講演抄録/キーワード |
講演名 |
2006-09-26 15:00
ナノスケールMOSFETのバリスティック輸送特性 ○土屋英昭・藤井一也・森 隆志・三好旦六(神戸大) エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2006-168 |
抄録 |
(和) |
キャリアのバリスティック輸送は,MOSFETの電流駆動力を向上させるテクノロジーブースターの一つとして期待されている。本稿では,量子補正を取り入れたモンテカルロ・シミュレーションを用いて,チャネルソース端におけるキャリア注入速度,後方散乱確率およびバリスティック効率等についての定量的評価を行った。その結果,バリスティック輸送効果はチャネル長が30nm以下で現れ始め,10nm以下のチャネル長ではその効果が飽和することが分かった。また,量子補正モンテカルロ法により得られたバリスティック輸送係数は,最近の実験結果と良い一致を示すことも分かった。 |
(英) |
Quasi-ballistic transport is one of the technology boosters for drive current enhancement of Si-MOSFETs. In this paper, to explore its ultimate device performance we study a quasi-ballistic transport in nanoscale Si-MOSFETs based upon a quantum-corrected Monte Carlo device simulation. We found that when a channel length becomes shorter than 30 nm, an electron average velocity at source-end of channel increases due to ballistic transport effects, and then it approaches a ballistic limit in the sub-10 nm regime. We also demonstrated that ballistic transport indexes estimated by our simulation agree well with recent experimental results. |
キーワード |
(和) |
ナノスケールMOSFET / 量子効果 / バリスティック輸送 / 量子補正モンテカルロ法 / / / / |
(英) |
nanoscale MOSFET / quantum effects / ballistic transport / quantum-corrected Monte Carlo method / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 256, SDM2006-168, pp. 49-54, 2006年9月. |
資料番号 |
SDM2006-168 |
発行日 |
2006-09-18 (VLD, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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