| 研究会情報 |
| 研究会 |
ED CPM SDM |
| 開催期間 |
2006-05-18 - 2006-05-19 |
| 開催地（和） |
豊橋技術科学大学ＶＢＬ |
| 開催地（英） |
VBL, Toyohashi University of Technology |
| テーマ（和） |
結晶成長評価及びデバイス（化合物、Si、SiGe、その他の電子材料） |
| テーマ（英） |
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| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
SDM |
| 会議コード |
2006-05-ED-CPM-SDM |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
酸化膜還元法による極薄エピタキシャルγ-Al2O3膜の作製とデバイス応用 |
| サブタイトル（和） |
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| タイトル（英） |
Fabrication of epitaxial γ-Al2O3 thin films by an oxide reduction method and its device applications |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
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| キーワード(2)（和/英） |
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| キーワード(3)（和/英） |
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| キーワード(4)（和/英） |
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| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
岡田 貴行 / Takayuki Okada / オカダ タカユキ |
| 第1著者 所属（和/英） |
豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
伊藤 幹記 / Mikinori Ito / イトウ ミキノリ |
| 第2著者 所属（和/英） |
豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
澤田 和明 / Kazuaki Sawada / サワダ カズアキ |
| 第3著者 所属（和/英） |
豊橋技術科学大学/JST-CREST (略称： 豊橋技科大/JST)
Toyohashi University of Technology/JST-CREST (略称： Toyohashi Univ. of Tech./JST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
石田 誠 / Makoto Ishida / イシダ マコト |
| 第4著者 所属（和/英） |
豊橋技術科学大学/JST-CREST (略称： 豊橋技科大/JST)
Toyohashi University of Technology/JST-CREST (略称： Toyohashi Univ. of Tech./JST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第26著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第27著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第29著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第30著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第31著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第32著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第33著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第34著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第35著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第36著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第36著者 所属（和/英） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2006-05-18 14:15:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
SDM |
| 資料番号 |
ED2006-23, CPM2006-10, SDM2006-23 |
| 巻番号（vol） |
vol.106 |
| 号番号（no） |
no.45(ED), no.46(CPM), no.47(SDM) |
| ページ範囲 |
pp.15-20 |
| ページ数 |
6 |
| 発行日 |
2006-05-11 (ED, CPM, SDM) |