| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2006-06-22 09:25
Si(110)基板上CMOSトランジスタ特性のGate酸化プロセス依存性
○桧山 晋・王 俊利・加藤孝義・平野智之・田井香織・岩元勇人（ソニー） |
| 抄録 |
（和） |
Si(110)基板上にCMOSトランジスタを形成し、正孔移動度のGate酸化プロセス依存性評価を行った。評価を行った酸化プロセスは、ラジカル酸化及びRTO酸化である。評価の結果、ラジカル酸化の正孔移動度はRTO酸化よりも約10％大きいことが分かった。また、TEM解析の結果、ラジカル酸化のSiO2/Si界面ラフネスはRTO酸化膜よりも改善していることが確認された。ラジカル酸化では界面ラフネス散乱が低減された為、正孔移動度が向上したと考えられる。 |
| （英） |
We investigated gate oxide process dependence of hole mobility on Si(110) surface. We used RTO and radical oxidization as gate oxide processes. As a result, it was found that the hole mobility of radical oxide was higher than that of RTO oxide by approximately 10%. And from the result of TEM analysis, the SiO2/Si interface roughness of radical oxide was found to be smaller than that of RTO oxide. Therefore, it was considered that the improvement of hole mobility by radical oxide was caused by reduction of interface roughness scattering. |
| キーワード |
（和） |
Si(110)基板 / 移動度 / ラジカル酸化 / 界面ラフネス / / / / |
| （英） |
Si(110)subatrate / mobility / radical oxide / interface roughness / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 108, SDM2006-53, pp. 65-69, 2006年6月. |
| 資料番号 |
SDM2006-53 |
| 発行日 |
2006-06-14 (SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
SDM |
| 開催期間 |
2006-06-21 - 2006-06-22 |
| 開催地（和） |
広島大学, 学士会館 |
| 開催地（英） |
Faculty Club, Hiroshima Univ. |
| テーマ（和） |
ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 |
| テーマ（英） |
Science and Technologies of Dielectric Thin Films for Future Electron Devices |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
SDM |
| 会議コード |
2006-06-SDM |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
Si(110)基板上CMOSトランジスタ特性のGate酸化プロセス依存性 |
| サブタイトル（和） |
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| タイトル（英） |
Gate Oxide Process Dependence of CMOS Performance on Si(110) Surface |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
Si(110)基板 / Si(110)subatrate |
| キーワード(2)（和/英） |
移動度 / mobility |
| キーワード(3)（和/英） |
ラジカル酸化 / radical oxide |
| キーワード(4)（和/英） |
界面ラフネス / interface roughness |
| キーワード(5)（和/英） |
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| キーワード(6)（和/英） |
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| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
桧山 晋 / Susumu Hiyama / ヒヤマ ススム |
| 第1著者 所属（和/英） |
ソニー株式会社 (略称： ソニー)
Sony Corporation (略称： Sony) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
王 俊利 / Junli Wang / ワン ジュンリ |
| 第2著者 所属（和/英） |
ソニー株式会社 (略称： ソニー)
Sony Corporation (略称： Sony) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
加藤 孝義 / Takayoshi Kato / カトウ タカヨシ |
| 第3著者 所属（和/英） |
ソニー株式会社 (略称： ソニー)
Sony Corporation (略称： Sony) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
平野 智之 / Tomoyuki Hirano / ヒラノ トモユキ |
| 第4著者 所属（和/英） |
ソニー株式会社 (略称： ソニー)
Sony Corporation (略称： Sony) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
田井 香織 / Kaori Tai / タイ カオリ |
| 第5著者 所属（和/英） |
ソニー株式会社 (略称： ソニー)
Sony Corporation (略称： Sony) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
岩元 勇人 / Hayato Iwamoto / イワモト ハヤト |
| 第6著者 所属（和/英） |
ソニー株式会社 (略称： ソニー)
Sony Corporation (略称： Sony) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2006-06-22 09:25:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
SDM |
| 資料番号 |
SDM2006-53 |
| 巻番号（vol） |
vol.106 |
| 号番号（no） |
no.108 |
| ページ範囲 |
pp.65-69 |
| ページ数 |
5 |
| 発行日 |
2006-06-14 (SDM) |