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| 講演名 | 2006-09-26 14:35 極薄シリコン層を有するSOI MOSFETにおける(001)面及び、(111)面のフォノン散乱電子移動度のモデル化 ○山村 毅・佐藤伸吾・大村泰久（関西大） エレソ技報アーカイブへのリンク：  SDM2006-167 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 106, no. 256, SDM2006-167, pp. 43-48, 2006年9月. | |
| 資料番号 | SDM2006-167 | |
| 発行日 | 2006-09-18 (VLD, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2006-167 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM VLD |
| 開催期間 | 2006-09-25 - 2006-09-26 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit Simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2006-09-SDM-VLD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 極薄シリコン層を有するSOI MOSFETにおける(001)面及び、(111)面のフォノン散乱電子移動度のモデル化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | To be announced |
| サブタイトル（英） | |
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| キーワード(7)（和/英） | / |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山村 毅 / Tsuyoshi Yamamura / ヤマムラ ツヨシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 関西大学 (略称： 関西大) Kansai University (略称： Kansai Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 伸吾 / Shingo Sato / サトウ シンゴ |
| 第2著者 所属（和/英） | 関西大学 (略称： 関西大) Kansai University (略称： Kansai Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大村 泰久 / Yasuhisa Omura / オオムラ ヤスヒサ |
| 第3著者 所属（和/英） | 関西大学 (略称： 関西大) Kansai University (略称： Kansai Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2006-09-26 14:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | VLD2006-46, SDM2006-167 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | no.254(VLD), no.256(SDM) |
| ページ範囲 | pp.43-48 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2006-09-18 (VLD, SDM) |
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