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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2004-07-15 09:00 PLD法によるサファイア基板上YBa2Cu3O7薄膜の成膜 齊藤和夫・山本浩之・○長谷川晴弘・越智久晃・岡田道哉（日立）・北口 仁（物質・材料研究機構） エレソ技報アーカイブへのリンク：  SCE2004-17 |
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| 抄録 | （和） | PLD(Pulsed Laser Deposition)法を用いてサファイア基板上にYBa2Cu3O7(YBCO)薄膜を成膜した．R面サファイア基板上にバッファ層としてCeO2を形成した後，in situで連続してYBCOを成膜した．X線回折(XRD)測定からCeO2 は(100)配向，YBCOはc軸配向であることを確認した．電気特性測定から典型的な超電導臨界温度Tc=85K，超電導臨界電流密度Jc=1107A/cm2 (@4.2K)を得，良好な超電導特性を得た．YBCO１ターンコイルを形成してインダクタ(L)－キャパシタ(C)共振回路を作製し，共振特性のQ値(quality factor)からYBCOの特性を評価した． |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | PLD / YBa2Cu3O7 / サファイア / CeO2 / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 104, no. 180, SCE2004-17, pp. 1-6, 2004年7月. | |
| 資料番号 | SCE2004-17 | |
| 発行日 | 2004-07-08 (SCE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：SCE2004-17 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
| 開催期間 | 2004-07-15 - 2004-07-15 |
| 開催地（和） | 福岡リーセントホテル |
| 開催地（英） | Fukuoka Recent Hotel |
| テーマ（和） | 材料・一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SCE |
| 会議コード | 2004-07-SCE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | PLD法によるサファイア基板上YBa2Cu3O7薄膜の成膜 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Deposition of YBa2Cu3O7 thin films on sapphire substrates using the PLD method |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | PLD / |
| キーワード(2)（和/英） | YBa2Cu3O7 / |
| キーワード(3)（和/英） | サファイア / |
| キーワード(4)（和/英） | CeO2 / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 齊藤 和夫 / Kazuo Saitoh / サイトウ カズオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi Ltd. (略称： Hitachi Ltd.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 浩之 / Hiroyuki Yamamoto / ヤマモト ヒロユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi Ltd. (略称： Hitachi Ltd.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長谷川 晴弘 / Haruhiro Hasegawa / ハセガワ ハルヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi Ltd. (略称： Hitachi Ltd.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 越智 久晃 / Hisaaki Ochi / オチ ヒサアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi Ltd. (略称： Hitachi Ltd.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡田 道哉 / Michiya Okada / オカダ ミチヤ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi Ltd. (略称： Hitachi Ltd.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 北口 仁 / Hitoshi Kitaguchi / キタグチ ヒトシ |
| 第6著者 所属（和/英） | (独)物質・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for Materials Science (略称： NIMS) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第3著者 |
| 発表日時 | 2004-07-15 09:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SCE |
| 資料番号 | SCE2004-17 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | no.180 |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2004-07-08 (SCE) |
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