| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2006-05-19 10:15
Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造
○梅野和行・金 聖晩・古川雄三・米津宏雄・若原昭浩（豊橋技科大） |
| 抄録 |
（和） |
SiとIII-V-N混晶を用いた光電子集積回路における発光素子への応用を目的とし，直接遷移型InGaPN/GaPN量子井戸(QW)構造をRF-MBE法により500ºCで成長した．Band Anti-Crossing モデルを仮定してInGaPNのバンドギャップを求め，InGaPN/GaPN歪QW構造のバンドアラインメントを推定した．その結果，1~2 %のN組成を有するInGaPN/GaPN QW構造において，価電子帯バンドオフセットは200~300 meV得られるが，伝導帯バンドオフセットはほとんど得られないことが明らかになった．300 meV以上の伝導帯バンドオフセットを得るためには，井戸層に4 %以上のNを必要とすることを示した． |
| （英） |
Direct-transition InGaPN/GaPN quantum well (QW) structures were grown on GaP substrates by RF-MBE at 500ºC for application of light emitting devices in monolithic optoelectronic integrated circuits (OEICs) on Si substrates. The bandgap of InGaPN alloys was calculated by the Band Anti-Crossing (BAC) model. The band alignments of the InGaPN/GaPN strained QW structures were estimated. As a result, the valence band offsets of the InGaPN/GaPN QWs with N concentration of 1~2 % were 200~300 meV, while conduction band offsets were very small. It was shown that an InGaPN quantum well layer needed an N concentration more than ~4% to obtain the conduction band offset above 300 meV. |
| キーワード |
（和） |
Si / 光電子集積回路 / InGaPN / GaAsPN / III-V-N / 希薄窒化物 / 光インターコネクション / OEIC |
| （英） |
Si / OEIC / InGaPN / GaAsPN / III-V-N / dilute nitride / optical interconnection / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 45, ED2006-32, pp. 67-72, 2006年5月. |
| 資料番号 |
ED2006-32 |
| 発行日 |
2006-05-11 (ED, CPM, SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
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