お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2006-04-14 11:15
DRAM技術を用いて特性を改善した16M SRAM
木原雄治中嶋 泰井筒 隆中本正幸ルネサステクノロジ)・吉原 務早大エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2006-15
抄録 (和) 0.15umのDRAM技術とTFT技術を用いてメモリセルサイズが0.98um2の16M 低消費電力SRAM を開発した。新技術を用いたメモリセルは特別な投資もなく十分な低消費電力と低コスト、更に低ソフトエラー耐量を実現した。更にSRAMと完全な互換性も確保したことにより、一般産業と携帯端末のSRAMユーザーにおいては、この新構造SRAM採用の動きが進んでいる。 
(英) A 16Mbit Low Power SRAM with 0.98um2 cells using 0.15um DRAM and TFT technology has been developed. A new type memory cell technology achieves enough low power, low cost and high soft error immunity without large investment. By these improved characteristics some customers at industrial machines and handy devices decided to use this new type of SRAM by compatibility with SRAM.
キーワード (和) SRAM / SuperSRAM / ソフトエラーフリー / 低電圧動作 / 小面積SRAMメモリセル / / /  
(英) SRAM / SuperSRAM / Soft error free / Low voltage operation / Small size SRAM memory cell / / /  
文献情報 信学技報, vol. 106, no. 2, ICD2006-15, pp. 81-84, 2006年4月.
資料番号 ICD2006-15 
発行日 2006-04-06 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2006-15

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2006-04-13 - 2006-04-14 
開催地(和) 大分大学 
開催地(英) Oita University 
テーマ(和) 新メモリ技術とシステムLSI <オーガナイザ:山内寛行(福岡工業大学)> 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2006-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) DRAM技術を用いて特性を改善した16M SRAM 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) DRAM技術を用いた16M SRAM 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SRAM / SRAM  
キーワード(2)(和/英) SuperSRAM / SuperSRAM  
キーワード(3)(和/英) ソフトエラーフリー / Soft error free  
キーワード(4)(和/英) 低電圧動作 / Low voltage operation  
キーワード(5)(和/英) 小面積SRAMメモリセル / Small size SRAM memory cell  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 木原 雄治 / Yuji Kihara / キハラ ユウジ
第1著者 所属(和/英) ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology (略称: Renesas)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 中嶋 泰 / Yasushi Nakashima / カナシマ ヤスシ
第2著者 所属(和/英) ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology (略称: Renesas)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 井筒 隆 / Takashi Izutsu / イヅツ タカシ
第3著者 所属(和/英) ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology (略称: Renesas)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 中本 正幸 / Masayuki Nakamoto / ナカモト マサヒロ
第4著者 所属(和/英) ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology (略称: Renesas)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉原 務 / Tsutomu Yoshihara / ヨシハラ ツトム
第5著者 所属(和/英) 早稲田大学大学院 (略称: 早大)
Waseda University Graduated School (略称: Waseda Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2006-04-14 11:15:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 ICD2006-15 
巻番号(vol) vol.106 
号番号(no) no.2 
ページ範囲 pp.81-84 
ページ数
発行日 2006-04-06 (ICD) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会