| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2006-06-21 16:00 金属電極/High-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響 ○大毛利健治（物質・材料研究機構）・Parhat Ahmet（東工大）・白石賢二（筑波大）・渡部平司（阪大）・赤坂泰志（半導体先端テクノロジーズ）・山部紀久雄（筑波大）・吉武道子（物質・材料研究機構）・K. S. Chang・M. L. Green（NIST）・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大）・知京豊裕（物質・材料研究機構） エレソ技報アーカイブへのリンク：  SDM2006-48 |
|
| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 106, no. 108, SDM2006-48, pp. 37-41, 2006年6月. | |
| 資料番号 | SDM2006-48 | |
| 発行日 | 2006-06-14 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2006-48 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2006-06-21 - 2006-06-22 |
| 開催地（和） | 広島大学, 学士会館 |
| 開催地（英） | Faculty Club, Hiroshima Univ. |
| テーマ（和） | ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 |
| テーマ（英） | Science and Technologies of Dielectric Thin Films for Future Electron Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2006-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 金属電極/High-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electric Properties on High-k Capacitors with Work-Function Tuned Metal Electrodes |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
| キーワード(2)（和/英） | / |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大毛利 健治 / Kenji Ohmori / オオモリ ケンジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for Materials Science (略称： NIMS) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | Parhat Ahmet / Parhat Ahmet / パールハット アーメット |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： TIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 白石 賢二 / Kenji Shiraishi / シライシ ケンジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) Univ. of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡部 平司 / Heiji Watanabe / ワタナベ ヘイジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka Univ. (略称： Osaka Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤坂 泰志 / Yasushi Akasaka / アカサカ ヤスシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 半導体テクノロジーズ (略称： 半導体先端テクノロジーズ) Semiconductor Leading Edge Technologies (略称： Selete) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山部 紀久雄 / Kikuo Yamabe / ヤマベ キクオ |
| 第6著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) Univ. of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉武 道子 / Michiko Yoshitake / ヨシタケ ミチコ |
| 第7著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for Materials Science (略称： NIMS) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | K. S. Chang / K. S. Chang / |
| 第8著者 所属（和/英） | National Institute for Standards and Technology (略称： NIST) National Institute for Standards and Technology (略称： NIST) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | M. L. Green / M. L. Green / |
| 第9著者 所属（和/英） | National Institute for Standards and Technology (略称： NIST) National Institute for Standards and Technology (略称： NIST) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 奈良 安雄 / Yasuo Nara / ナラ ヤスオ |
| 第10著者 所属（和/英） | 半導体テクノロジーズ (略称： 半導体先端テクノロジーズ) Semiconductor Leading Edge Technologies (略称： Selete) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 啓作 / Keisaku Yamada / ヤマダ ケイサク |
| 第11著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda Univ. (略称： Waseda Univ.) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 知京 豊裕 / Toyohiro Chikyow / チキョウ トヨヒロ |
| 第12著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for Materials Science (略称： NIMS) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2006-06-21 16:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2006-48 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | no.108 |
| ページ範囲 | pp.37-41 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2006-06-14 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]