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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2006-08-18 12:30 リード／ライト同時ディスターブ・アクセスに対して安定なSRAMセル設計手法 ○鈴木利一（松下電器）・山内寛行（福岡工大）・山上由展・里見勝治・赤松寛範（松下電器） エレソ技報アーカイブへのリンク：  SDM2006-149 ICD2006-103 |
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| 抄録 | （和） | 2ポートSRAMメモリセルは、リード／ライト同時ディスターブ・アクセスにおいても、メモリセルの動作マージンを保つ必要がある。しかしながら、従来の1ポート・メモリセルを対象とした、動作マージン改善手法では、同一カラムにおいて、リード／ライト同時ディスターブ・アクセスが生じた場合、リードセルのセル電流の劣化が生じる恐れがある。 我々は、2ポートSRAMのリード／ライト同時アクセス時においても、セル電流劣化やセルサイズ増大が生じない、セル端子バイアス制御方法を、65nm CMOS 8トランジスタ(Tr) 2ポート・メモリセル回路に適用した。その結果、リード、及びライトマージンがVdd=0.9V時に、従来手法と比べて45%、及び70%改善することを確認した。このセルバイアス制御方法を用いることにより、セルサイズは20%低減することが可能である。さらに、メモリセルサイズを縮小するために、同制御方法を7 Trメモリセルに適用し、セルサイズを従来比31%縮小した事例を報告する。 |
| （英） | A guarantee obligation of keeping the cell-margin against a simultaneously read and write (R/W) disturbed accesses in the same column is required to a 2-port SRAM. We verified that it is difficult to provide these margins without any decrease in cell-current and any increase in cell-area penalty only by using the previously proposed techniques so far. To solve this, we have developed the new cell design technology for an 8-Tr 2-port cell in a 65-nm CMOS technology and have demonstrated that the R/W margins can be improved by 45%/70%, respectively at 0.9V, and the cell-size can be reduced by 20% compared with the conventional column-based Vdd control. Another 7-Tr cell which can reduce cell-area by 31% has been also demonstrated. | |
| キーワード | （和） | SRAM / 動作マージン / セル電流 / セルサイズ / / / / |
| （英） | SRAM / Operating margin / Cell current / Cell size / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 106, no. 207, ICD2006-103, pp. 137-141, 2006年8月. | |
| 資料番号 | ICD2006-103 | |
| 発行日 | 2006-08-10 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2006-149 ICD2006-103 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2006-08-17 - 2006-08-18 |
| 開催地（和） | 北海道大学 |
| 開催地（英） | Hokkaido University |
| テーマ（和） | VLSI回路、デバイス技術（高速、低電圧、低消費電力） <オーガナイザ：平本 俊郎（東京大学）> |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2006-08-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | リード／ライト同時ディスターブ・アクセスに対して安定なSRAMセル設計手法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Stable SRAM Cell Design Against Simultaneously R/W Disturbed Accesses |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SRAM / SRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 動作マージン / Operating margin |
| キーワード(3)（和/英） | セル電流 / Cell current |
| キーワード(4)（和/英） | セルサイズ / Cell size |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 利一 / Toshikazu Suzuki / スズキ トシカズ |
| 第1著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社 (略称： 松下電器) Matsushita Electric Industrial Co., Ltd (略称： Matsushita) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山内 寛行 / Hiroyuki Yamauchi / ヤマウチ ヒロユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 福岡工業大学 (略称： 福岡工大) Fukuoka Institute of Technology University (略称： Fukuoka Institute of Technology Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山上 由展 / Yoshinobu Yamagami / ヤマガミ ヨシノブ |
| 第3著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社 (略称： 松下電器) Matsushita Electric Industrial Co., Ltd (略称： Matsushita) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 里見 勝治 / Katsuji Satomi / サトミ カツジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社 (略称： 松下電器) Matsushita Electric Industrial Co., Ltd (略称： Matsushita) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤松 寛範 / Hironori Akamatsu / アカマツ ヒロノリ |
| 第5著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社 (略称： 松下電器) Matsushita Electric Industrial Co., Ltd (略称： Matsushita) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2006-08-18 12:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | SDM2006-149, ICD2006-103 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | no.206(SDM), no.207(ICD) |
| ページ範囲 | pp.137-141 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2006-08-10 (SDM, ICD) |
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