Print edition: ISSN 0913-5685
Online edition: ISSN 2432-6380
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MW2005-153
GaN系FETにおける緩やかな電流応答と電流コラプスの解析
高柳大樹・○板垣圭一・仲野博之・堀尾和重（芝浦工大）
pp. 1 - 6
MW2005-154
Analysis of Gate-Lag Phenomena in Unpassivarwd AlGaN/GaN HEMTs
○Alberto F. Basile・Junji Kotani・Tamotsu Hashizume（Hokkaido Univ）
pp. 7 - 12
MW2005-155
GaN系MIS構造の高温でのC-V評価
○加藤寛樹・ミツェーク マルチン・橋詰 保（北大）
pp. 13 - 16
MW2005-156
格子整合系六方晶ＩｎＡｌＧａＮ四元混晶の禁制帯幅とボウイング定数
○瀧澤俊幸・中澤敏志・上田哲三・田中 毅（松下電器）・江川孝志（名工大）
pp. 17 - 21
MW2005-157
低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET
○出口忠義・脇 英司・小野 悟・山下明一・鎌田 厚・中川 敦（新日本無線）・石川博康・江川孝志（名工大）
pp. 23 - 27
MW2005-158
リセスオーミック電極を用いたSi基板上のAlGaN/GaN-HEMT
○見田充郎・海部勝晶・伊藤正紀・佐野芳明（OKI）・石川博康・江川孝志（名工大）
pp. 29 - 34
MW2005-159
無極性(11-20)面上に形成されたAlGaN/GaNへテロ接合トランジスタのノーマリオフ動作
○黒田正行・石田秀俊・上田哲三・田中 毅（松下電器）
pp. 35 - 39
MW2005-160
0.15-mm-dual-gate AlGaN/GaN HEMT mixers
○Kenji Shiojima・Takashi Makimura・Toshihiko Kosugi・Tetsuya Suemitsu・Naoteru Shigekawa・Masanobu Hiroki・Haruki Yokoyama（NTT）
pp. 41 - 44
MW2005-161
基地局向け3インチ導電性SiC基板上高均一GaN-HEMT
○吉川俊英・今西健治・金村雅仁・常信和清（富士通研）
pp. 45 - 49
MW2005-162
高出力AlGaN/GaN MIS-HEMT
○金村雅仁・吉川俊英・岩井大介・今西健治・久保徳郎・常信和清（富士通研）
pp. 51 - 55
今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。