電子情報通信学会技術研究報告

Print edition: ISSN 0913-5685
Online edition: ISSN 2432-6380

vol. 105, no. 549

電子デバイス

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ED2005-224
人工転位網を内包したSOI構造を用いたシリコンナノデバイス
○石川靖彦・山本智寛・田部道晴（静岡大）
pp. 1 - 6

ED2005-225
多重ドットSi単電子トランジスタにおける周期的なクーロン振動
○大倉健作（広島大）・北出哲也（ローム）・中島安理（広島大）
pp. 7 - 11

ED2005-226
量子ドットアレイを用いた多機能デバイスの特性シミュレーション
○開澤拓弥・有田正志・高橋庸夫（北大）
pp. 13 - 18

ED2005-227
高濃度ドープしたSi単電子トランジスタを使ったXOR回路の室温動作
○大倉健作（広島大）・北出哲也（ローム）・中島安理（広島大）
pp. 19 - 22

ED2005-228
［招待講演］MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 ～ SOIを用いた素子作製と特性評価 ～
○西口克彦・小野行徳・藤原　聡・猪川　洋（NTT）・高橋庸夫（北大）
pp. 23 - 28

ED2005-229
カーボンナノチューブ量子ドットとGaAs-AlGaAs2次元電子ガスのハイブリッド化
○石橋幸治（理研/JST）・塚本竹雄（理研/東工大）・森山悟士（理研）・内田剛生（理研/東工大）・山口智弘（理研）
pp. 29 - 33

ED2005-230
Si多重ドット構造における単一フォトン誘起ランダム・テレグラフ・シグナル
○ラトノ ヌルヤディ・石川靖彦・田部道晴（静岡大）
pp. 35 - 38

今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。