| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2006-04-14 11:15
DRAM技術を用いて特性を改善した16M SRAM
○木原雄治・中嶋 泰・井筒 隆・中本正幸（ルネサステクノロジ）・吉原 務（早大） |
| 抄録 |
（和） |
0.15umのDRAM技術とTFT技術を用いてメモリセルサイズが0.98um2の16M 低消費電力SRAM を開発した。新技術を用いたメモリセルは特別な投資もなく十分な低消費電力と低コスト、更に低ソフトエラー耐量を実現した。更にSRAMと完全な互換性も確保したことにより、一般産業と携帯端末のSRAMユーザーにおいては、この新構造SRAM採用の動きが進んでいる。 |
| （英） |
A 16Mbit Low Power SRAM with 0.98um2 cells using 0.15um DRAM and TFT technology has been developed. A new type memory cell technology achieves enough low power, low cost and high soft error immunity without large investment. By these improved characteristics some customers at industrial machines and handy devices decided to use this new type of SRAM by compatibility with SRAM. |
| キーワード |
（和） |
SRAM / SuperSRAM / ソフトエラーフリー / 低電圧動作 / 小面積SRAMメモリセル / / / |
| （英） |
SRAM / SuperSRAM / Soft error free / Low voltage operation / Small size SRAM memory cell / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 2, ICD2006-15, pp. 81-84, 2006年4月. |
| 資料番号 |
ICD2006-15 |
| 発行日 |
2006-04-06 (ICD) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
ICD |
| 開催期間 |
2006-04-13 - 2006-04-14 |
| 開催地（和） |
大分大学 |
| 開催地（英） |
Oita University |
| テーマ（和） |
新メモリ技術とシステムLSI <オーガナイザ：山内寛行（福岡工業大学）> |
| テーマ（英） |
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| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
ICD |
| 会議コード |
2006-04-ICD |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
DRAM技術を用いて特性を改善した16M SRAM |
| サブタイトル（和） |
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| タイトル（英） |
DRAM技術を用いた16M SRAM |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
SRAM / SRAM |
| キーワード(2)（和/英） |
SuperSRAM / SuperSRAM |
| キーワード(3)（和/英） |
ソフトエラーフリー / Soft error free |
| キーワード(4)（和/英） |
低電圧動作 / Low voltage operation |
| キーワード(5)（和/英） |
小面積SRAMメモリセル / Small size SRAM memory cell |
| キーワード(6)（和/英） |
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| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
木原 雄治 / Yuji Kihara / キハラ ユウジ |
| 第1著者 所属（和/英） |
ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ)
Renesas Technology (略称： Renesas) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
中嶋 泰 / Yasushi Nakashima / カナシマ ヤスシ |
| 第2著者 所属（和/英） |
ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ)
Renesas Technology (略称： Renesas) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
井筒 隆 / Takashi Izutsu / イヅツ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） |
ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ)
Renesas Technology (略称： Renesas) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
中本 正幸 / Masayuki Nakamoto / ナカモト マサヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） |
ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ)
Renesas Technology (略称： Renesas) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
吉原 務 / Tsutomu Yoshihara / ヨシハラ ツトム |
| 第5著者 所属（和/英） |
早稲田大学大学院 (略称： 早大)
Waseda University Graduated School (略称： Waseda Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第6著者 所属（和/英） |
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| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第36著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第36著者 所属（和/英） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2006-04-14 11:15:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
ICD |
| 資料番号 |
ICD2006-15 |
| 巻番号（vol） |
vol.106 |
| 号番号（no） |
no.2 |
| ページ範囲 |
pp.81-84 |
| ページ数 |
4 |
| 発行日 |
2006-04-06 (ICD) |