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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2006-08-18 15:25 多値フラッシュメモリのスケーリングにおけるランダム・テレグラフ・シグナルの影響 ○倉田英明・大津賀一雄・小田部 晃・梶山新也・長部太郎・笹子佳孝（日立）・鳴海俊一・冨上健司・蒲原史朗・土屋 修（ルネサステクノロジ） エレソ技報アーカイブへのリンク：  SDM2006-153 ICD2006-107 |
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| 抄録 | （和） | フラッシュメモリにおいて、ランダム・テレグラフ・シグナル (RTS) による閾値変動を初めて確認した。 90nmプロセスで作成したメモリアレイを用いて多数のビットを評価した結果、0.2V以上の閾値変動を有するビットが存在することを見出した。 また、多値フラッシュメモリでは、このRTS起因の閾値変動によって、書込み後の分布に裾ビットが生じることを、シミュレーションと実測により明らかにした。 今後メモリセルの微細化に伴い、RTSによる閾値変動は実効チャネル面積に反比例して増大すると考えられる。 45nm世代では閾値変動が0.3V以上に達すると予想され、45nm世代以降のフラッシュメモリにおいてはRTSが大きな設計課題となる可能性がある。 |
| （英） | This paper describes for the first time the observation of the threshold voltage (Vth) fluctuation due to random telegraph signal (RTS) in flash memory. We acquired large amount of data of Vth fluctuation by using a 90-nm node memory array and confirmed that a few memory cells have large RTS fluctuation exceeding 0.2 V. We also found that the tail bits are generated due to RTS in multilevel flash operation by simulation and measurement results. The amount of Vth broadening due to the tail bits becomes larger as the scaling advances, and reaches to more than 0.3 V in 45-nm node. Thus the RTS becomes prominent issue for the design of multilevel flash memory in 45-nm node and beyond. | |
| キーワード | （和） | ランダム・テレグラフ・シグナル / フラッシュメモリ / 多値技術 / 閾値変動 / / / / |
| （英） | Random telegraph signal / Flash memory / Multilevel cell technology / Vth fluctuation / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 106, no. 207, ICD2006-107, pp. 161-166, 2006年8月. | |
| 資料番号 | ICD2006-107 | |
| 発行日 | 2006-08-10 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2006-153 ICD2006-107 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2006-08-17 - 2006-08-18 |
| 開催地（和） | 北海道大学 |
| 開催地（英） | Hokkaido University |
| テーマ（和） | VLSI回路、デバイス技術（高速、低電圧、低消費電力） <オーガナイザ：平本 俊郎（東京大学）> |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2006-08-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 多値フラッシュメモリのスケーリングにおけるランダム・テレグラフ・シグナルの影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Impact of Random Telegraph Signals on Scaling of Multilevel Flash Memories |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ランダム・テレグラフ・シグナル / Random telegraph signal |
| キーワード(2)（和/英） | フラッシュメモリ / Flash memory |
| キーワード(3)（和/英） | 多値技術 / Multilevel cell technology |
| キーワード(4)（和/英） | 閾値変動 / Vth fluctuation |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 倉田 英明 / Hideaki Kurata / クラタ ヒデアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大津賀 一雄 / Kazuo Otsuga / オオツガ カズオ |
| 第2著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小田部 晃 / Akira Kotabe / コタベ アキラ |
| 第3著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 梶山 新也 / Shinya Kajiyama / カジヤマ シンヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長部 太郎 / Taro Osabe / オサベ タロウ |
| 第5著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 笹子 佳孝 / Yoshitaka Sasago / ササゴ ヨシタカ |
| 第6著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鳴海 俊一 / Shunichi Narumi / ナルミ シュンイチ |
| 第7著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 冨上 健司 / Kenji Tokami / トカミ ケンジ |
| 第8著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 蒲原 史朗 / Shiro Kamohara / カモハラ シロウ |
| 第9著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 土屋 修 / Osamu Tsuchiya / ツチヤ オサム |
| 第10著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2006-08-18 15:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | SDM2006-153, ICD2006-107 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | no.206(SDM), no.207(ICD) |
| ページ範囲 | pp.161-166 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2006-08-10 (SDM, ICD) |
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