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講演抄録／キーワード
講演名
2006-04-14 13:50
局所的な閾値電圧ばらつきに対するSRAM安定動作解析手法について
○
塚本康正
・
新居浩二
（
ルネサステクノロジ
）・
今岡 進
（
ルネサスデザイン
）・
小田祐士
（
シキノハイテック
）・
大林茂樹
・
薮内 誠
・
牧野博之
・
石橋孝一郎
・
篠原尋史
（
ルネサステクノロジ
）
抄録
（和）
(まだ登録されていません)
（英）
(Not available yet)
キーワード
（和）
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（英）
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文献情報
信学技報, vol. 106, no. 2, ICD2006-18, pp. 97-102, 2006年4月.
資料番号
ICD2006-18
発行日
2006-04-06 (ICD)
ISSN
Print edition: ISSN 0913-5685
PDFダウンロード
研究会情報
研究会
ICD
開催期間
2006-04-13 - 2006-04-14
開催地（和）
大分大学
開催地（英）
Oita University
テーマ（和）
新メモリ技術とシステムLSI <オーガナイザ：山内寛行（福岡工業大学）>
テーマ（英）
講演論文情報の詳細
申込み研究会
ICD
会議コード
2006-04-ICD
本文の言語
英語（日本語タイトルあり）
タイトル（和）
局所的な閾値電圧ばらつきに対するSRAM安定動作解析手法について
サブタイトル（和）
タイトル（英）
Worst-Case Ananlysis to Obtain Stable Read/Write DC Margin of High Density 6T-SRAM-Array with Local Vth Variability
サブタイトル（英）
キーワード(1)（和/英）
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キーワード(2)（和/英）
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キーワード(3)（和/英）
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キーワード(4)（和/英）
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キーワード(5)（和/英）
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キーワード(6)（和/英）
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キーワード(7)（和/英）
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キーワード(8)（和/英）
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第1著者 氏名（和/英/ヨミ）
塚本 康正
/
Yasumasa Tsukamoto
/
ツカモト ヤスマサ
第1著者 所属（和/英）
ルネサステクノロジ
(略称：
ルネサステクノロジ
)
Renesas Technology
(略称：
Renesas Technology
)
第2著者 氏名（和/英/ヨミ）
新居 浩二
/
Koji Nii
/
ニイ コウジ
第2著者 所属（和/英）
ルネサステクノロジ
(略称：
ルネサステクノロジ
)
Renesas Technology
(略称：
Renesas Technology
)
第3著者 氏名（和/英/ヨミ）
今岡 進
/
Susumu Imaoka
/
イマオカ ススム
第3著者 所属（和/英）
ルネサスデザインコーポレーション
(略称：
ルネサスデザイン
)
Renesas Design Corporation
(略称：
Renesas Design
)
第4著者 氏名（和/英/ヨミ）
小田 祐士
/
Yuji Oda
/
オダ ユウジ
第4著者 所属（和/英）
シキノハイテック
(略称：
シキノハイテック
)
Shikino High-Tech
(略称：
Shikino High-Tech.
)
第5著者 氏名（和/英/ヨミ）
大林 茂樹
/
Shigeki Ohbayashi
/
オオバヤシ シゲキ
第5著者 所属（和/英）
ルネサステクノロジ
(略称：
ルネサステクノロジ
)
Renesas Technology
(略称：
Renesas Technology
)
第6著者 氏名（和/英/ヨミ）
薮内 誠
/
Makoto Yabuuchi
/
ヤブウチ マコト
第6著者 所属（和/英）
ルネサステクノロジ
(略称：
ルネサステクノロジ
)
Renesas Technology
(略称：
Renesas Technology
)
第7著者 氏名（和/英/ヨミ）
牧野 博之
/
Hiroshi Makino
/
マキノ ヒロシ
第7著者 所属（和/英）
ルネサステクノロジ
(略称：
ルネサステクノロジ
)
Renesas Technology
(略称：
Renesas Technology
)
第8著者 氏名（和/英/ヨミ）
石橋 孝一郎
/
Koichiro Ishibashi
/
イシバシ コウイチロウ
第8著者 所属（和/英）
ルネサステクノロジ
(略称：
ルネサステクノロジ
)
Renesas Technology
(略称：
Renesas Technology
)
第9著者 氏名（和/英/ヨミ）
篠原 尋史
/
Hirofumi Shinohara
/
シノハラ ヒロフミ
第9著者 所属（和/英）
ルネサステクノロジ
(略称：
ルネサステクノロジ
)
Renesas Technology
(略称：
Renesas Technology
)
第10著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第10著者 所属（和/英）
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第11著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第11著者 所属（和/英）
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第12著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第12著者 所属（和/英）
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第13著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第13著者 所属（和/英）
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第14著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第15著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第16著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第17著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第18著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第19著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第19著者 所属（和/英）
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第20著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第20著者 所属（和/英）
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第21著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第21著者 所属（和/英）
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第22著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第22著者 所属（和/英）
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第23著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第23著者 所属（和/英）
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第24著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第24著者 所属（和/英）
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第25著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第25著者 所属（和/英）
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第26著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第26著者 所属（和/英）
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第27著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第27著者 所属（和/英）
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第28著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第28著者 所属（和/英）
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第29著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第29著者 所属（和/英）
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第30著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第30著者 所属（和/英）
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第31著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第31著者 所属（和/英）
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第32著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第32著者 所属（和/英）
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第33著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第33著者 所属（和/英）
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第34著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第34著者 所属（和/英）
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第35著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第35著者 所属（和/英）
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第36著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第36著者 所属（和/英）
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講演者
第1著者
発表日時
2006-04-14 13:50:00
発表時間
25分
申込先研究会
ICD
資料番号
ICD2006-18
巻番号（vol）
vol.106
号番号（no）
no.2
ページ範囲
pp.97-102
ページ数
6
発行日
2006-04-06 (ICD)
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