| 研究会情報 |
| 研究会 |
SDM |
| 開催期間 |
2006-06-21 - 2006-06-22 |
| 開催地（和） |
広島大学, 学士会館 |
| 開催地（英） |
Faculty Club, Hiroshima Univ. |
| テーマ（和） |
ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 |
| テーマ（英） |
Science and Technologies of Dielectric Thin Films for Future Electron Devices |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
SDM |
| 会議コード |
2006-06-SDM |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
還元雰囲気下でのゲート電極形成プロセスによるHfo2膜の初期絶縁破壊 |
| サブタイトル（和） |
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| タイトル（英） |
unknown |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
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| キーワード(2)（和/英） |
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| キーワード(3)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
水林 亘 / Wataru Mizubayashi / ミズバヤシ ワタル |
| 第1著者 所属（和/英） |
半導体MIRAIプロジェクト、産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター (略称： 産総研)
MIRAI, Advanced Semiconductor Research Center (ASRC), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) (略称： MIRAI-ASRC, AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
小川 有人 / Arito Ogawa / オガワ アリト |
| 第2著者 所属（和/英） |
半導体MIRAIプロジェクト、技術研究組合 超先端電子技術開発機構 (ASET） (略称： 産総研)
MIRAI, Association of Super-Advanced Electronics Technology (ASET) (略称： MIRAI-ASET) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
生田目 俊秀 / Toshihide Nabatame / ナバタメ トシヒデ |
| 第3著者 所属（和/英） |
半導体MIRAIプロジェクト、技術研究組合 超先端電子技術開発機構 (ASET） (略称： 産総研)
MIRAI, Association of Super-Advanced Electronics Technology (ASET) (略称： MIRAI-ASET) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
佐竹 秀喜 / Hideki Satake / サタケ ヒデキ |
| 第4著者 所属（和/英） |
半導体MIRAIプロジェクト、技術研究組合 超先端電子技術開発機構 (ASET） (略称： 産総研)
MIRAI, Association of Super-Advanced Electronics Technology (ASET) (略称： MIRAI-ASET) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
鳥海 明 / Akira Toriumi / トリウミ アキラ |
| 第5著者 所属（和/英） |
半導体MIRAIプロジェクト、産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター、東京大学工学部 (略称： 産総研)
MIRAI, Advanced Semiconductor Research Center (ASRC), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), U (略称： MIRAI-ASRC, AIST, Univ. of Tokyo) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第35著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第36著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2006-06-22 14:15:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
SDM |
| 資料番号 |
SDM2006-61 |
| 巻番号（vol） |
vol.106 |
| 号番号（no） |
no.108 |
| ページ範囲 |
pp.107-111 |
| ページ数 |
5 |
| 発行日 |
2006-06-14 (SDM) |