| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2006-08-18 12:30
リード／ライト同時ディスターブ・アクセスに対して安定なSRAMセル設計手法
○鈴木利一（松下電器）・山内寛行（福岡工大）・山上由展・里見勝治・赤松寛範（松下電器） |
| 抄録 |
（和） |
2ポートSRAMメモリセルは、リード／ライト同時ディスターブ・アクセスにおいても、メモリセルの動作マージンを保つ必要がある。しかしながら、従来の1ポート・メモリセルを対象とした、動作マージン改善手法では、同一カラムにおいて、リード／ライト同時ディスターブ・アクセスが生じた場合、リードセルのセル電流の劣化が生じる恐れがある。
我々は、2ポートSRAMのリード／ライト同時アクセス時においても、セル電流劣化やセルサイズ増大が生じない、セル端子バイアス制御方法を、65nm CMOS 8トランジスタ(Tr) 2ポート・メモリセル回路に適用した。その結果、リード、及びライトマージンがVdd=0.9V時に、従来手法と比べて45%、及び70%改善することを確認した。このセルバイアス制御方法を用いることにより、セルサイズは20%低減することが可能である。さらに、メモリセルサイズを縮小するために、同制御方法を7 Trメモリセルに適用し、セルサイズを従来比31%縮小した事例を報告する。 |
| （英） |
A guarantee obligation of keeping the cell-margin against a simultaneously read and write (R/W) disturbed accesses in the same column is required to a 2-port SRAM. We verified that it is difficult to provide these margins without any decrease in cell-current and any increase in cell-area penalty only by using the previously proposed techniques so far. To solve this, we have developed the new cell design technology for an 8-Tr 2-port cell in a 65-nm CMOS technology and have demonstrated that the R/W margins can be improved by 45%/70%, respectively at 0.9V, and the cell-size can be reduced by 20% compared with the conventional column-based Vdd control. Another 7-Tr cell which can reduce cell-area by 31% has been also demonstrated. |
| キーワード |
（和） |
SRAM / 動作マージン / セル電流 / セルサイズ / / / / |
| （英） |
SRAM / Operating margin / Cell current / Cell size / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 207, ICD2006-103, pp. 137-141, 2006年8月. |
| 資料番号 |
ICD2006-103 |
| 発行日 |
2006-08-10 (SDM, ICD) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
ICD SDM |
| 開催期間 |
2006-08-17 - 2006-08-18 |
| 開催地（和） |
北海道大学 |
| 開催地（英） |
Hokkaido University |
| テーマ（和） |
VLSI回路、デバイス技術（高速、低電圧、低消費電力） <オーガナイザ：平本 俊郎（東京大学）> |
| テーマ（英） |
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| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
ICD |
| 会議コード |
2006-08-ICD-SDM |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
リード／ライト同時ディスターブ・アクセスに対して安定なSRAMセル設計手法 |
| サブタイトル（和） |
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| タイトル（英） |
A Stable SRAM Cell Design Against Simultaneously R/W Disturbed Accesses |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
SRAM / SRAM |
| キーワード(2)（和/英） |
動作マージン / Operating margin |
| キーワード(3)（和/英） |
セル電流 / Cell current |
| キーワード(4)（和/英） |
セルサイズ / Cell size |
| キーワード(5)（和/英） |
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| キーワード(6)（和/英） |
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| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
鈴木 利一 / Toshikazu Suzuki / スズキ トシカズ |
| 第1著者 所属（和/英） |
松下電器産業株式会社 (略称： 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd (略称： Matsushita) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
山内 寛行 / Hiroyuki Yamauchi / ヤマウチ ヒロユキ |
| 第2著者 所属（和/英） |
福岡工業大学 (略称： 福岡工大)
Fukuoka Institute of Technology University (略称： Fukuoka Institute of Technology Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
山上 由展 / Yoshinobu Yamagami / ヤマガミ ヨシノブ |
| 第3著者 所属（和/英） |
松下電器産業株式会社 (略称： 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd (略称： Matsushita) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
里見 勝治 / Katsuji Satomi / サトミ カツジ |
| 第4著者 所属（和/英） |
松下電器産業株式会社 (略称： 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd (略称： Matsushita) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
赤松 寛範 / Hironori Akamatsu / アカマツ ヒロノリ |
| 第5著者 所属（和/英） |
松下電器産業株式会社 (略称： 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd (略称： Matsushita) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2006-08-18 12:30:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
ICD |
| 資料番号 |
SDM2006-149, ICD2006-103 |
| 巻番号（vol） |
vol.106 |
| 号番号（no） |
no.206(SDM), no.207(ICD) |
| ページ範囲 |
pp.137-141 |
| ページ数 |
5 |
| 発行日 |
2006-08-10 (SDM, ICD) |
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