| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2006-06-21 16:25
NiSi/SiO2界面近傍の化学結合状態およびNiSi 層の実効仕事関数評価
○吉永博路・東 大介・村上秀樹・大田晃生・宗高勇気・東 清一郎・宮崎誠一（広島大）・青山敬幸・保坂公彦（富士通研）・芝原健太郎（広島大） |
| 抄録 |
（和） |
不純物(Sb、As 、PおよびB)添加したNi-silicideを熱酸化シリコン酸化膜（SiO2）上に形成し、Si基板を化学溶液エッチングにより除去して、絶縁膜側からNi-silicide/SiO2界面のシリサイド構造をラマン散乱分光で評価すると共に界面化学結合状態および実効仕事関数をX線光電子分光法により評価した。Ni-silicide表面側のラマン散乱分光測定では、モノシリサイド相のみならず、Niリッチ相やSiリッチ相も検出された。これに対して、Ni-silicide/SiO2界面からの観測では、主にモノシリサイド相が観測され、僅かながらSiリッチ相が認められるものの、Niリッチ相は観測されなかった。XPS分析の結果からも、界面極近傍で、顕著にSiリッチ組成となっていることを確認した。また、Ni-silicide/SiO2界面近傍にパイルアップしたP, Sb，Asでは、酸化成分は検知されず、一方Bでは、界面でのパイルアップは認められないが、僅かながら酸化成分が観測された。PおよびSb添加Ni-silicideで観測された界面の実効仕事関数変化は、不純物未添加の場合と類似のNi組成依存性を示すことから、界面のNi組成変化が主要因であることが示唆された。一方、B添加Ni-silicideではNi組成減少に伴う仕事関数の低下が顕著に抑制されていることが明らかになった。 |
| （英） |
Impurity (Sb, P, B or As)-implanted Ni-silicides formed on thermally-grown SiO2 were characterized by Raman scattering spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), where the Ni-silicide/SiO2 interfaces were analyzed through SiO2 for the samples after removing the Si substrate from the backside in addition to the analysis from the surface side to evaluate the correlation between the effective work function and chemical composition or impurity concentration at the interface. Raman scattering spectra measured from the Ni-silicide surface sides show that mono-silicide phase are dominant but partly Si-rich and N-rich phases coexist. On the other hand, in Raman spectra of Ni-silicides measured from the back side through SiO2 layer, no signals due to Ni-rich phase was detectable but the signals due to mostly mono-silicide phase and slightly Si-rich phase was observed. The formation of a Si-rich region at and near the Ni-silicides/SiO2 interface was also confirmed by XPS measurements from the back side. In the case with P-, Sb-, and As-implanted samples, the impurities piled up at the Ni-silicide/SiO2 interface but no oxide component of the impurities was detected. In contrast, for B-implanted case, no pile-up of B atoms but the BOx component was observed at the interface. For P- and Sb-implanted Ni-silicides, the difference in effective work function between the Ni-silicide surface and the Ni-silicide/SiO2 interface can be interpreted mainly in terms of the difference in the Ni composition since a similar change in the work function was also observed in pure Ni-silicide case. On the other hand, for the B-implanted Ni-silicide, it is suggested that the effective work function lowering with the decrease in the Ni composition is suppressed remarkably. |
| キーワード |
（和） |
Ni-silicide / 仕事関数 / ラマン散乱分光法 / Ｘ線光電子分光法 / / / / |
| （英） |
Ni-silicide / work function / Raman scattering spectroscopy / X-ray photoelectron spectroscopy / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 108, SDM2006-49, pp. 43-48, 2006年6月. |
| 資料番号 |
SDM2006-49 |
| 発行日 |
2006-06-14 (SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
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