| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2006-08-18 15:25
多値フラッシュメモリのスケーリングにおけるランダム・テレグラフ・シグナルの影響
○倉田英明・大津賀一雄・小田部 晃・梶山新也・長部太郎・笹子佳孝（日立）・鳴海俊一・冨上健司・蒲原史朗・土屋 修（ルネサステクノロジ） |
| 抄録 |
（和） |
フラッシュメモリにおいて、ランダム・テレグラフ・シグナル (RTS) による閾値変動を初めて確認した。 90nmプロセスで作成したメモリアレイを用いて多数のビットを評価した結果、0.2V以上の閾値変動を有するビットが存在することを見出した。 また、多値フラッシュメモリでは、このRTS起因の閾値変動によって、書込み後の分布に裾ビットが生じることを、シミュレーションと実測により明らかにした。 今後メモリセルの微細化に伴い、RTSによる閾値変動は実効チャネル面積に反比例して増大すると考えられる。 45nm世代では閾値変動が0.3V以上に達すると予想され、45nm世代以降のフラッシュメモリにおいてはRTSが大きな設計課題となる可能性がある。 |
| （英） |
This paper describes for the first time the observation of the threshold voltage (Vth) fluctuation due to random telegraph signal (RTS) in flash memory. We acquired large amount of data of Vth fluctuation by using a 90-nm node memory array and confirmed that a few memory cells have large RTS fluctuation exceeding 0.2 V. We also found that the tail bits are generated due to RTS in multilevel flash operation by simulation and measurement results. The amount of Vth broadening due to the tail bits becomes larger as the scaling advances, and reaches to more than 0.3 V in 45-nm node. Thus the RTS becomes prominent issue for the design of multilevel flash memory in 45-nm node and beyond. |
| キーワード |
（和） |
ランダム・テレグラフ・シグナル / フラッシュメモリ / 多値技術 / 閾値変動 / / / / |
| （英） |
Random telegraph signal / Flash memory / Multilevel cell technology / Vth fluctuation / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 207, ICD2006-107, pp. 161-166, 2006年8月. |
| 資料番号 |
ICD2006-107 |
| 発行日 |
2006-08-10 (SDM, ICD) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
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