| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2006-06-21 16:50
シリコン表面マイクロラフネスの発生メカニズムと低減技術
○森永 均・島岡健治・大見忠弘（東北大） |
| 抄録 |
（和） |
シリコン表面のマイクロラフネスはウェットプロセス中に増大する。ラフネス発生機構を詳細に解析した結果、ラフネスは、驚くべき事にクリーンルーム内の光の影響を強く受けている事が判った。液中の溶存酸素もラフネス増大の一因となっている。シリコン表面に光や酸素が作用すると、ナノあるいはサブナノサイズの酸化物が表面に局所的に出来、これがトリガーとなって突起（シリコンの方が酸化物より溶けやすい純水中やアルカリ液中の場合）やピット（酸化物の方がシリコンより溶けやすいフッ酸含有薬液中の場合）が出来るため、ラフネスが増大するものと考えられる。光を遮断し、液中の溶存酸素をなくす事で、ウェットプロセス時におけるシリコン表面のラフネス増大を抑制できるばかりか、平坦化ができる事（フッ酸含有溶液の場合）が見いだされた。 |
| （英） |
It is known that silicon surfaces are roughened with wet processes. It was revealed that light, such as fluorescent light used prevalently in the clean room, surprisingly affects the oxidation of silicon (photoinduced oxidation) and causes roughness (photoinduced roughness). The origin of the roughness was considered to be the large numbers of nano- or sub-nanosize oxides induced by the light illumination. Roughness could be improved by light shading, but we have found that very small hillocks were induced even in a dark ambient environment. In this case, dissolved oxygen in the solution has affected the roughness. The silicon surface is found to be barely roughened even in such alkali solutions as ammonia solutions when processed in an environment without oxygen and light. Moreover, it was found that HF treatment in the absence of light and oxygen has a planarizing effect. |
| キーワード |
（和） |
シリコン / ラフネス / 酸化 / 光誘起酸化 / 光誘起ラフネス / / / |
| （英） |
silicon / roughness / oxidation / photoinduced roughness / photoinduced oxidation / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 108, SDM2006-50, pp. 49-54, 2006年6月. |
| 資料番号 |
SDM2006-50 |
| 発行日 |
2006-06-14 (SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
| PDFダウンロード |
|
| 研究会情報 |
| 研究会 |
SDM |
| 開催期間 |
2006-06-21 - 2006-06-22 |
| 開催地（和） |
広島大学, 学士会館 |
| 開催地（英） |
Faculty Club, Hiroshima Univ. |
| テーマ（和） |
ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 |
| テーマ（英） |
Science and Technologies of Dielectric Thin Films for Future Electron Devices |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
SDM |
| 会議コード |
2006-06-SDM |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
シリコン表面マイクロラフネスの発生メカニズムと低減技術 |
| サブタイトル（和） |
* |
| タイトル（英） |
Surface Microroughness of Silicon |
| サブタイトル（英） |
Mechanism and Its Reduction |
| キーワード(1)（和/英） |
シリコン / silicon |
| キーワード(2)（和/英） |
ラフネス / roughness |
| キーワード(3)（和/英） |
酸化 / oxidation |
| キーワード(4)（和/英） |
光誘起酸化 / photoinduced roughness |
| キーワード(5)（和/英） |
光誘起ラフネス / photoinduced oxidation |
| キーワード(6)（和/英） |
/ |
| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
森永 均 / Hitoshi Morinaga / モリナガ ヒトシ |
| 第1著者 所属（和/英） |
東北大学 (略称： 東北大)
Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
島岡 健治 / Kenji Shimaoka / シマオカ ケンジ |
| 第2著者 所属（和/英） |
東北大学 (略称： 東北大)
Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi / オオミ タダヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） |
東北大学 (略称： 東北大)
Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2006-06-21 16:50:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
SDM |
| 資料番号 |
SDM2006-50 |
| 巻番号（vol） |
vol.106 |
| 号番号（no） |
no.108 |
| ページ範囲 |
pp.49-54 |
| ページ数 |
6 |
| 発行日 |
2006-06-14 (SDM) |