| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2006-08-18 09:25
(110)面<100>方向pMOSFETにおける移動度崩壊の実証 ○清水 健・更屋拓哉・平本俊郎(東大) |
| 抄録 |
(和) |
(110)面pMOSFETはその移動度の高さから将来のCMOSテクノロジにおいて有用な選択肢の一つであるが、移動度のユニバーサリティが成立しない原因についてはいまだに理解されていない。そこで、本研究では、(110)面pMOSFETにおいてSOI膜厚と温度を変化させて移動度のユニバーサリティを検証した。その結果、これまでの室温バルクの条件下においてはユニバーサリティが成立していた<100>方向においても、ユニバーサリティが崩壊することを初めて実験的に示した。その物理的な原因について方向依存性を持つ散乱の観点から検討した。 |
| (英) |
(110)-oriented pMOSFET is a promising choice for future CMOS device. However, physical origin of breakdown on mobility universality is still unknown. This paper describes experimental determination of the value of  by changing SOI thickness and temperature. It is found that in the case of <100>-directed channel on (110)-oriented pMOSFETs,  should be larger than unity, which implies the collapse of mobility universality, when temperature is low or SOI thickness is ultimately thin. The possible origin of universality breakdown is due to direction-dependent scattering mechanisms. |
| キーワード |
(和) |
(110)面pMOSFET / 移動度 / 移動度ユニバーサリティ / 極薄SOIMOSFET / / / / |
| (英) |
(110)-oriented pMSOFET / mobility / mobility universality / Ultrathin body SOI MOSFET / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 206, SDM2006-143, pp. 105-109, 2006年8月. |
| 資料番号 |
SDM2006-143 |
| 発行日 |
2006-08-10 (SDM, ICD) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
ICD SDM |
| 開催期間 |
2006-08-17 - 2006-08-18 |
| 開催地(和) |
北海道大学 |
| 開催地(英) |
Hokkaido University |
| テーマ(和) |
VLSI回路、デバイス技術(高速、低電圧、低消費電力) <オーガナイザ:平本 俊郎(東京大学)> |
| テーマ(英) |
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| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
SDM |
| 会議コード |
2006-08-ICD-SDM |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル(和) |
(110)面<100>方向pMOSFETにおける移動度崩壊の実証 |
| サブタイトル(和) |
|
| タイトル(英) |
Experimental Study on Breakdown of Mobility Universality in (110)-oriented <100>-directed pMOSFETs |
| サブタイトル(英) |
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| キーワード(1)(和/英) |
(110)面pMOSFET / (110)-oriented pMSOFET |
| キーワード(2)(和/英) |
移動度 / mobility |
| キーワード(3)(和/英) |
移動度ユニバーサリティ / mobility universality |
| キーワード(4)(和/英) |
極薄SOIMOSFET / Ultrathin body SOI MOSFET |
| キーワード(5)(和/英) |
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| キーワード(6)(和/英) |
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| キーワード(7)(和/英) |
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| キーワード(8)(和/英) |
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| 第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
清水 健 / Ken Shimizu / シミズ ケン |
| 第1著者 所属(和/英) |
東京大学生産技術研究所 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
更屋 拓哉 / Takuya Saraya / サラヤ タクヤ |
| 第2著者 所属(和/英) |
東京大学生産技術研究所 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo) |
| 第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ |
| 第3著者 所属(和/英) |
東京大学生産技術研究所 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo) |
| 第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2006-08-18 09:25:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
SDM |
| 資料番号 |
SDM2006-143, ICD2006-97 |
| 巻番号(vol) |
vol.106 |
| 号番号(no) |
no.206(SDM), no.207(ICD) |
| ページ範囲 |
pp.105-109 |
| ページ数 |
5 |
| 発行日 |
2006-08-10 (SDM, ICD) |
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