講演抄録/キーワード |
講演名 |
2006-04-14 11:15
DRAM技術を用いて特性を改善した16M SRAM ○木原雄治・中嶋 泰・井筒 隆・中本正幸(ルネサステクノロジ)・吉原 務(早大) エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2006-15 |
抄録 |
(和) |
0.15umのDRAM技術とTFT技術を用いてメモリセルサイズが0.98um2の16M 低消費電力SRAM を開発した。新技術を用いたメモリセルは特別な投資もなく十分な低消費電力と低コスト、更に低ソフトエラー耐量を実現した。更にSRAMと完全な互換性も確保したことにより、一般産業と携帯端末のSRAMユーザーにおいては、この新構造SRAM採用の動きが進んでいる。 |
(英) |
A 16Mbit Low Power SRAM with 0.98um2 cells using 0.15um DRAM and TFT technology has been developed. A new type memory cell technology achieves enough low power, low cost and high soft error immunity without large investment. By these improved characteristics some customers at industrial machines and handy devices decided to use this new type of SRAM by compatibility with SRAM. |
キーワード |
(和) |
SRAM / SuperSRAM / ソフトエラーフリー / 低電圧動作 / 小面積SRAMメモリセル / / / |
(英) |
SRAM / SuperSRAM / Soft error free / Low voltage operation / Small size SRAM memory cell / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 2, ICD2006-15, pp. 81-84, 2006年4月. |
資料番号 |
ICD2006-15 |
発行日 |
2006-04-06 (ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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