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| 講演名 | 2005-10-14 13:30 Nb/AlOx/Nbジョセフソン接合の高臨界電流密度化に向けた研究 ○角倉 崇・赤池宏之・藤巻 朗（名大） エレソ技報アーカイブへのリンク：  SCE2005-18 |
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| 抄録 | （和） | 我々はNb/AlOx/Nbジョセフソン接合の高臨界電流密度化を目標として、接合作製プロセスについての研究を行っている。高臨界電流密度化のためには、障壁層を薄くして、接合サイズを微小化することが要求される。最初に、微小接合を作るために必要な接合上部電極のエッチング条件について検討した。上部電極エッチング時の基板温度とエッジプロファイル、エッチング残渣とは密接な関係があり、基板温度を変化させることによりこれらを制御することができた。その結果、接合特性も向上した。さらに、下部電極の平坦性が接合特性に与える影響を評価した。Nb膜表面の平坦性は成膜時のアルゴンガス圧に大きく依存し、平坦性を改善することにより接合特性の向上が見られた。これらにより、Jc=13.7kA/cm2、Vm=16.5mVの接合を作製することができた。 |
| （英） | We have been studying a fabrication process for high critical current density (Jc) Nb/AlOx/Nb Josephson junctions. To fabricate the junctions, a thickness of an Al2O3 barrier and an area of a junction have to be reduced. In this work, we have investigated etching conditions for forming counter-electrodes of small junctions. The wafer temperature during the etching was closely related to edge profiles of etched Nb patterns and etching residues. We controlled the profiles and residues by changing the wafer temperature and improved the electrical characteristics of junctions. We also investigated the effects of surface flatness of base Nb layer on the junction characteristics. The flatness depended on the Ar pressure when Nb films were sputtered and flatter Nb films were obtained under lower Ar pressures. We improved the junction characteristics using the flatter Nb films for base layers of junctions. We obtained junctions with a Jc of 13.7kA/cm2 and a quality parameter Vm of 16.5mV from these improvements. | |
| キーワード | （和） | Nb/AlOx/Nb接合 / 高臨界電流密度 / エッチング条件 / エッジプロファイル / 下部電極 / 平坦性 / / |
| （英） | Nb/AlOx/Nb junction / high critical current density / etching conditions / edge profile / base electrodes / flatness / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 105, no. 334, SCE2005-18, pp. 1-6, 2005年10月. | |
| 資料番号 | SCE2005-18 | |
| 発行日 | 2005-10-07 (SCE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：SCE2005-18 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
| 開催期間 | 2005-10-14 - 2005-10-14 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | エレクトロニクス |
| テーマ（英） | Electronics |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SCE |
| 会議コード | 2005-10-SCE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Nb/AlOx/Nbジョセフソン接合の高臨界電流密度化に向けた研究 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on fabrication of Nb/AlOx/Nb Josephson Junctions with high critical current densities |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Nb/AlOx/Nb接合 / Nb/AlOx/Nb junction |
| キーワード(2)（和/英） | 高臨界電流密度 / high critical current density |
| キーワード(3)（和/英） | エッチング条件 / etching conditions |
| キーワード(4)（和/英） | エッジプロファイル / edge profile |
| キーワード(5)（和/英） | 下部電極 / base electrodes |
| キーワード(6)（和/英） | 平坦性 / flatness |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 角倉 崇 / Takashi Sumikura / スミクラ タカシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤池 宏之 / Hiroyuki Akaike / アカイケ ヒロユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤巻 朗 / Akira Fujimaki / フジマキ アキラ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2005-10-14 13:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SCE |
| 資料番号 | SCE2005-18 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | no.334 |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2005-10-07 (SCE) |
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