp. 39 - 42

CPM2005-170
有機EL素子用ITO薄膜の作製と検討
○槻尾浩一・竹内正樹・森下和哉・清水英彦・丸山武男・川上貴浩（新潟大）・星　陽一（東京工芸大）
pp. 43 - 48

今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。