| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2006-04-20 10:25
MOD法によるBi-2212薄膜の面内配向性制御
○内山哲治（東工大）・内田貴司（防衛大） |
| 抄録 |
（和） |
高周波応用を目指し，誘電率の低いMgO基板上にBi2Sr2CaCu2Ox (Bi-2212)薄膜を有機金属分解（MOD）法で作製した．一般に，Bi-2212とMgOはab面での格子不整合性が8.9%と大きく，MgO（100）基板上に作製したc-軸配向Bi-2212薄膜の面内配向は，cube-on-cube （Bi-2212[100] // MgO[110]；回転角 = 45°）の他に ~ ±12°（Bi-2212[100] // MgO[510]）の配向が成長することが知られている．この面内配向を制御するために，我々はBi-2212と格子整合性のよいSrTiO3 (STO)薄膜をバッファー層として利用した．MgO基板上にSTO，Bi-2212を共にMOD法で作製した試料は，cube-ob-cube成長（Bi-2212[100] // STO[110] // MgO[110]）のみを持つ面内配向制御された薄膜であることがわかった． |
| （英） |
We have prepared Bi2Sr2CaCu2Ox (Bi-2212) thin films on MgO (100) substrate by a metal-organic decomposition (MOD) method for high-frequency applications. The lattice mismatching rate in ab-plane between Bi-2212 and MgO is 8.9 %, and it was reported that the in-plane-orientation had small fractions of rotation angle  ~ ±12 deg. in addition to a cube-on-cube textured growth. In order to overcome the problem of these fractions, we fabricated a SrTiO3 (STO) buffer layer on MgO substrate by MOD method because the lattice mismatching rate between STO and Bi-2212 is 1.8 %. The in-plane rotation angle of Bi-2212 fabricated on STO buffer layer / MgO substrate evaluated by an X-ray diffraction method showed all cube-on-cube textured growth without any fractions. |
| キーワード |
（和） |
Bi2Sr2CaCu2Ox薄膜 / SrTiO3バッファー層 / MgO基板 / 面内配向 / 急速熱処理（RTP） / 有機金属分解（MOD）法 / / |
| （英） |
Bi2Sr2CaCu2Ox thin films / SrTiO3 buffer layer / MgO substrate / In-plane-orientation / Rapid thermal process (RTP) / Metal-organic decomposition (MOD) method / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 11, SCE2006-4, pp. 19-24, 2006年4月. |
| 資料番号 |
SCE2006-4 |
| 発行日 |
2006-04-13 (SCE, MW) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
SCE MW |
| 開催期間 |
2006-04-20 - 2006-04-20 |
| 開催地（和） |
超電導工学研究所 (東雲) |
| 開催地（英） |
ISTEC-SRL (Shinonome) |
| テーマ（和） |
マイクロ波, 超伝導, 一般 |
| テーマ（英） |
microwave, superconductivity, etc. |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
SCE |
| 会議コード |
2006-04-SCE-MW |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
MOD法によるBi-2212薄膜の面内配向性制御 |
| サブタイトル（和） |
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| タイトル（英） |
Control of in-plane-orientation of Bi-2212 thin films prepared by MOD method |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
Bi2Sr2CaCu2Ox薄膜 / Bi2Sr2CaCu2Ox thin films |
| キーワード(2)（和/英） |
SrTiO3バッファー層 / SrTiO3 buffer layer |
| キーワード(3)（和/英） |
MgO基板 / MgO substrate |
| キーワード(4)（和/英） |
面内配向 / In-plane-orientation |
| キーワード(5)（和/英） |
急速熱処理（RTP） / Rapid thermal process (RTP) |
| キーワード(6)（和/英） |
有機金属分解（MOD）法 / Metal-organic decomposition (MOD) method |
| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
内山 哲治 / Tetsuji Uchiyama / ウチヤマ テツジ |
| 第1著者 所属（和/英） |
東京工業大学 (略称： 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
内田 貴司 / Takashi Uchida / ウチダ タカシ |
| 第2著者 所属（和/英） |
防衛大学校 (略称： 防衛大)
National Defense Academy (略称： N. D. A.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2006-04-20 10:25:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
SCE |
| 資料番号 |
SCE2006-4, MW2006-4 |
| 巻番号（vol） |
vol.106 |
| 号番号（no） |
no.11(SCE), no.12(MW) |
| ページ範囲 |
pp.19-24 |
| ページ数 |
6 |
| 発行日 |
2006-04-13 (SCE, MW) |
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