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講演抄録/キーワード
講演名 2006-06-30 15:50
ポリジメチルシラン及びポリジへキシルシラン薄膜の構造と物性
古川昌司大多英隆荒川 等安田 敬甲木昭彦九工大
抄録 (和) ポリジメチルシラン及びポリジへキシルシランを、それぞれ、真空蒸着法及びキャスト法により薄膜化し、X線回折等により、その主鎖の配向性を調べた。ポリジメチルシラン薄膜の配向性は真空蒸着時の薄膜成長速度、基板温度、及び真空度などを変化させることにより制御することが出来る。キャスト法により作製したポリジへキシルシラン薄膜の配向性を調べた結果、主鎖は基板表面に対し平行になっていることが分かった。本研究では、ポリジメチルシラン及びポリジへキシルシランの分子構造を念頭に置き、その理由についても考察する。また、ポリジメチルシラン薄膜の電気的特性も調べたので、それらの結果についても報告する。 
(英) Thin Films of poly(di-methyl silane) and poly(di-hexyl silane) have been prepared by the vacuum evaporation technique and casting method, respectively. And the structure and orientation of the films obtained are examined by the X-ray diffraction method. The orientation of the silicon backbone (all-trans conformation) of poly(di-methyl silane) can be controlled by changing evaporation rate, substrate temperature, and vacuum pressure during the deposition. On the other hand, poly(di-hexyl silane) is solved in organic solvent at room temperature. Therefore, poly(di-hexyl silane) thin films are fabricated by the wet process. From the X-ray diffraction measurement, it is found that the direction of the silicon backbone (all-trans conformation) of poly(di-hexyl silane) molecule is parallel to the substrate surface. The reason is discussed on the bases of the molecular structure and packing of poly(di-hexyl silane). Electrical property of the poly(di-methyl silane) thin film is also examined, and the result is discussed on the bases of the molecular structure and packing of poly(di-methyl silane).
キーワード (和) ポリジメチルシラン / ポリジへキシルシラン / X線回折 / 配向性 / 分子構造 / / /  
(英) Poly(di-methyl silane) / Poly(di-hexyl silane) / X-ray Diffraction / Orientation / Molecular Structure / / /  
文献情報 信学技報, vol. 106, no. 132, OME2006-47, pp. 45-49, 2006年6月.
資料番号 OME2006-47 
発行日 2006-06-23 (EMD, CPM, OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685
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研究会情報
研究会 CPM EMD OME  
開催期間 2006-06-30 - 2006-06-30 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 圧電デバイス・材料、強誘電体材料,有機エレクトロニクス、一般(材料デバイスサマーミーティング) 
テーマ(英) Piezoelectric Devices, Piezoelectric Materials, Ferroelectric Materials, Organic Electronics, etc. (ES Summer Meeting of Materials and Devices) 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OME 
会議コード 2006-06-CPM-EMD-OME 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ポリジメチルシラン及びポリジへキシルシラン薄膜の構造と物性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Structure and Physical Properties of Poly(di-methyl silane) and Poly(di-hexyl silane) Thin Films 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ポリジメチルシラン / Poly(di-methyl silane)  
キーワード(2)(和/英) ポリジへキシルシラン / Poly(di-hexyl silane)  
キーワード(3)(和/英) X線回折 / X-ray Diffraction  
キーワード(4)(和/英) 配向性 / Orientation  
キーワード(5)(和/英) 分子構造 / Molecular Structure  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 古川 昌司 / Shoji Furukawa / フルカワ ショウジ
第1著者 所属(和/英) 九州工業大学 (略称: 九工大)
Kyushu Institute of Technology (略称: Kyushu Inst. Technology)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 大多 英隆 / Hidetaka Ohta / オオタ ヒデタカ
第2著者 所属(和/英) 九州工業大学 (略称: 九工大)
Kyushu Institute of Technology (略称: Kyushu Inst. Technology)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 荒川 等 / Hitoshi Arakawa / アラカワ ヒトシ
第3著者 所属(和/英) 九州工業大学 (略称: 九工大)
Kyushu Institute of Technology (略称: Kyushu Inst. Technology)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 安田 敬 / Takashi Yasuda / ヤスダ タカシ
第4著者 所属(和/英) 九州工業大学 (略称: 九工大)
Kyushu Institute of Technology (略称: Kyushu Inst. Technology)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 甲木 昭彦 / Akihiko Katsuki / カツキ アキヒコ
第5著者 所属(和/英) 九州工業大学 (略称: 九工大)
Kyushu Institute of Technology (略称: Kyushu Inst. Technology)
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講演者 第1著者 
発表日時 2006-06-30 15:50:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 OME 
資料番号 EMD2006-13, CPM2006-37, OME2006-47 
巻番号(vol) vol.106 
号番号(no) no.130(EMD), no.131(CPM), no.132(OME) 
ページ範囲 pp.45-49 
ページ数
発行日 2006-06-23 (EMD, CPM, OME) 


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