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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2006-04-18 15:30 ESDガンの片面PCBへの接触放電に対するFDTDシミュレーション ○上山博也・近藤崇文・平田晃正・藤原 修（名工大）・前野 剛（デンソー）  EMCJ2006-6 |
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| 抄録 | （和） | 帯電金属体の静電気放電(ElectroStatic Discharge: ESD)で生ずる過渡的電磁雑音はハイテク機器ほど深刻な電磁干渉を引き起こすことが知られ，それ故にESDに対する機器イミュニティの重要性が叫ばれている．殊に車載電子機器は厳しい電磁環境下におかれ，搭載機器もハイテク化の傾向にあるが，その一部には構成が簡易で低価格の片面プリント回路基板(片面PCB)が使用される場合がある．片面PCBは現状では電磁雑音に対する耐性に問題はないとされるが，その詳細は明らかでない．一方，国際電気標準会議(International Electro-technical Commission: IEC)では，ESDに対する機器イミュニティの試験法をIEC61000-4-2で規定しており，静電気試験器(ESDガン)の放電電流に対する耐性試験を通過した機器はイミュニティに問題はないとされる．本稿では，片面PCBの電磁雑音に対する耐性の解明を目的とし，筆者らの開発になるESDガンのFDTD(Finite-Difference Time-Domain)モデルで車載電子機器の筐体を想定したグラウンドに対し接触放電を行った際の，片面PCBの信号線路に誘起される電圧波形と近傍磁界のFDTDシミュレーションを試みた．その結果， ESDガンの充放電を切り替える電磁弁部と信号線路が近接する試験条件では，ESDガンの近傍磁界や放電電流はシミュレートできているにも拘わらず，信号線路の誘導電圧波形にはシミュレーションと実験結果との差異が生じたこと，ESDガンを回転させ電磁弁部を信号線路から遠ざけた場合には近傍磁界と放電電流波形に変化はないものの誘導電圧のシミュレーションと実験は概ね一致したこと，などがわかった．この結果から，信号線路上の誘導電圧はESDガンの放電電流の他にESDガンと信号線路との直接的な電界結合で生ずることが推測され，この場合のシミュレーション上の問題はESDガンのFDTDモデルで電磁弁部に対応するモデリングがなかったことに起因することがわかった． |
| （英） | The electromagnetic (EM) noise caused by electrostatic discharge (ESD) events due to charged metals is a major source of malfunction to high-tech equipment. Especially, electronic devices and equipment for vehicles are being used in strict EM environment, and there is a tendency for high-tech equipment to increase also in cars. However, single-sided printed circuit boards (PCBs) are still used for that electronic equipment due to simplified fabrication and low production costs. The PCBs of this kind is said to have some immunity to EM noises so far, while its mechanism has remain unknown. The ESD immunity testing is being specified in the IEC61000-4-2, which prescribes the current waveform from an ESD-gun. In this study, with our previously developed FDTD model of the ESD-gun, we simulated the induced voltage in a signal trace fabricated on a single-sided PCB together with magnetic near-field. As a result, we found that there were some discrepancies between simulated and measured voltages induced in the trace despite good agreement between simulation and measurement of the magnetic near-field when the ESD-gun was placed close to the trace, and that fair agreement was observed in simulated and measured induced voltage waveforms when the ESD-gun was rotated so as to be away from the trace. These findings suggest that the induced voltages may be caused by the injected discharge current and the electric coupling between the trace and the EM valve installed in the ESD-gun, and that the simulation problem in this case is due to lack of FDTD modeling corresponding to the EM valve. | |
| キーワード | （和） | ESD / 片面PCB / ESDガン / 誘導電圧 / FDTDシミュレーション / / / |
| （英） | ESD / single-sided PCB / ESD-gun / induced voltage / FDTD Simulation / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 106, no. 10, EMCJ2006-6, pp. 31-35, 2006年4月. | |
| 資料番号 | EMCJ2006-6 | |
| 発行日 | 2006-04-11 (EMCJ) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EMCJ2006-6 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMCJ |
| 開催期間 | 2006-04-18 - 2006-04-18 |
| 開催地（和） | 青山学院大学 青山キャンパス |
| 開催地（英） | Aoyama Gakuin Univ. (Aoyama Campus) |
| テーマ（和） | EMC対策／一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | EMCJ |
| 会議コード | 2006-04-EMCJ |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ESDガンの片面PCBへの接触放電に対するFDTDシミュレーション |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | FDTD Simulation of Contact Discharge to Single Sided PCB by an ESD-gun |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ESD / ESD |
| キーワード(2)（和/英） | 片面PCB / single-sided PCB |
| キーワード(3)（和/英） | ESDガン / ESD-gun |
| キーワード(4)（和/英） | 誘導電圧 / induced voltage |
| キーワード(5)（和/英） | FDTDシミュレーション / FDTD Simulation |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上山 博也 / Hiroya Ueyama / ウエヤマ ヒロヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 近藤 崇文 / Takafumi Kondo / コンドウ タカフミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平田 晃正 / Akimasa Hirata / ヒラタ アキマサ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤原 修 / Osamu Fujiwara / フジワラ オサム |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前野 剛 / Tsuyoshi Maeno / マエノ ツヨシ |
| 第5著者 所属（和/英） | デンソー (略称： デンソー) DENSO Corporation (略称： DENSO) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2006-04-18 15:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | EMCJ |
| 資料番号 | EMCJ2006-6 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | no.10 |
| ページ範囲 | pp.31-35 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2006-04-11 (EMCJ) |
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