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| 講演名 | 2006-06-30 09:45 凹凸形状回折格子を用いた半導体薄膜BH-DFBレーザ ○阪本真一・内藤秀幸・田村茂雄・丸山武男・荒井滋久（東工大） エレソ技報アーカイブへのリンク：  OPE2006-15 LQE2006-19 |
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| 抄録 | （和） | 半導体薄膜活性層分離型DFBレーザは、光閉じ込め係数$\xi$と屈折率結合係数$\kappa$_{i}の増大により、低しきい値化及び短共振器化が期待できる。今回、屈折率結合の向上のため、半導体薄膜に凹凸形状を装荷した狭ストライプ半導体薄膜レーザを作製した。ストライプ幅W_{s}=0.6 $\mu$mの素子において明確なストップバンド幅68nmを確認することが出来、屈折率結合係数$\kappa$i=2950 cm^{-1}が見積もられた。又、同一の元基板を用いて、埋め込みの違う2種類の素子を作製した結果、共振器長依存性に明確な差異を確認することが出来、共振器長を短くしても十分な反射率が得られていることを示した。共振器長L=80$\mu$mに設計した素子において最低しきい値パワーはP_{th}=0.34mW、しきい値の2倍において副モード抑圧比(SMSR)は35dB以上が得られた。 |
| （英） | Membrane DFB structure is very attractive for low threshold and short cavity operation due to the strong optical confinement into the semiconductor core layer and high reflective mirror using DFB structure with wirelike active region. In this paper, we achieved high index coupling of $\kappa$i=2,950 cm-1 in spite of a narrow stripe width of W_{s}=0.6 $\mu$m using high refractive index difference structure, named of surface corrugation grating. We observed clearly difference of the threshold power dependence of cavity length between flat surface membrane laser and surface corrugation grating membrane laser with same initial wafer. And low threshold operation of P_{th}=0.34 mW operation was realized with surface corrugation structure. A sub mode suppuration ratio (SMSR) was achieved over 35dB at P=2P_{th}. | |
| キーワード | （和） | DFBレーザ / 強光閉じ込め / GaInAsP/InP / CH4/H2-RIE / ベンゾシクロブテン (BCB) / / / |
| （英） | DFB laser / High optical confinement / GaInAsP/InP / CH4/H2-RIE / Benzocyclobutene (BCB) / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 106, no. 134, LQE2006-19, pp. 1-6, 2006年6月. | |
| 資料番号 | LQE2006-19 | |
| 発行日 | 2006-06-23 (OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2006-15 LQE2006-19 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE LQE |
| 開催期間 | 2006-06-30 - 2006-06-30 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 量子効果デバイス（光信号処理、LD、光増幅、変調等）と集積化技術、一般（材料デバイスサマーミーティング） |
| テーマ（英） | Quantum Effect Optical Devices (optical signal processing, LD, optical amplification, modulation etc.) and Photonic Integrations [ES Summer Meeting on Materials and Devices] |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2006-06-OPE-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 凹凸形状回折格子を用いた半導体薄膜BH-DFBレーザ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Membrane BH-DFB Laser with Surface Corrugation Grating |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | DFBレーザ / DFB laser |
| キーワード(2)（和/英） | 強光閉じ込め / High optical confinement |
| キーワード(3)（和/英） | GaInAsP/InP / GaInAsP/InP |
| キーワード(4)（和/英） | CH4/H2-RIE / CH4/H2-RIE |
| キーワード(5)（和/英） | ベンゾシクロブテン (BCB) / Benzocyclobutene (BCB) |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 阪本 真一 / Shinichi Sakamoto / サカモト シンイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内藤 秀幸 / Hideyuki Naitoh / ナイトウ ヒデユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田村 茂雄 / Shigeo Tamura / タムラ シゲオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 丸山 武男 / Takeo Maruyama / マルヤマ タケオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒井 滋久 / Shigehisa Arai / アライ シゲヒサ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2006-06-30 09:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | OPE2006-15, LQE2006-19 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | no.133(OPE), no.134(LQE) |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2006-06-23 (OPE, LQE) |
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