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講演抄録/キーワード
講演名 2006-08-18 09:25
(110)面<100>方向pMOSFETにおける移動度崩壊の実証
清水 健更屋拓哉平本俊郎東大
抄録 (和) (110)面pMOSFETはその移動度の高さから将来のCMOSテクノロジにおいて有用な選択肢の一つであるが、移動度のユニバーサリティが成立しない原因についてはいまだに理解されていない。そこで、本研究では、(110)面pMOSFETにおいてSOI膜厚と温度を変化させて移動度のユニバーサリティを検証した。その結果、これまでの室温バルクの条件下においてはユニバーサリティが成立していた<100>方向においても、ユニバーサリティが崩壊することを初めて実験的に示した。その物理的な原因について方向依存性を持つ散乱の観点から検討した。 
(英) (110)-oriented pMOSFET is a promising choice for future CMOS device. However, physical origin of breakdown on mobility universality is still unknown. This paper describes experimental determination of the value of &#61544; by changing SOI thickness and temperature. It is found that in the case of <100>-directed channel on (110)-oriented pMOSFETs, &#61544; should be larger than unity, which implies the collapse of mobility universality, when temperature is low or SOI thickness is ultimately thin. The possible origin of universality breakdown is due to direction-dependent scattering mechanisms.
キーワード (和) (110)面pMOSFET / 移動度 / 移動度ユニバーサリティ / 極薄SOIMOSFET / / / /  
(英) (110)-oriented pMSOFET / mobility / mobility universality / Ultrathin body SOI MOSFET / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 106, no. 206, SDM2006-143, pp. 105-109, 2006年8月.
資料番号 SDM2006-143 
発行日 2006-08-10 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685
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研究会情報
研究会 ICD SDM  
開催期間 2006-08-17 - 2006-08-18 
開催地(和) 北海道大学 
開催地(英) Hokkaido University 
テーマ(和) VLSI回路、デバイス技術(高速、低電圧、低消費電力) <オーガナイザ:平本 俊郎(東京大学)> 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2006-08-ICD-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) (110)面<100>方向pMOSFETにおける移動度崩壊の実証 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Experimental Study on Breakdown of Mobility Universality in (110)-oriented <100>-directed pMOSFETs 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) (110)面pMOSFET / (110)-oriented pMSOFET  
キーワード(2)(和/英) 移動度 / mobility  
キーワード(3)(和/英) 移動度ユニバーサリティ / mobility universality  
キーワード(4)(和/英) 極薄SOIMOSFET / Ultrathin body SOI MOSFET  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 清水 健 / Ken Shimizu / シミズ ケン
第1著者 所属(和/英) 東京大学生産技術研究所 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 更屋 拓哉 / Takuya Saraya / サラヤ タクヤ
第2著者 所属(和/英) 東京大学生産技術研究所 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ
第3著者 所属(和/英) 東京大学生産技術研究所 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
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講演者 第1著者 
発表日時 2006-08-18 09:25:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2006-143, ICD2006-97 
巻番号(vol) vol.106 
号番号(no) no.206(SDM), no.207(ICD) 
ページ範囲 pp.105-109 
ページ数
発行日 2006-08-10 (SDM, ICD) 


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