| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2006-06-22 11:20
極薄ゲート絶縁膜のNBTIに及ぼす窒素と水素の影響
○三谷祐一郎・佐竹秀喜（東芝） |
| 抄録 |
（和） |
極薄ゲート絶縁膜の負バイアス温度不安定性(NBTI)は、微細化の進むCMOSデバイスのPチャネルMOSFETにおいてもっとも深刻な信頼性課題の一つとされている。このNBTIのメカニズムとして、ゲート絶縁膜界面において水素結合と反転層ホールの反応と拡散で説明されている。これは、界面準位量が増加することが根拠となっている。また、窒素を導入したオキシナイトライド膜で劣化が顕著になることも知られている。しかし、そのメカニズムに関してはまだ完全に明らかにされてはいないのが現状である。本研究では極薄ゲート酸化膜のNBTIに対する窒素および水素の影響について再検討し、NBTIの発生機構について考察を行った。 |
| （英） |
NBTI(Negative Bias Temperature Instability) has become increasingly serious in the context of effort to develop highly reliable integrated CMOS devices. The NBTI has been explained in terms of interface trap creation through the dissociation of Si-H bond and subsequent diffusion of released hydrogen. In addition, nitrogen incorporation into the gate oxide enhances the NBT degradation. However, the mechanism of this NBTI has yet to be fully clarified. In this study, the influence of hydrogen and nitrogen on NBTI has been reinvestigated in order to discuss the mechanism of NBTI. |
| キーワード |
（和） |
負バイアス温度不安定性 / ゲート絶縁膜 / 信頼性 / 水素 / 窒素 / / / |
| （英） |
NBTI / gate dielectrics / reliability / hydrogen / nitrogen / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 108, SDM2006-57, pp. 87-92, 2006年6月. |
| 資料番号 |
SDM2006-57 |
| 発行日 |
2006-06-14 (SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
SDM |
| 開催期間 |
2006-06-21 - 2006-06-22 |
| 開催地（和） |
広島大学, 学士会館 |
| 開催地（英） |
Faculty Club, Hiroshima Univ. |
| テーマ（和） |
ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 |
| テーマ（英） |
Science and Technologies of Dielectric Thin Films for Future Electron Devices |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
SDM |
| 会議コード |
2006-06-SDM |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
極薄ゲート絶縁膜のNBTIに及ぼす窒素と水素の影響 |
| サブタイトル（和） |
|
| タイトル（英） |
Influence of Nitrogen and Hydrogen on NBTI in Ultrathin SiON |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
負バイアス温度不安定性 / NBTI |
| キーワード(2)（和/英） |
ゲート絶縁膜 / gate dielectrics |
| キーワード(3)（和/英） |
信頼性 / reliability |
| キーワード(4)（和/英） |
水素 / hydrogen |
| キーワード(5)（和/英） |
窒素 / nitrogen |
| キーワード(6)（和/英） |
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| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
三谷 祐一郎 / Yuichiro Mitani / ミタニ ユウイチロウ |
| 第1著者 所属（和/英） |
東芝 研究開発センター (略称： 東芝)
Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
佐竹 秀喜 / Hideki Satake / サタケ ヒデキ |
| 第2著者 所属（和/英） |
東芝 研究開発センター (略称： 東芝)
Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2006-06-22 11:20:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
SDM |
| 資料番号 |
SDM2006-57 |
| 巻番号（vol） |
vol.106 |
| 号番号（no） |
no.108 |
| ページ範囲 |
pp.87-92 |
| ページ数 |
6 |
| 発行日 |
2006-06-14 (SDM) |