| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2006-09-26 15:00
ナノスケールMOSFETのバリスティック輸送特性
○土屋英昭・藤井一也・森 隆志・三好旦六（神戸大） |
| 抄録 |
（和） |
キャリアのバリスティック輸送は，MOSFETの電流駆動力を向上させるテクノロジーブースターの一つとして期待されている。本稿では，量子補正を取り入れたモンテカルロ・シミュレーションを用いて，チャネルソース端におけるキャリア注入速度，後方散乱確率およびバリスティック効率等についての定量的評価を行った。その結果，バリスティック輸送効果はチャネル長が30nm以下で現れ始め，10nm以下のチャネル長ではその効果が飽和することが分かった。また，量子補正モンテカルロ法により得られたバリスティック輸送係数は，最近の実験結果と良い一致を示すことも分かった。 |
| （英） |
Quasi-ballistic transport is one of the technology boosters for drive current enhancement of Si-MOSFETs. In this paper, to explore its ultimate device performance we study a quasi-ballistic transport in nanoscale Si-MOSFETs based upon a quantum-corrected Monte Carlo device simulation. We found that when a channel length becomes shorter than 30 nm, an electron average velocity at source-end of channel increases due to ballistic transport effects, and then it approaches a ballistic limit in the sub-10 nm regime. We also demonstrated that ballistic transport indexes estimated by our simulation agree well with recent experimental results. |
| キーワード |
（和） |
ナノスケールMOSFET / 量子効果 / バリスティック輸送 / 量子補正モンテカルロ法 / / / / |
| （英） |
nanoscale MOSFET / quantum effects / ballistic transport / quantum-corrected Monte Carlo method / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 256, SDM2006-168, pp. 49-54, 2006年9月. |
| 資料番号 |
SDM2006-168 |
| 発行日 |
2006-09-18 (VLD, SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
SDM VLD |
| 開催期間 |
2006-09-25 - 2006-09-26 |
| 開催地（和） |
機械振興会館 |
| 開催地（英） |
Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） |
プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） |
Process, Device, Circuit Simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
SDM |
| 会議コード |
2006-09-SDM-VLD |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
ナノスケールMOSFETのバリスティック輸送特性 |
| サブタイトル（和） |
|
| タイトル（英） |
To be announced |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
ナノスケールMOSFET / nanoscale MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） |
量子効果 / quantum effects |
| キーワード(3)（和/英） |
バリスティック輸送 / ballistic transport |
| キーワード(4)（和/英） |
量子補正モンテカルロ法 / quantum-corrected Monte Carlo method |
| キーワード(5)（和/英） |
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| キーワード(6)（和/英） |
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| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
土屋 英昭 / Hideaki Tsuchiya / ツチヤ ヒデアキ |
| 第1著者 所属（和/英） |
神戸大学 (略称： 神戸大)
Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
藤井 一也 / Kazuya Fujii / フジイ カズヤ |
| 第2著者 所属（和/英） |
神戸大学 (略称： 神戸大)
Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
森 隆志 / Takashi Mori / モリ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） |
神戸大学 (略称： 神戸大)
Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
三好 旦六 / Tanroku Miyoshi / ミヨシ タンロク |
| 第4著者 所属（和/英） |
神戸大学 (略称： 神戸大)
Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2006-09-26 15:00:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
SDM |
| 資料番号 |
VLD2006-47, SDM2006-168 |
| 巻番号（vol） |
vol.106 |
| 号番号（no） |
no.254(VLD), no.256(SDM) |
| ページ範囲 |
pp.49-54 |
| ページ数 |
6 |
| 発行日 |
2006-09-18 (VLD, SDM) |
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