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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2006-04-13 09:20 DRAMにおけるVRT(Variable Retention Time)の起原 ～ 接合リーク電流の2値変動 ～ 毛利友紀（日立）・大湯靜憲・小此木堅祐（エルピーダメモリ）・○山田廉一（日立） エレソ技報アーカイブへのリンク：  ICD2006-1 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 106, no. 2, ICD2006-1, pp. 1-6, 2006年4月. | |
| 資料番号 | ICD2006-1 | |
| 発行日 | 2006-04-06 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2006-1 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2006-04-13 - 2006-04-14 |
| 開催地（和） | 大分大学 |
| 開催地（英） | Oita University |
| テーマ（和） | 新メモリ技術とシステムLSI <オーガナイザ：山内寛行（福岡工業大学）> |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2006-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | DRAMにおけるVRT(Variable Retention Time)の起原 |
| サブタイトル（和） | 接合リーク電流の2値変動 |
| タイトル（英） | The Origin of Variable Retention Time in DRAM |
| サブタイトル（英） | Fluctuation of Junction Leakage |
| キーワード(1)（和/英） | / |
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| キーワード(5)（和/英） | / |
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| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 毛利 友紀 / Yuki Mori / モウリ ユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 (略称： 日立) Hitachi Ltd., Central Research Laboratory (略称： Hitachi CRL) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大湯 靜憲 / Kiyonori Ohyu / オオユ キヨノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | エルピーダメモリ株式会社 (略称： エルピーダメモリ) Elpoida memory, Inc. (略称： Elpida) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小此木 堅祐 / Kensuke Okonogi / オコノギ ケンスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | エルピーダメモリ株式会社 (略称： エルピーダメモリ) Elpoida memory, Inc. (略称： Elpida) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 廉一 / Renichi Yamada / ヤマダ レンイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 (略称： 日立) Hitachi Ltd., Central Research Laboratory (略称： Hitachi CRL) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第4著者 |
| 発表日時 | 2006-04-13 09:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2006-1 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | no.2 |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2006-04-06 (ICD) |
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