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講演抄録／キーワード
講演名 2006-06-21 14:55
低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価
○上殿明良・大塚　崇・伊東健一・白石賢二・山部紀久夫（筑波大）・宮崎誠一（広島大）・梅澤直人・知京豊裕（物質・材料研究機構）・大平俊行・鈴木良一（産総研）・犬宮誠治・神山　聡（半導体先端テクノロジーズ）・赤坂泰志（東京エレクトロン）・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大）
抄録 （和） (まだ登録されていません) 
（英） (Not available yet)
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文献情報 信学技報, vol. 106, no. 108, SDM2006-46, pp. 25-30, 2006年6月.
資料番号 SDM2006-46 
発行日 2006-06-14 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685
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研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2006-06-21 - 2006-06-22 
開催地（和） 広島大学, 学士会館 
開催地（英） Faculty Club, Hiroshima Univ. 
テーマ（和） ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 
テーマ（英） Science and Technologies of Dielectric Thin Films for Future Electron Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2006-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル（和） 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価 
サブタイトル（和）  
タイトル（英） Characterization of open volumes in high-k gate dielectrics by using monoenergetic positron beams 
サブタイトル（英）  
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第1著者 氏名（和/英/ヨミ） 上殿 明良 / Akira Uedono / ウエドノ アキラ
第1著者 所属（和/英） 筑波大学 (略称： 筑波大)
University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba)
第2著者 氏名（和/英/ヨミ） 大塚 崇 / T. Otsuka / オオツカ タカシ
第2著者 所属（和/英） 筑波大学 (略称： 筑波大)
University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba)
第3著者 氏名（和/英/ヨミ） 伊東 健一 / K. Ito / イトウ ケンイチ
第3著者 所属（和/英） 筑波大学 (略称： 筑波大)
University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba)
第4著者 氏名（和/英/ヨミ） 白石 賢二 / K. Shiraishi / シライシ ケンジ
第4著者 所属（和/英） 筑波大学 (略称： 筑波大)
University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba)
第5著者 氏名（和/英/ヨミ） 山部 紀久夫 / Kikuo Yamabe / ヤマベ キクオ
第5著者 所属（和/英） 筑波大学 (略称： 筑波大)
University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba)
第6著者 氏名（和/英/ヨミ） 宮崎 誠一 / Seiichi Miyazaki / ミヤザキ セイイチ
第6著者 所属（和/英） 広島大学 (略称： 広島大)
Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.)
第7著者 氏名（和/英/ヨミ） 梅澤 直人 / Naoto Umezawa / ウメザワ ナオト
第7著者 所属（和/英） 物質・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構)
NIMS (略称： NIMS)
第8著者 氏名（和/英/ヨミ） 知京 豊裕 / Toyohiro Chikyow / チキョウ トヨヒロ
第8著者 所属（和/英） 物質・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構)
NIMS (略称： NIMS)
第9著者 氏名（和/英/ヨミ） 大平 俊行 / Toshiyuki Ohdaira / オオダイラ トシユキ
第9著者 所属（和/英） 産総研 (略称： 産総研)
AIST (略称： AIST)
第10著者 氏名（和/英/ヨミ） 鈴木 良一 / R. Suzuki / スズキ リョウイチ
第10著者 所属（和/英） 産総研 (略称： 産総研)
AIST (略称： AIST)
第11著者 氏名（和/英/ヨミ） 犬宮 誠治 / Seiji Inumiya / イヌミヤ セイジ
第11著者 所属（和/英） 半導体先端テクノロジーズ (略称： 半導体先端テクノロジーズ)
Selete (略称： Selete)
第12著者 氏名（和/英/ヨミ） 神山 聡 / Satoshi Kamiyama / カミヤマ サトシ
第12著者 所属（和/英） 半導体先端テクノロジーズ (略称： 半導体先端テクノロジーズ)
Selete (略称： Selete)
第13著者 氏名（和/英/ヨミ） 赤坂 泰志 / Yasushi Akasaka /
第13著者 所属（和/英） 東京エレクトロン (略称： 東京エレクトロン)
Tokyo Electron Limited (略称： TEL)
第14著者 氏名（和/英/ヨミ） 奈良 安雄 / Yasuo Nara / ナラ ヤスオ
第14著者 所属（和/英） 半導体先端テクノロジーズ (略称： 半導体先端テクノロジーズ)
Selete (略称： Selete)
第15著者 氏名（和/英/ヨミ） 山田 啓作 / Keisaku Yamada / ヤマダ ケイサク
第15著者 所属（和/英） 早稲田大学 (略称： 早大)
Waseda University (略称： Waseda Uni.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2006-06-21 14:55:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2006-46 
巻番号（vol） vol.106 
号番号（no） no.108 
ページ範囲 pp.25-30 
ページ数 6 
発行日 2006-06-14 (SDM) 

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